SiC
-
6inch SiC Epitaxiy wafer N/P görnüşi özleşdirilen görnüşde kabul edilýär
-
Diametri 150mm 4H-N 6inch SiC substratynyň önümçiligi we maket derejesi
-
MOS ýa-da SBD üçin 4 дюйм SiC Epi wafer
-
2 dýuýmlyk SiC külçesi Diametri 50.8mmx10mmt 4H-N monokristal
-
200 mm SiC substrat maket 4H-N 8inç SiC wafer
-
Hytaýyň P we D derejeli monokristallaryndan öndürilen 4H-N Dia205mm SiC tohumy
-
4 dýuýmlyk SiC Wafers 6H Ýarym izolýasiýaly SiC substratlary esasy, ylmy we nusgawy
-
6 dýuýmlyk HPSI SiC substrat waferi Silikon karbid ýarym kemsidiji SiC waferleri
-
4 дюймlyk ýarym kemsidiji SiC waferleri HPSI SiC substraty Esasy önümçilik derejesi
-
3 дюйм 76.2 mm 4H-Ýarym SiC substrat waferi Silikon Karbid Ýarym kemsidiji SiC waferleri
-
3 dýuým Diametri 76.2 mm SiC substratlary HPSI Prime Research we Dummy derejeli
-
4H-ýarym HPSI 2inç SiC substrat wafer önümçilik üçin niýetlenen ylmy-barlag derejesi