4inç ýarym kemsidiji SiC wafli HPSI SiC substrat Prime Production derejesi

4inç ýarym kemsidiji SiC wafli HPSI SiC substraty Önümçilik derejesi Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

4 dýuým ýokary arassa ýarym izolýasiýa edilen kremniý karbid iki taraplaýyn ýalpyldawuk plastinka, esasan, 5G aragatnaşyk we beýleki ugurlarda ulanylýar, radio ýygylygynyň diapazonyny gowulaşdyrmak, uzak aralyga tanamak, päsgelçiliklere garşy, ýokary tizlikli , uly göwrümli maglumat geçirişi we beýleki programmalar we mikrotolkunly güýç enjamlary öndürmek üçin iň oňat substrat hasaplanýar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Önümiň spesifikasiýasy

Silikon karbid (SiC) uglerod we kremniniň elementlerinden düzülen birleşýän ýarymgeçiriji materialdyr we ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly, ýokary güýçli we ýokary woltly enjamlary öndürmek üçin iň amatly materiallardan biridir.Adaty kremniy material (Si) bilen deňeşdirilende, kremniniň karbidiniň gadagan zolak giňligi kremniniňkiden üç esse köpdür;ýylylyk geçirijiligi kremniniňkiden 4-5 esse köp;bölüniş naprýa; eniýesi kremniniň 8-10 essesidir;we elektronyň doýma tizligi häzirki zaman senagatynyň ýokary kuwwatly, ýokary woltly we ýokary ýygylykly zerurlyklaryny kanagatlandyrýan kremniniňkiden 2-3 esse ýokarydyr we esasan ýokary tizlikli, ýokary- ýygylygy, ýokary kuwwatly we ýagtylyk çykaryjy elektron komponentleri we onuň aşaky ulanylýan ýerlerine akylly set, Täze energiýa ulaglary, fotoelektrik ýel güýji, 5G aragatnaşyk we ş.m. girýär. Elektrik enjamlary pudagynda kremniy karbid diodlary we MOSFET-ler bolup başlady. täjirçilik taýdan ulanylýar.

SiC wafli / SiC substratynyň artykmaçlyklary

Temperatureokary temperatura garşylyk.Silikon karbidiň gadagan edilen giňligi kremniniňkiden 2-3 esse köp, şonuň üçin elektronlar ýokary temperaturada bökmek ähtimallygy pes we has ýokary iş temperaturasyna çydap bilýärler, kremniý karbidiniň ýylylyk geçirijiligi kremniniňkiden 4-5 esse köpdür. enjamdan ýylylygy bölüp çykarmak we has ýokary çäklendiriji iş temperaturasyna mümkinçilik bermek.Temperatureokary temperatura aýratynlyklary, ýylylygy bölmek ulgamyna bolan talaplary azaltmak bilen, terminaly has ýeňil we kiçeldip, güýç dykyzlygyny ep-esli ýokarlandyryp biler.

Volokary woltly garşylyk.Silikon karbidiň bölüniş meýdanynyň güýji kremniniňkiden 10 esse ýokary bolup, ýokary woltlara çydamly bolup, ýokary woltly enjamlar üçin has amatly bolar.

Frequokary ýygylykly garşylyk.Silikon karbid, kremniniň doýma elektron süýşme derejesinden iki esse ýokarydyr, netijede enjamlaryň ýapylmagy prosesinde häzirki süýremek hadysasynda ýok, enjamyň miniatýurizasiýasyna ýetmek üçin enjamyň kommutasiýa ýygylygyny netijeli gowulaşdyryp biler.

Pes energiýa ýitgisi.Silikon karbid, kremniniň materiallary bilen deňeşdirilende gaty pes garşylygy, geçirijilik ukybynyň pesligi;şol bir wagtyň özünde, kremniy karbidiň ýokary geçirijilik ukyby, syzyş toguny, güýjüň ýitmegini ep-esli azaldar;Mundan başga-da, ýapmak prosesinde kremniy karbid enjamlary häzirki süýremek hadysasynda ýok, pes kommutasiýa ýitgisi.