4 dýuýmlyk “SiC Wafers 6H” ýarym izolýasiýa SiC substratlary esasy, gözleg we aç-açan dereje

4 dýuýmlyk “SiC Wafers 6H” ýarym izolýasiýa ediji “SiC” substratlar esasy, gözleg we gödek derejeli Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Insarym izolýasiýa edilen kremniý karbid substraty ýarym izolýasiýa edilen kremniý karbid kristalynyň ösmeginden soň kesmek, üwemek, polatlamak, arassalamak we beýleki gaýtadan işlemek tehnologiýasy arkaly emele gelýär.Epitaksiýa hökmünde hil talaplaryna laýyk gelýän substratda bir gatlak ýa-da köp gatlakly kristal gatlak ösdürilip ýetişdirilýär, soňra mikrotolkunly RF enjamy zynjyryň dizaýnyny we gaplamasyny birleşdirip ýasalýar.2inch 3inch 4incgh 6inch 8 dýuým senagat, gözleg we synag derejesi ýarym izolýasiýa edilen kremniy karbid ýeke kristal substratlar hökmünde bar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Önümiň spesifikasiýasy

Baha			MPD önümçilik derejesi (Z derejesi)			Standart önümçilik derejesi (P derejesi)		Dummy Grade (D Grade)
Diametri			99,5 mm ~ 100.0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Wafer ugry			Öçürilen ok: 4H-N üçin 4.0 ° <1120> ± 0,5 °, Okda: <0001> ± 0,5 ° 4H-SI üçin
	4H-SI		≤1 sm^-2			≤5 sm^-2		≤15 sm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω · sm					≥1E5 Ω · sm
Esasy kwartira		{10-10} .0 5.0 °
Esasy tekizlik uzynlygy		32,5 mm ± 2,0 mm
Ikinji tekizlik uzynlygy		18.0 mm ± 2,0 mm
Ikinji kwartira ugry		Silikonyň ýüzi: 90 ° CW.premýerden ± 5.0 °
Gyradan çykarmak		3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp		≤3 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm						≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
Gödeklik			C ýüzi				Polýak		Ra≤1 nm
			Si ýüzi	CMP	Ra≤0.2 nm					Ra≤0.5 nm
Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar ýarylýar		Hiç						Jemi uzynlygy ≤ 10 mm, ýeke uzynlygy≤2 mm
Intokary intensiwlik bilen alty plastinka		Toplum meýdany ≤0.05%						Toplum meýdany ≤0.1%
Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri		Hiç						Toplum meýdany ≤3%
Wizual uglerod goşulmalary		Toplum meýdany ≤0.05%						Toplum meýdany ≤3%
Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary		Hiç						Jemi uzynlygy≤1 ＊ wafli diametri
Gyrasy çipleri intensiwlik çyrasy bilen ýokary		Hiç biri ≥0.2 mm ini we çuňlugy rugsat bermedi						5 rugsat berildi, hersi mm1 mm
Highokary intensiwlik bilen kremniniň üstü hapalanmagy		Hiç
Gaplamak		Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner