2 dýuým SiC Wafers 6H ýa-da 4H ýarym izolýasiýa SiC substratlary Dia50.8mm

Gysga düşündiriş:

Silikon karbid (SiC) IV-IV toparyň ikilik birleşmesi, döwürleýin elementler tablisasynyň IV toparyndaky ýeke-täk durnukly birleşme, möhüm ýarymgeçiriji.SiC ýokary ýylylyk, mehaniki, himiki we elektrik aýratynlyklaryna eýe bolup, ony ýokary temperatura, ýokary ýygylyk we ýokary güýçli elektron enjamlary öndürmek üçin iň oňat materiallaryň birine öwürýär.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Silikon karbid substratyny ulanmak

Silikon karbid substraty garşylyga görä geçiriji görnüşe we ýarym izolýasiýa görnüşine bölünip bilner.Geçiriji kremniy karbid enjamlary esasan elektrik ulaglarynda, fotoelektrik energiýasyny öndürmekde, demir ýol tranzitinde, maglumat merkezlerinde, zarýad bermekde we beýleki infrastrukturalarda ulanylýar.Elektrik ulaglary pudagynda geçiriji kremniy karbid substratlaryna uly isleg bar we häzirki wagtda Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng we beýleki täze energiýa ulag kompaniýalary kremniy karbid diskret enjamlaryny ýa-da modullaryny ulanmagy meýilleşdirýärler.

Insarym izolýasiýa edilen kremniy karbid enjamlary esasan 5G aragatnaşyk, ulag aragatnaşygy, milli goranyş programmalary, maglumat geçiriş, howa we beýleki ugurlarda ulanylýar.Halfarym izolirlenen kremniý karbid substratynda galiý nitrid epitaksial gatlagyny ösdürip, kremniý esasly galiý nitrid epitaksial wafli, esasan, 5G aragatnaşygyndaky güýç güýçlendirijileri ýaly mikrotolkunly RF enjamlaryna hasam öndürilip bilner. milli goragda radio detektorlary.

Silikon karbid substrat önümleriniň öndürilmegi enjamlaryň ösdürilmegini, çig malyň sintezini, kristalyň ösmegini, hrustal kesilmegini, wafli gaýtadan işlemegi, arassalamagy we synagdan geçirmegi we başga-da köp baglanyşygy öz içine alýar.Çig mal nukdaýnazaryndan Songshan Bor senagaty bazara kremniy karbid çig malyny hödürleýär we ownuk partiýa satuwyna ýetdi.Silikon karbid bilen görkezilen üçünji nesil ýarymgeçiriji materiallar häzirki zaman senagatynda möhüm rol oýnaýar, täze energiýa ulaglarynyň we fotoelektrik goşundylarynyň çaltlaşmagy bilen kremniniň karbid substratyna bolan isleg inflýasiýa nokadyna ýeter.

Jikme-jik diagramma

2 dýuým SiC Wafers 6H (1)
2 dýuým SiC Wafers 6H (2)

  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň