4H ýarym HPSI 2inch SiC substrat wafli Önümçilik Dummy gözleg derejesi

Silikon karbid substraty esasan geçiriji we ýarym izolýasiýa görnüşine bölünýär, n görnüşli substrata geçiriji kremniy karbid substraty esasan epitaksial GaN esasly LED we beýleki optoelektron enjamlary, SiC esasly elektrik elektron enjamlary we ş.m. üçin ulanylýar. izolýasiýa SiC kremniy karbid substraty esasan GaN ýokary güýçli radio ýygylyk enjamlaryny epitaksial öndürmek üçin ulanylýar.Mundan başga-da, ýokary arassa ýarym izolýasiýa HPSI we SI ýarym izolýasiýa, ýokary elektron hereketi bilen 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015 / sm3 diapazonda ýokary arassa ýarym izolýasiýa göterijiniň konsentrasiýasy tapawutlanýar;ýarym izolýasiýa ýokary garşylykly materialdyr, garşylyk gaty ýokary, adatça mikrotolkun enjamynyň substratlary üçin ulanylýar, geçiriji däl.

Carym izolýasiýa kremniy karbid substrat listi SiC wafli

SiC kristal gurluşy, fiziki we Si we GaA-lar bilen deňeşdirilende kesgitleýär, SiC fiziki aýratynlyklary üçin;gadagan zolak giňligi, enjamyň uzak möhletli ygtybarlylygynda ýokary temperaturada işlemegini üpjün etmek üçin Si-den 3 esse ýakyn;bölüniş meýdanynyň güýji ýokary, enjamyň naprýa capacityeniýe kuwwatyny üpjün etmek, enjamyň naprýa valueeniýe bahasyny ýokarlandyrmak üçin Si-den 1O esse köp;doýma elektron tizligi uludyr, enjamyň ýygylygyny we güýç dykyzlygyny ýokarlandyrmak üçin Si-den 2 esse köpdür;ýylylyk geçirijiligi ýokary, Si-den has ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, Si-den has köp, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary.Highokary ýylylyk geçirijiligi, Si-den 3 esse köp, enjamyň ýylylyk bölüniş kuwwatyny ýokarlandyrýar we enjamyň miniatýurizasiýasyny amala aşyrýar.