3inch Dia76.2mm SiC HPSI Prime Research we Dummy derejesini substratlaýar

Geçiriji substrat: 15 ~ 30mΩ sm kremniy karbid substratynyň garşylygyny aňladýar.Geçiriji kremniý karbid substratyndan ösdürilip ýetişdirilen kremniý karbid epitaksial wafli, täze energiýa ulaglarynda, fotoelektrik enjamlarynda, akylly setlerde we demir ýol ulaglarynda giňden ulanylýan güýç enjamlaryna öwrülip biler.

Insarym izolýasiýa substraty, esasan, galiý nitrid mikrotolkun radio ýygylyk enjamlaryny öndürmekde ulanylýan 100000Ω sm-den ýokary kremniy karbid substratyndan ýokary garşylygy aňladýar, simsiz aragatnaşyk meýdanynyň esasyny düzýär.

Simsiz aragatnaşyk pudagynda esasy komponent.

Silikon karbid geçiriji we ýarym izolýasiýa substratlary köp sanly elektron enjamlarynda we güýç enjamlarynda ulanylýar, emma aşakdakylar bilen çäklenmeýär:

Powerokary güýçli ýarymgeçiriji enjamlar (geçiriji): Silikon karbid substratlary ýokary bölüniş meýdany we ýylylyk geçirijiligi bolup, ýokary güýçli tranzistorlary we diodlary we beýleki enjamlary öndürmek üçin amatlydyr.

RF elektron enjamlary (ýarym izolýasiýa): Silikon Karbid substratlary ýokary geçiş tizligine we güýç çydamlylygyna eýe, RF güýç güýçlendirijileri, mikrotolkun enjamlary we ýokary ýygylykly wyklýuçateller ýaly programmalar üçin amatly.

Optoelektron enjamlary (ýarym izolýasiýa): Silikon karbid substratlary fotodiodlary, gün öýjüklerini we lazer diodlaryny we beýleki enjamlary ýasamak üçin giň energiýa boşlugyna we ýokary ýylylyk durnuklylygyna eýe.

Temperatura datçikleri (geçiriji): Silikon karbid substratlary ýokary ýylylyk geçirijiligi we ýylylyk durnuklylygy, ýokary temperatura datçiklerini we temperaturany ölçemek gurallaryny öndürmek üçin amatly.

Silikon karbid geçiriji we ýarym izolýasiýa substratlaryny öndürmek prosesi we ulanylyşy, elektron enjamlaryny we kuwwat enjamlaryny ösdürmek üçin täze mümkinçilikleri döredýän giň meýdanlara we potensiala eýe.