8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer Geçirijili gözleg derejesi

Gysga düşündiriş:

Ulag, energiýa we senagat bazarlarynyň ösmegi bilen ygtybarly, ýokary öndürijilikli elektronikalara bolan isleg artýar.Icarymgeçirijiniň öndürijiligini gowulandyrmak üçin zerurlyklary kanagatlandyrmak üçin enjam öndürijileri 4H n görnüşli kremniy karbid (SiC) wafli 4H SiC Prime Grade portfelimiz ýaly giň zolakly ýarymgeçiriji materiallara göz aýlaýarlar.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Özboluşly fiziki we elektroniki aýratynlyklary sebäpli 200 mm SiC wafli ýarymgeçiriji material ýokary öndürijilikli, ýokary temperaturaly, radiasiýa çydamly we ýokary ýygylykly elektron enjamlaryny döretmek üçin ulanylýar.Tehnologiýa has ösüp, isleg artdygyça 8inch SiC substrat bahasy kem-kemden peselýär.Soňky tehnologiýa ösüşleri 200mm SiC wafli önümçiliginiň göwrümli önümçiligine getirýär.Si we GaAs wafli bilen deňeşdirilende SiC wafli ýarymgeçiriji materiallaryň esasy artykmaçlyklary: Güýç döwülende 4H-SiC elektrik meýdanynyň güýji Si we GaAs üçin degişli bahalardan has ýokary ululyk tertibinden has ýokarydyr.Bu, Ron döwletiň garşylygy ep-esli peselmegine getirýär.Pes derejeli garşylyk, ýokary tok dykyzlygy we ýylylyk geçirijiligi bilen utgaşyp, elektrik enjamlary üçin gaty kiçi ölü ulanmaga mümkinçilik berýär.SiC-iň ýokary ýylylyk geçirijiligi çipiň ýylylyk garşylygyny peseldýär.SiC wafli esasly enjamlaryň elektron häsiýetleri wagtyň geçmegi bilen we önümleriň ýokary ygtybarlylygyny üpjün edýän temperatura durnuklylygy boýunça gaty durnukly.Silikon karbid, çipiň elektron häsiýetlerini pese gaçyrmaýan gaty radiasiýa garşy örän çydamly.Kristalyň ýokary çäklendiriji iş temperaturasy (6000C-den gowrak) size agyr iş şertleri we ýörite programmalar üçin ýokary ygtybarly enjamlary döretmäge mümkinçilik berýär.Häzirki wagtda 200mmSiC wafli yzygiderli we yzygiderli üpjün edip bileris we ammarda birneme paý alyp bileris.

Spesifikasiýa

San Haryt Bölüm Önümçilik Gözleg Dummy
1. Parametrler
1.1 polip görnüşi -- 4H 4H 4H
1.2 ýerüsti ugry ° <11-20> 4 ± 0,5 <11-20> 4 ± 0,5 <11-20> 4 ± 0,5
2. Elektrik parametri
2.1 dopant -- n görnüşli azot n görnüşli azot n görnüşli azot
2.2 garşylyk ohm · sm 0.015 ~ 0.025 0.01 ~ 0.03 NA
3. Mehaniki parametr
3.1 diametri mm 200 ± 0.2 200 ± 0.2 200 ± 0.2
3.2 galyňlygy μm 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25
3.3 Kesgitleýiş ugry ° [1- 100] ± 5 [1- 100] ± 5 [1- 100] ± 5
3.4 Çuňlugyň çuňlugy mm 1 ~ 1.5 1 ~ 1.5 1 ~ 1.5
3.5 LTV μm ≤5 (10mm * 10mm) ≤5 (10mm * 10mm) ≤10 (10mm * 10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 μm -25 ~ 25 -45 ~ 45 -65 ~ 65
3.8 Warp μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0.2 Ra≤0.2 Ra≤0.2
4. Gurluş
4.1 mikrop turbanyň dykyzlygy ea / cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 metal düzümi atomlar / cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea / cm2 ≤500 0001000 NA
4.4 BPD ea / cm2 0002000 ≤5000 NA
4.5 TED ea / cm2 0007000 ≤10000 NA
5. Oňyn hil
5.1 öň -- Si Si Si
5.2 ýerüsti gutarmak -- Si-ýüzli CMP Si-ýüzli CMP Si-ýüzli CMP
5.3 bölejik wafli ≤100 (ululygy≥0.3μm) NA NA
5.4 dyrna wafli ≤5, Jemi Uzynlygy200mm NA NA
5.5 Gyrasy
çipler / indentler / çatryklar / tegmiller / hapalanma
-- Hiç Hiç NA
5.6 Polip görnüşleri -- Hiç Meýdany ≤10% Meýdany ≤30%
5.7 öň bellik -- Hiç Hiç Hiç
6. Yzky hil
6.1 Yza -- C ýüzli deputat C ýüzli deputat C ýüzli deputat
6.2 dyrna mm NA NA NA
6.3 Yzky kemçilikler
çipler / görkezijiler
-- Hiç Hiç NA
6.4 Yzky gödeklik nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Yzky bellik -- Notch Notch Notch
7. Gyrasy
7.1 gyrasy -- Çamfer Çamfer Çamfer
8. Bukja
8.1 gaplamak -- Wakuum bilen epi taýýar
gaplamak
Wakuum bilen epi taýýar
gaplamak
Wakuum bilen epi taýýar
gaplamak
8.2 gaplamak -- Köp wafli
kaseta gaplamak
Köp wafli
kaseta gaplamak
Köp wafli
kaseta gaplamak

Jikme-jik diagramma

8inch SiC03
8inch SiC4
8inch SiC5
8inch SiC6

  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň