Substrat
-
3 dýuým Diametri 76.2 mm sapfir wafer 0.5 mm galyňlykdaky C-tekizlik SSP
-
8 дюймlyk silikon wafer P/N görnüşli (100) 1-100Ω gaýtadan işleýän substrat
-
MOS ýa-da SBD üçin 4 дюйм SiC Epi wafer
-
12 дюйм Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP
-
2 дюйм 50.8 mm silikon wafer FZ N-Type SSP
-
2 dýuýmlyk SiC külçesi Diametri 50.8mmx10mmt 4H-N monokristal
-
200kg C-tekizlik Saphire boule 99.999% 99.999% monokristal KY usuly
-
4 дюймlyk silikon wafer FZ CZ N-tipli DSP ýa-da SSP synag derejesi
-
4 dýuýmlyk SiC Wafers 6H Ýarym izolýasiýaly SiC substratlary esasy, ylmy we nusgawy
-
6 dýuýmlyk HPSI SiC substrat waferi Silikon karbid ýarym kemsidiji SiC waferleri
-
4 дюймlyk ýarym kemsidiji SiC waferleri HPSI SiC substraty Esasy önümçilik derejesi
-
3 дюйм 76.2 mm 4H-Ýarym SiC substrat waferi Silikon Karbid Ýarym kemsidiji SiC waferleri