AI / AR äýnekleri üçin HPSI SiC Wafer ≥90% Geçiriş optiki bahasy

AI / AR äýnekli aýratyn surat üçin HPSI SiC Wafer ≥90% geçiriş optiki bahasy

Gysga düşündiriş:

Parametr	Baha	4-inç substrat	6-inç substrat
Diametri	Z synp / D synp	99,5 mm - 100.0 mm	149,5 mm - 150.0 mm
Poli görnüşli	Z synp / D synp	4H	4H
Galyňlyk	Z Bahasy	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Galyňlyk	D synp	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Wafer ugry	Z synp / D synp	Okda: <0001> ± 0,5 °	Okda: <0001> ± 0,5 °
Mikrop turbanyň dykyzlygy	Z Bahasy	≤ 1 sm²	≤ 1 sm²
Mikrop turbanyň dykyzlygy	D synp	≤ 15 sm²	≤ 15 sm²
Çydamlylyk	Z Bahasy	≥ 1E10 Ω · sm	≥ 1E10 Ω · sm
Çydamlylyk	D synp	≥ 1E5 Ω · sm	≥ 1E5 Ω · sm

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklary

Esasy giriş: HPSI SiC wafli AI / AR äýnegindäki roly

HPSI (Pokary arassa ýarym izolýasiýa) Silikon Karbid wafli ýokary garşylyk (> 10⁹ Ω · sm) we aşa pes kemçilik dykyzlygy bilen häsiýetlendirilen ýöriteleşdirilen wafli. AI / AR äýneklerinde, esasan, inçe we ýeňil görnüş faktorlary, ýylylygyň ýaýramagy we optiki öndürijilik nukdaýnazaryndan adaty optiki materiallar bilen baglanyşykly päsgelçilikleri çözüp, difraktiw optiki tolkun gorag linzalary üçin esasy substrat material bolup hyzmat edýär. Mysal üçin, SiC tolkun gorag linzalaryny ulanýan AR äýnekleri, bir linza gatlagynyň galyňlygyny bary-ýogy 0,55 mm we agramy bary-ýogy 2,7g çenli azaldyp, 70 ° –80 ° ululykda giň meýdana (FOV) ýetip biler, rahatlygy we wizual çümdürmegi ep-esli ýokarlandyrar.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_ 副本 _ 副本

Esasy häsiýetnamalary: SiC materialy AI / AR äýnek dizaýnyna nädip güýç berýär

Refrokary refraktiw görkeziji we optiki öndürijilik optimizasiýasy

SiC-iň refraktiw görkezijisi (2.6–2.7) adaty aýnadan (1.8–2.0) 50% ýokarydyr. Bu, FOV-ny ep-esli giňeldip, has inçe we has täsirli tolkun gorag gurluşlaryna mümkinçilik berýär. Refrokary refraktiw görkeziji, difraktiw tolkun goragçylarynda giňden ýaýran "älemgoşaryň täsirini" basyp, şekiliň arassalygyny ýokarlandyrmaga kömek edýär.

Aýratyn ýylylyk dolandyryş ukyby

490 W / m · K (misiňkä ýakyn) ýylylyk geçirijiligi bilen, SiC Micro-LED displeý modullary tarapyndan döredilen ýylylygy çalt ýaýradyp biler. Bu, ýokary temperatura sebäpli öndürijiligiň peselmeginiň ýa-da enjamyň garramagynyň öňüni alýar, batareýanyň uzak ömrüni we ýokary durnuklylygyny üpjün edýär.

Mehaniki güýç we çydamlylyk

SiC-de Mohs gatylygy 9.5 (göwherden soň ikinji) bolup, ýygy-ýygydan ulanylýan sarp ediş äýnegi üçin ajaýyp dyzma garşylygy hödürleýär. Surfaceerüsti çişligini Ra <0,5 nm bilen dolandyryp bolýar, tolkun goragçylarynda pes ýitgini we ýokary birmeňzeş ýagtylygy üpjün edýär.

Elektrik eýeçiliginiň laýyklygy

HPSI SiC garşylygy (> 10⁹ Ω · sm) signalyň päsgelçiliginiň öňüni almaga kömek edýär. Şeýle hem, AR äýnegindäki güýç dolandyryş modullaryny optimizirläp, täsirli güýç enjamy materialy bolup biler.

Esasy anketa görkezmeleri

AI / AR aýnasy üçin esasy optiki komponentlers

Diffraktiw tolkun linzalary: SiC substratlary uly FOV-ny goldaýan we älemgoşaryň täsirini ýok etmek üçin ultra inçe optiki tolkun gollanmalaryny döretmek üçin ulanylýar.
Penjire plitalary we prizmalar: customörite kesilen we ýalpyldawuk görnüşde, SiC gorag penjirelerine ýa-da AR äýnegi üçin optiki prizmalara gaýtadan işlenip, ýagtylygyň geçişini we könelmegine garşylygy güýçlendirip biler.

Beýleki ugurlarda giňeldilen programmalar

Power Electronics: Täze energiýa ulagynyň inwertorlary we senagat hereketlendirijileri ýaly ýokary ýygylykly, ýokary güýçli ssenariýalarda ulanylýar.
Kwant optikasy: Kwant aragatnaşygy we duýgur enjamlary üçin substratlarda ulanylýan reňk merkezleriniň öý eýesi hökmünde çykyş edýär.

4 Inç & 6 Inch HPSI SiC substrat spesifikasiýa deňeşdirmesi

Parametr	Baha	4-inç substrat	6-inç substrat
Diametri	Z synp / D synp	99,5 mm - 100.0 mm	149,5 mm - 150.0 mm
Poli görnüşli	Z synp / D synp	4H	4H
Galyňlyk	Z Bahasy	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Galyňlyk	D synp	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Wafer ugry	Z synp / D synp	Okda: <0001> ± 0,5 °	Okda: <0001> ± 0,5 °
Mikrop turbanyň dykyzlygy	Z Bahasy	≤ 1 sm²	≤ 1 sm²
Mikrop turbanyň dykyzlygy	D synp	≤ 15 sm²	≤ 15 sm²
Çydamlylyk	Z Bahasy	≥ 1E10 Ω · sm	≥ 1E10 Ω · sm
Çydamlylyk	D synp	≥ 1E5 Ω · sm	≥ 1E5 Ω · sm
Esasy kwartira	Z synp / D synp	(10-10) ± 5.0 °	(10-10) ± 5.0 °
Esasy tekizlik uzynlygy	Z synp / D synp	32,5 mm ± 2,0 mm	Notch
Ikinji tekizlik uzynlygy	Z synp / D synp	18.0 mm ± 2,0 mm	-
Gyradan çykarmak	Z synp / D synp	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp	Z Bahasy	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Bow / Warp	D synp	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Gödeklik	Z Bahasy	Polýak Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polýak Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
Gödeklik	D synp	Polýak Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polýak Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Gyrasy	D synp	Toplum meýdany ≤ 0,1%	Jemi uzynlygy ≤ 20 mm, ýeke ≤ 2 mm
Polip görnüşleri	D synp	Toplum meýdany ≤ 0,3%	Toplum meýdany ≤ 3%
Wizual uglerod goşulmalary	Z Bahasy	Toplum meýdany ≤ 0.05%	Toplum meýdany ≤ 0.05%
Wizual uglerod goşulmalary	D synp	Toplum meýdany ≤ 0,3%	Toplum meýdany ≤ 3%
Silikon üstündäki çyzgylar	D synp	5 rugsat berildi, hersi ≤1mm	Jemi uzynlygy ≤ 1 x diametri
Gyrasy çipleri	Z Bahasy	Hiç birine rugsat berilmedi (ini we çuňlugy ≥0.2mm)	Hiç birine rugsat berilmedi (ini we çuňlugy ≥0.2mm)
Gyrasy çipleri	D synp	7 rugsat berildi, hersi ≤1mm	7 rugsat berildi, hersi ≤1mm
Nurbatlaryň ýerleşdirilmegi	Z Bahasy	-	≤ 500 sm²
Gaplamak	Z synp / D synp	Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner	Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner

XKH Hyzmatlary: Toplumlaýyn önümçilik we özleşdirmek mümkinçilikleri

XKH kompaniýasy, çig maldan taýýar wafli çenli dik integrasiýa mümkinçiliklerine eýedir, SiC substratyň ösüşiniň ähli zynjyryny, dilimlemegi, ýalpyldawuk we adaty gaýtadan işlemegi öz içine alýar. Hyzmatyň esasy artykmaçlyklary şulary öz içine alýar:

Maddy dürlüligi:4H-N görnüşi, 4H-HPSI görnüşi, 4H / 6H-P görnüşi we 3C-N görnüşi ýaly dürli wafli görnüşleri berip bileris. Çydamlylyk, galyňlyk we ugry talaplara görä sazlap bolýar.
?Çeýe ululygy özleşdirmek:2 dýuýmdan 12 dýuým diametre çenli wafli gaýtadan işlemegi goldaýarys, şeýle hem inedördül bölekler (mysal üçin, 5x5mm, 10x10mm) we tertipsiz prizmalar ýaly ýörite gurluşlary gaýtadan işläp bileris.
Optiki derejeli takyklyk gözegçiligi:Waferiň umumy galyňlygynyň üýtgemegi (TTV) <1μm, we Ra <0.3 nm-de ýerüsti çişlik tolkun gorag enjamlary üçin nano derejeli tekizlik talaplaryna laýyk bolup biler.
Bazara çalt jogap:Toplumlaýyn işewürlik modeli, gözleg-barlag işinden köpçülikleýin önümçilige netijeli geçmegi üpjün edýär, kiçi partiýany barlamakdan uly göwrümli iberişlere çenli (gurşun wagty adatça 15-40 gün).

HPSI SiC Waferiň soraglary

1-nji sorag: HPSI SiC näme üçin AR tolkun linzalary üçin ideal material hasaplanýar?
A1: Onuň ýokary refraktiw görkezijisi (2.6–2.7), "älemgoşaryň täsirini" ýok etmek bilen has giň meýdany (meselem, 70 ° –80 °) goldaýan has inçe we has täsirli tolkun gorag gurluşlaryna mümkinçilik berýär.
2-nji sorag: HPSI SiC AI / AR äýneklerinde ýylylyk dolandyryşyny nädip gowulandyrýar?
A2: 490 W / m · K (mise ýakyn) ýylylyk geçirijiligi bilen, mikro-LED ýaly komponentlerden ýylylygy netijeli bölüp, durnukly işlemegi we enjamyň uzak ömrüni üpjün edýär.
3-nji sorag: HPSI SiC geýilýän äýnek üçin haýsy çydamlylyk artykmaçlyklaryny hödürleýär?
A3: Adatdan daşary gatylygy (Mohs 9.5) ýokary dyrma garşylygy üpjün edýär we sarp ediji derejeli AR äýneklerinde gündelik ulanmak üçin ýokary çydamly edýär.