AI/AR gözlükleri üçin HPSI SiC Wafer ≥90% geçirgenlik optiki derejesi

AI/AR gözlükleri üçin HPSI SiC Wafer ≥90% geçirijilik optiki derejesi Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

Parametr	Dereje	4 dýuýmlyk substrat	6 dýuýmlyk substrat
Diametr	Z derejeli / D derejeli	99.5 mm – 100.0 mm	149.5 mm – 150.0 mm
Poli görnüşli	Z derejeli / D derejeli	4H	4H
Galyňlygy	Z derejeli	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Galyňlygy	D derejesi	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Wafer ugry	Z derejeli / D derejeli	Ok boýunça: <0001> ± 0.5°	Ok boýunça: <0001> ± 0.5°
Mikrotrubanyň dykyzlygy	Z derejeli	≤ 1 sm²	≤ 1 sm²
Mikrotrubanyň dykyzlygy	D derejesi	≤ 15 sm²	≤ 15 sm²
Garşylyklylyk	Z derejeli	≥ 1E10 Ω·sm	≥ 1E10 Ω·sm
Garşylyklylyk	D derejesi	≥ 1E5 Ω·sm	≥ 1E5 Ω·sm

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Esasy Giriş: AI/AR äýneklerinde HPSI SiC plitalarynyň roly

HPSI (Ýokary Arassalyk Ýarym Izolýasiýaly) Kremniý Karbid plitalary ýokary garşylyk (>10⁹ Ω·sm) we örän pes kemçilik dykyzlygy bilen häsiýetlendirilýän ýöriteleşdirilen plitalardyr. AI/AR äýneklerinde olar, esasan, difraksiýa optiki tolkun geçiriji linzalar üçin esasy substrat materialy hökmünde hyzmat edýär we inçe we ýeňil forma faktorlary, ýylylyk ýaýramagy we optiki öndürijilik babatda däp bolan optiki materiallar bilen baglanyşykly kynçylyklary çözýär. Mysal üçin, SiC tolkun geçiriji linzalaryny ulanýan AR äýnekleri 70°–80° ultra giň görüş meýdanyna (FOV) ýetip bilýär, şol bir wagtyň özünde bir linza gatlagynyň galyňlygyny diňe 0,55 mm-e we agramyny diňe 2,7 g-e çenli azaldýar, bu bolsa geýmek rahatlygyny we görme çümdürilişini ep-esli ýokarlandyrýar.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_ 副本 _ 副本

Esasy häsiýetnamalar: SiC materialy AI/AR gözlükleriniň dizaýnyny nähili güýçlendirýär

Ýokary Refraktiv Indeksi we Optiki Işleýiş Optimizasiýasy

SiC-niň döwülme görkezijisi (2.6–2.7) adaty aýnanyňkydan (1.8–2.0) tas 50% ýokarydyr. Bu bolsa has inçe we has netijeli tolkun geçiriji gurluşlary döretmäge mümkinçilik berýär we FOV-ny ep-esli giňeldýär. Ýokary döwülme görkezijisi şeýle hem difraktiw tolkun geçirijilerinde duş gelýän "gökguşak täsirini" basyp ýatyrmaga kömek edýär we surat arassalygyny ýokarlandyrýar.

Ajaýyp Termal Dolandyryş Ukyby

490 W/m·K (misiňki ýaly) ýaly ýokary ýylylyk geçirijiligi bilen SiC, Micro-LED displeý modullary tarapyndan öndürilýän ýylylygy çalt ýaýradyp bilýär. Bu bolsa, ýokary temperatura sebäpli öndürijiligiň peselmeginiň ýa-da enjamyň könelmeginiň öňüni alýar, batareýanyň uzak wagtlap ömrün we ýokary durnuklylygy üpjün edýär.

Mehaniki berklik we çydamlylyk

SiC 9.5 Mohs gatylygyna eýedir (almazdan soň ikinji orunda durýar), bu bolsa dyrnaklara ajaýyp garşylyk görkezýär, bu bolsa ony köp ulanylýan sarp ediji äýnekleri üçin ideal edýär. Onuň ýüzüniň nagyşlygyny Ra < 0.5 nm çenli gözegçilik edip bolýar, bu bolsa tolkun geçirijilerinde az ýitgili we ýokary derejede deň derejede ýagtylyk geçirijiligini üpjün edýär.

Elektrik emläkleriniň gabat gelmegi

HPSI SiC-niň garşylygy (>10⁹ Ω·sm) signalyň päsgelçilikleriniň öňüni almaga kömek edýär. Şeýle hem, ol AR gözlüklerinde energiýa dolandyryş modullaryny optimizirlemek bilen netijeli energiýa enjamynyň materialy hökmünde hyzmat edip biler.

Esasy arza görkezmeleri

AI/AR aýnasy üçin esasy optiki komponentlers

Diffraktiw tolkun geçiriji linzalar: SiC substratlary uly FOV-y goldaýan we gökguşak täsirini ýok edýän ultra inçe optiki tolkun geçirijilerini döretmek üçin ulanylýar.
Penjire plitalary we prizmalar: Özboluşly kesmek we jylamak arkaly SiC AR äýnekleri üçin gorag penjirelerine ýa-da optiki prizmalara gaýtadan işlenilip, ýagtylygyň geçirijiligini we aşynma garşylygyny ýokarlandyryp bilner.

Beýleki ugurlarda giňeldilen ulanylyşlar

Güýçli elektronika: Täze energiýa ulaglarynyň inwertorlary we senagat motorlarynyň dolandyryş ulgamlary ýaly ýokary ýygylykly, ýokary kuwwatly ýagdaýlarda ulanylýar.
Kwantum Optikasy: Kwantum aragatnaşygy we duýujy enjamlar üçin substratlarda ulanylýan reňk merkezleri üçin eýe hökmünde hereket edýär.

4 dýuým we 6 dýuým HPSI SiC substratynyň aýratynlyklaryny deňeşdirmek

Parametr	Dereje	4 dýuýmlyk substrat	6 dýuýmlyk substrat
Diametr	Z derejeli / D derejeli	99,5 mm - 100,0 mm	149.5 mm - 150.0 mm
Poli görnüşli	Z derejeli / D derejeli	4H	4H
Galyňlygy	Z derejeli	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Galyňlygy	D derejesi	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Wafer ugry	Z derejeli / D derejeli	Ok boýunça: <0001> ± 0.5°	Ok boýunça: <0001> ± 0.5°
Mikrotrubanyň dykyzlygy	Z derejeli	≤ 1 sm²	≤ 1 sm²
Mikrotrubanyň dykyzlygy	D derejesi	≤ 15 sm²	≤ 15 sm²
Garşylyklylyk	Z derejeli	≥ 1E10 Ω·sm	≥ 1E10 Ω·sm
Garşylyklylyk	D derejesi	≥ 1E5 Ω·sm	≥ 1E5 Ω·sm
Esasy tekizlik ugry	Z derejeli / D derejeli	(10-10) ± 5.0°	(10-10) ± 5.0°
Esasy tekiz uzynlyk	Z derejeli / D derejeli	32,5 mm ± 2,0 mm	Notch
Ikinji derejeli tekiz uzynlyk	Z derejeli / D derejeli	18.0 mm ± 2.0 mm	-
Gyra çykaryşy	Z derejeli / D derejeli	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp	Z derejeli	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Bow / Warp	D derejesi	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Gödeklik	Z derejeli	Polşa Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm	Polşa Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm
Gödeklik	D derejesi	Polşa Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm	Polşa Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.5 nm
Gyra çatlaklary	D derejesi	Jemi meýdan ≤ 0.1%	Jemi uzynlyk ≤ 20 mm, ýeke ≤ 2 mm
Politip sebitleri	D derejesi	Jemi meýdan ≤ 0.3%	Jemi meýdan ≤ 3%
Görsel uglerod goşulmalary	Z derejeli	Jemi meýdan ≤ 0.05%	Jemi meýdan ≤ 0.05%
Görsel uglerod goşulmalary	D derejesi	Jemi meýdan ≤ 0.3%	Jemi meýdan ≤ 3%
Kremniýiň ýüzündäki çyzyklary	D derejesi	5 rugsat berilýär, her biri ≤1mm	Jemi uzynlyk ≤ 1 x diametr
Gyra bölekleri	Z derejeli	Hiç birine rugsat berilmeýär (ini we çuňlugy ≥0.2 mm)	Hiç birine rugsat berilmeýär (ini we çuňlugy ≥0.2 mm)
Gyra bölekleri	D derejesi	7 rugsat berilýär, her biri ≤1mm	7 rugsat berilýär, her biri ≤1mm
Rewişli wintiň çykarylyşy	Z derejeli	-	≤ 500 sm²
Gaplama	Z derejeli / D derejeli	Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap	Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap

XKH hyzmatlary: Integrasiýalaşdyrylan önümçilik we özleşdirme mümkinçilikleri

XKH kompaniýasy çig mallardan başlap, taýýar waferlere çenli wertikal integrasiýa mümkinçiliklerine eýe bolup, SiC substratynyň ösdürilmeginiň, dilimlenmeginiň, jylaňlanmagynyň we ýörite işlenişiniň tutuş zynjyryny öz içine alýar. Hyzmatyň esasy artykmaçlyklary:

Materiallaryň dürlüligi:Biz 4H-N görnüşli, 4H-HPSI görnüşli, 4H/6H-P görnüşli we 3C-N görnüşli dürli wafer görnüşlerini hödürläp bileris. Garşylyk, galyňlyk we ugur talaplara laýyklykda sazlanyp bilner.
?Çeýe ölçegli özelleşdirme:Biz 2 dýuýmdan 12 dýuým diametre çenli wafer işlemegini goldaýarys, şeýle hem kwadrat bölekleri (meselem, 5x5mm, 10x10mm) we düzgünsiz prizmalar ýaly ýörite gurluşlary işläp bilýäris.
Optiki derejeli takyklyk gözegçiligi:Waferiň umumy galyňlygynyň üýtgemesini (TTV) <1μm, ýüzüniň pyradylygyny bolsa Ra < 0.3 nm derejesinde saklap bolýar, bu bolsa tolkun geçiriji enjamlar üçin nano derejeli tekizlik talaplaryna laýyk gelýär.
Bazaryň çalt jogaby:Integrasiýalaşdyrylan biznes modeli ylmy-barlag we işläp taýýarlama işlerinden köpçülikleýin önümçilige netijeli geçmegi üpjün edýär, kiçi tapgyrly barlaglardan başlap, uly göwrümli iberişlere çenli ähli zady goldaýar (alyp baryş wagty adatça 15-40 gün).

HPSI SiC Wafer barada köp berilýän soraglar

S1: HPSI SiC näme üçin AR tolkun geçiriji linzalary üçin ideal material hasaplanýar?
A1: Onuň ýokary syndyryş görkezijisi (2.6–2.7) has uly görüş meýdanyny (meselem, 70°–80°) goldaýan inçe, has netijeli tolkun geçiriji gurluşlary döretmäge mümkinçilik berýär we şol bir wagtyň özünde "gökguşak täsirini" aradan aýyrýar.
S2: HPSI SiC AI/AR äýneklerinde termal dolandyryşy nähili gowulandyrýar?
A2: 490 W/m·K çenli (mis ýaly) ýylylyk geçirijiligi bilen, ol Mikro-LED ýaly komponentlerden çykýan ýylylygy netijeli ýaýradýar, bu bolsa durnukly işlemegi we enjamyň has uzak ömrüni üpjün edýär.
S3: HPSI SiC geýilýän gözlükler üçin nähili berklik artykmaçlyklaryny hödürleýär?
A3: Onuň ajaýyp berkligi (Mohs 9.5) dyrnaklara garşy ýokary derejeli çyzyklara garşylyk görkezýär, bu bolsa ony sarp edijiler üçin niýetlenen AR gözlüklerinde gündelik ulanmak üçin örän berk edýär.