4H-ýarym HPSI 2inç SiC substrat wafer önümçilik üçin niýetlenen ylmy-barlag derejesi

Kremniý karbid substraty esasan geçiriji we ýarym izolýasiýa görnüşli bolup bölünýär, geçiriji kremniý karbid substratyndan n-tipli substrata, esasan, epitaksial GaN esasly LED we beýleki optoelektron enjamlar, SiC esasly elektrik elektron enjamlary we ş.m. üçin ulanylýar, ýarym izolýasiýaly SiC kremniý karbid substraty bolsa esasan GaN ýokary kuwwatly radio ýygylykly enjamlaryň epitaksial önümçiligi üçin ulanylýar. Mundan başga-da, ýokary arassa ýarym izolýasiýa HPSI we SI ýarym izolýasiýalary tapawutlanýar, ýokary arassa ýarym izolýasiýa göteriji konsentrasiýasy 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015 / sm3 aralygynda, ýokary elektron hereketliligi bilen; ýarym izolýasiýa ýokary garşylykly materiallardyr, garşylygy örän ýokary, adatça mikrotolkunly enjam substratlary üçin ulanylýar, geçiriji däl.

Ýarym izolýasiýaly kremniý karbid substrat list SiC wafer

SiC kristal gurluşy onuň fiziki häsiýetlerini kesgitleýär, Si we GaAs bilen deňeşdirilende, SiC fiziki häsiýetleri üçin; gadagan edilen zolak giňligi uly, Si-den 3 esse golaý, bu enjamyň uzak möhletli ygtybarlylykda ýokary temperaturada işlemegini üpjün edýär; döwülme meýdanynyň güýji ýokary, Si-den 10 esse uly, bu enjamyň naprýaženiýe kuwwatyny üpjün edýär, enjamyň naprýaženiýe gymmatyny ýokarlandyrýar; doýgun elektron tizligi uly, Si-den 2 esse uly, bu enjamyň ýygylygyny we güýç dykyzlygyny artdyrýar; ýylylyk geçirijiligi ýokary, Si-den köp, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, Si-den köp, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary, Si-den köp, ýylylyk geçirijiligi ýokary, ýylylyk geçirijiligi ýokary. Ýokary ýylylyk geçirijiligi, Si-den 3 esse köp, bu enjamyň ýylylyk ýaýratma kuwwatyny artdyrýar we enjamyň kiçileşdirilmegini amala aşyrýar.