SiC substrat P-tipli 4H/6H-P 3C-N 4 dýuým, galyňlygy 350 um. Önümçilik derejesi. Ýalan derejeli.
4 dýuýmlyk SiC substrat P-tipli 4H/6H-P 3C-N parametr tablisasy
4 dýuým diametrli silikonKarbid (SiC) substraty Spesifikasiýa
| Dereje | Nol MPD önümçiligi Dereje (Z) Dereje) | Standart önümçilik Dereje (P) Dereje) | Ýalan derejeli (D Dereje) | ||
| Diametr | 99.5 mm ~ 100.0 mm | ||||
| Galyňlygy | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Wafer ugry | Okdan daşary: [11] tarap 2.0°-4.0°20] 4H/6H- üçin ± 0.5°P, On ok: 3C-N üçin〈111〉± 0.5° | ||||
| Mikrotrubanyň dykyzlygy | 0 sm-2 | ||||
| Garşylyklylyk | p-tipli 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏsm | ≤0.3 Ωꞏcm | ||
| n-tipli 3C-N | ≤0.8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏsm | |||
| Esasy Tekizlik Ugury | 4H/6H-P | - {1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5.0° | ||||
| Esasy tekiz uzynlyk | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Ikinji derejeli tekiz uzynlyk | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||||
| Ikinji derejeli tekizlik ugry | Silikon ýüzüni ýokaryk galdyrmak: Prime flat-dan 90° CW.±5.0° | ||||
| Gyra çykarylyşy | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Göwünsizlik | Polşa Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Ýokary intensiwli çyranyň gyralarynyň çatlamagy | Hiç hili | Jemi uzynlyk ≤ 10 mm, ýeke uzynlyk ≤ 2 mm | |||
| Ýokary intensiwli çyra arkaly altyburçluk plitalar | Jemi meýdan ≤0.05% | Jemi meýdan ≤0.1% | |||
| Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary | Hiç hili | Jemi meýdan ≤3% | |||
| Wizual uglerod goşulmalary | Jemi meýdan ≤0.05% | Jemi meýdan ≤3% | |||
| Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň | Hiç hili | Jemi uzynlyk ≤1 × wafer diametri | |||
| Ýokary derejeli intensiwlikli çyranyň gyra çipleri | ≥0.2 mm giňlik we çuňluk rugsat berilmeýär | 5 rugsat berilýär, her biri ≤1 mm | |||
| Ýokary intensiwlik bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy | Hiç hili | ||||
| Gaplama | Köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap | ||||
Bellikler:
※Kemçilikleriň çäklendirmeleri gyrasynyň aýrylýan ýerinden başga, plastilin ýüzüniň tutuşyna degişlidir. # Çyzgylar diňe Si ýüzünde barlanmalydyr.
Galyňlygy 350 μm bolan P-tipli 4H/6H-P 3C-N 4 dýuýmly SiC substraty ösen elektron we güýç enjamlarynyň önümçiliginde giňden ulanylýar. Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi, ýokary döwülme naprýaženiýesi we ekstremal gurşawlara güýçli garşylygy bilen bu substrat ýokary woltly açarlar, inwertorlar we RF enjamlary ýaly ýokary öndürijilikli güýç elektronikasy üçin idealdyr. Önümçilik derejeli substratlar uly möçberli önümçilikde ulanylýar, bu bolsa güýç elektronikasy we ýokary ýygylykly ulanylyşlar üçin möhüm bolan ygtybarly, ýokary takyklykly enjamyň işini üpjün edýär. Beýleki tarapdan, galyň derejeli substratlar, esasan, prosesleriň kalibrlenmegi, enjamlary synagdan geçirmek we prototip işläp düzmek üçin ulanylýar, bu bolsa ýarymgeçiriji önümçilikde hil gözegçiligini we prosesleriň yzygiderliligini saklamaga kömek edýär.
Tehniki aýratynlyklar N-tipli SiC kompozit substratlarynyň artykmaçlyklary şulary öz içine alýar
- Ýokary ýylylyk geçirijiligiNetijeli ýylylyk ýaýradylmagy substraty ýokary temperaturada we ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin ideal edýär.
- Ýokary döwülme naprýaženiýesi: Güýç elektronikasynda we RF enjamlarynda ygtybarlylygy üpjün edip, ýokary woltly işlemegi goldaýar.
- Gaty güýçli gurşawlara garşylyk: Ýokary temperatura we aşyndyryjy gurşaw ýaly ekstremal şertlerde çydamly bolup, uzak möhletli işlemegi üpjün edýär.
- Önümçilik derejesindäki takyklyk: Ösen güýç we RF ulanylyşlary üçin amatly bolan uly möçberli önümçilikde ýokary hilli we ygtybarly işlemegi üpjün edýär.
- Synag üçin nusgawy derejeÖnümçilik derejeli waferlere zyýan ýetirmezden, takyk proses kalibrlemesini, enjamlary synagdan geçirmegi we prototipleşdirmegi üpjün edýär.
Umuman alanyňda, galyňlygy 350 μm bolan P-tipli 4H/6H-P 3C-N 4 dýuýmly SiC substraty ýokary öndürijilikli elektron ulanylyşlary üçin uly artykmaçlyklary hödürleýär. Onuň ýokary ýylylyk geçirijiligi we döwülme naprýaženiýesi ony ýokary kuwwatly we ýokary temperaturaly gurşawlar üçin ideal edýär, şol bir wagtyň özünde agyr şertlere garşylygy berkligi we ygtybarlylygy üpjün edýär. Önümçilik derejesindäki substrat güýç elektronikasynyň we RF enjamlarynyň uly möçberli önümçiliginde takyk we yzygiderli işlemegi üpjün edýär. Şol bir wagtyň özünde, maket derejesindäki substrat prosesleri kalibrlemek, enjamlary synagdan geçirmek we prototip düzmek üçin möhümdir, ýarymgeçiriji önümçilikde hil gözegçiligini we yzygiderliligi goldaýar. Bu aýratynlyklar SiC substratlaryny ösen ulanylyşlar üçin örän köpugurly edýär.
Jikme-jik diagramma
