P-tipli SiC plastinka 4H/6H-P 3C-N 6 dýuým galyňlygy 350 μm, esasy tekiz ugurly
Spesifikasiýalar 4H/6H-P Tipi SiC Kompozit Substratlary Umumy parametrler tablisasy
6 inç diametrli kremniý karbidi (SiC) substraty Spesifikasiýa
| Dereje | Nol MPD önümçiligiDereje (Z) Dereje) | Standart önümçilikDereje (P) Dereje) | Ýalan derejeli (D Dereje) | ||
| Diametr | 145.5 mm ~ 150.0 mm | ||||
| Galyňlygy | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Wafer ugry | -Offok: 4H/6H-P üçin [1120] tarap 2.0°-4.0° ± 0.5°, okda: 3C-N üçin 〈111〉± 0.5° | ||||
| Mikrotrubanyň dykyzlygy | 0 sm-2 | ||||
| Garşylyklylyk | p-tipli 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏsm | ≤0.3 Ωꞏcm | ||
| n-tipli 3C-N | ≤0.8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏsm | |||
| Esasy Tekizlik Ugury | 4H/6H-P | -{1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5.0° | ||||
| Esasy tekiz uzynlyk | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Ikinji derejeli tekiz uzynlyk | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||||
| Ikinji derejeli tekizlik ugry | Silikon ýüzüni ýokaryk galdyrmak: Prime tekizliginden ± 5.0° 90° CW | ||||
| Gyra çykarylyşy | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm | |||
| Göwünsizlik | Polşa Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Ýokary intensiwli çyranyň gyralarynyň çatlamagy | Hiç hili | Jemi uzynlyk ≤ 10 mm, ýeke uzynlyk ≤ 2 mm | |||
| Ýokary intensiwli çyra arkaly altyburçluk plitalar | Jemi meýdan ≤0.05% | Jemi meýdan ≤0.1% | |||
| Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary | Hiç hili | Jemi meýdan ≤3% | |||
| Wizual uglerod goşulmalary | Jemi meýdan ≤0.05% | Jemi meýdan ≤3% | |||
| Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň | Hiç hili | Jemi uzynlyk ≤1 × wafer diametri | |||
| Ýokary derejeli intensiwlikli çyranyň gyra çipleri | ≥0.2 mm giňlik we çuňluk rugsat berilmeýär | 5 rugsat berilýär, her biri ≤1 mm | |||
| Ýokary intensiwlik bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy | Hiç hili | ||||
| Gaplama | Köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap | ||||
Bellikler:
※ Kemçilikleriň çäklendirmeleri gyralary aýyrýan ýerden başga, plastilin ýüzüniň tutuşyna degişlidir. # Çyzgylar Si ýüzünde barlanmalydyr
6 dýuým ölçegli we 350 μm galyňlygy bolan P-tipli SiC plastinkasy, 4H/6H-P 3C-N, ýokary öndürijilikli elektrik elektronikasynyň senagat önümçiliginde möhüm rol oýnaýar. Onuň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we ýokary döwülme naprýaženiýesi ony elektrik ulaglary, elektrik ulgamlary we gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary ýaly ýokary temperaturaly gurşawlarda ulanylýan elektrik açarlary, diodlar we tranzistorlar ýaly bölekleri öndürmek üçin ideal edýär. Plakanyň agyr şertlerde netijeli işlemek ukyby ýokary energiýa dykyzlygyny we energiýa netijeliligini talap edýän senagat ulanylyşlarynda ygtybarly işlemegi üpjün edýär. Mundan başga-da, onuň esasy tekiz ugry enjam öndürilişi wagtynda takyk deňleşdirmäge kömek edýär, önümçiligiň netijeliligini we önümiň yzygiderliligini ýokarlandyrýar.
N-tipli SiC kompozit substratlarynyň artykmaçlyklary şulary öz içine alýar
- Ýokary ýylylyk geçirijiligiP-tipli SiC plitalary ýylylygy netijeli ýaýradýar, bu bolsa olary ýokary temperatura üçin amatly edýär.
- Ýokary döwülme naprýaženiýesi: Ýokary woltly täsirlere çydamly bolup, elektrik elektronikasynda we ýokary woltly enjamlarda ygtybarlylygy üpjün edýär.
- Gaty güýçli gurşawlara garşylykÝokary temperatura we aşyndyryjy gurşaw ýaly ekstremal şertlerde ajaýyp berklik.
- Netijeli energiýa öwrülişiP-tipli lehimleme energiýany netijeli ulanmagy ýeňilleşdirýär we plastinkany energiýany öwürmek ulgamlary üçin amatly edýär.
- Esasy Tekizlik UguryÖndüriş wagtynda takyk deňleşdirmegi üpjün edýär, enjamyň takyklygyny we yzygiderliligini ýokarlandyrýar.
- Inçe Gurluş (350 μm)Plastinkanyň iň gowy galyňlygy ösen, giňişlik çäklendirilen elektron enjamlara integrasiýany goldaýar.
Umuman alanyňda, P-tipli SiC plastinkasy, 4H/6H-P 3C-N, senagat we elektron ulanylyşlary üçin örän amatly edýän birnäçe artykmaçlyklary hödürleýär. Onuň ýokary ýylylyk geçirijiligi we döwülme naprýaženiýesi ýokary temperatura we ýokary naprýaženiýe gurşawlarynda ygtybarly işlemegi üpjün edýär, agyr şertlere garşylygy bolsa berkligi üpjün edýär. P-tipli goşma netijeli energiýa öwrülmegine mümkinçilik berýär, bu bolsa ony elektrik elektronikasy we energiýa ulgamlary üçin ideal edýär. Mundan başga-da, plastinkanyň esasy tekiz ugry önümçilik prosesinde takyk deňleşdirmegi üpjün edýär we önümçiligiň yzygiderliligini ýokarlandyrýar. 350 μm galyňlygy bilen, ösen, ykjam enjamlara integrasiýa üçin gowy amatlydyr.
Jikme-jik diagramma
