4H-N HPSI SiC wafli 6H-N 6H-P 3C-N SiC MOS ýa-da SBD üçin epitaksial wafli
SiC Substrate SiC Epi-wafer gysgaça
4H-N (n görnüşli geçiriji), 4H-P (p görnüşli geçiriji), 4H-HPSI (ýokary arassa ýarym izolýasiýa) we 6H-P (p görnüşli geçiriji) - diametri 4 ″, 6 ″ çenli 6 ″, 6 ″ çenli, 6H-P (p görnüşli geçiriji) ýaly ýokary hilli SiC substratlarynyň we köp sanly polif görnüşinde we doping profilinde doly portfel hödürleýäris. Arealaňaç substratlardan başga-da, goşulan epi wafli ösüş hyzmatlarymyz berk gözegçilik edilýän galyňlygy (1–20 mk), doping konsentrasiýalary we kemçilik dykyzlygy bilen epitaksial (epi) wafli berýär.
Her bir wafli we epi wafli ajaýyp kristal birmeňzeşligi we öndürijiligi üpjün etmek üçin berk içerki barlagdan (mikrop turbanyň dykyzlygy <0,1 sm⁻², ýeriň çişligi Ra <0.2 nm) we doly elektrik häsiýetnamasy (CV, garşylyk kartasy) geçirilýär. Kuwwatly elektronika modullary, ýokary ýygylykly RF güýçlendirijileri ýa-da optoelektron enjamlary (yşyklandyryjylar, fotodetektorlar) üçin ulanylsa-da, SiC substratymyz we epi wafli önüm liniýalarymyz häzirki döwrüň iň talap edilýän programmalary tarapyndan talap edilýän ygtybarlylygy, ýylylyk durnuklylygyny we bölüniş güýjüni üpjün edýär.
SiC Substrate 4H-N görnüşiniň häsiýetleri we ulanylyşy
-
4H-N SiC substrat politip (altyburç) gurluşy
26 3.26 eV giň zolakly ýokary temperatura we ýokary elektrik meýdan şertlerinde durnukly elektrik öndürijiligini we ýylylyk berkligini üpjün edýär.
-
SiC substratyN görnüşli doping
Takyk gözegçilik edilýän azot doping göterijiniň konsentrasiýasyny 1 × 10¹⁶-dan 1 × 10¹⁹ sm⁻³ we otag temperaturasynyň elektron hereketini ~ 900 sm² / V · s çenli berýär, bu bolsa geçiriji ýitgileri azaldýar.
-
SiC substratyGiň garşylyk we birmeňzeşlik
Elýeterli garşylyk aralygy 0.01–10 Ω · sm we dopingde we galyňlykda% 5% çydamlylygy bilen 350–650 mkm galyňlygy, ýokary güýçli enjam ýasamak üçin ideal.
-
SiC substratyUltra pes kemçilikli dykyzlyk
Mikrop turbanyň dykyzlygy <0,1 sm⁻² we bazal-tekizligiň ýerleşiş dykyzlygy <500 sm⁻², enjamyň öndürijiligini we ýokary kristal bitewiligini üpjün edýär.
- SiC substratyAýratyn ýylylyk geçirijiligi
0 370 W / m · K çenli ýylylyk geçirijiligi, ýylylygyň netijeli çykarylmagyny aňsatlaşdyrýar, enjamyň ygtybarlylygyny we güýç dykyzlygyny ýokarlandyrýar.
-
SiC substratyMaksatly programmalar
SiC MOSFETs, Schottky diodlary, elektrik ulaglary hereketlendirijileri, gün inwertorlary, senagat hereketlendirijileri, çekiş ulgamlary we beýleki talap edilýän güýç-elektronika bazarlary üçin güýç modullary we RF enjamlary.
6inch 4H-N görnüşli SiC wafli spesifikasiýasy | ||
| Emläk | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
| Baha | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
| Diametri | 149,5 mm - 150.0 mm | 149,5 mm - 150.0 mm |
| Poli görnüşli | 4H | 4H |
| Galyňlyk | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | Öçürilen ok: 4.11 ° <1120> ± 0,5 ° | Öçürilen ok: 4.11 ° <1120> ± 0,5 ° |
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | ≤ 0,2 sm² | ≤ 15 sm² |
| Çydamlylyk | 0.015 - 0.024 Ω · sm | 0.015 - 0.028 Ω · sm |
| Esasy kwartira ugry | [10-10] ± 50 ° | [10-10] ± 50 ° |
| Esasy tekizlik uzynlygy | 475 mm ± 2,0 mm | 475 mm ± 2,0 mm |
| Gyradan çykarmak | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TIV / Bow / Warp | ≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm |
| Gödeklik | Polýak Ra ≤ 1 nm | Polýak Ra ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0,2 nm | ≤ 0,5 nm |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar ýarylýar | Jemi uzynlygy ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm | Jemi uzynlygy ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm |
| Intokary intensiwlik bilen alty plastinka | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 0,1% |
| Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 3% |
| Wizual uglerod goşulmalary | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 5% |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary | Jemi uzynlygy ≤ 1 wafli diametri | |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri | Hiç birine ≥ 0,2 mm ini we çuňlugy rugsat berilmedi | 7 rugsat berildi, hersi mm 1 mm |
| Nurbatlaryň ýerleşdirilmegi | <500 sm³ | <500 sm³ |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü hapalanmagy | ||
| Gaplamak | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner |
8inch 4H-N görnüşli SiC wafli spesifikasiýasy | ||
| Emläk | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
| Baha | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
| Diametri | 199.5 mm - 200.0 mm | 199.5 mm - 200.0 mm |
| Poli görnüşli | 4H | 4H |
| Galyňlyk | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | 4.0 ° <110> ± 0,5 ° | 4.0 ° <110> ± 0,5 ° |
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | ≤ 0,2 sm² | ≤ 5 sm² |
| Çydamlylyk | 0.015 - 0.025 Ω · sm | 0.015 - 0.028 Ω · sm |
| Asylly ugur | ||
| Gyradan çykarmak | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TIV / Bow / Warp | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm |
| Gödeklik | Polýak Ra ≤ 1 nm | Polýak Ra ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0,2 nm | ≤ 0,5 nm |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar ýarylýar | Jemi uzynlygy ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm | Jemi uzynlygy ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm |
| Intokary intensiwlik bilen alty plastinka | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 0,1% |
| Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 3% |
| Wizual uglerod goşulmalary | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 5% |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary | Jemi uzynlygy ≤ 1 wafli diametri | |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri | Hiç birine ≥ 0,2 mm ini we çuňlugy rugsat berilmedi | 7 rugsat berildi, hersi mm 1 mm |
| Nurbatlaryň ýerleşdirilmegi | <500 sm³ | <500 sm³ |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü hapalanmagy | ||
| Gaplamak | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner |
4H-SiC güýç elektronikasy, RF enjamlary we ýokary temperaturaly programmalar üçin ulanylýan ýokary öndürijilikli materialdyr. "4H" altyburçly kristal gurluşy aňladýar, "N" materialyň işleýşini gowulandyrmak üçin ulanylýan doping görnüşini görkezýär.
The4H-SiCgörnüşi köplenç ulanylýar:
Kuwwat elektronikasy:Elektrik ulagynyň hereketlendirijileri, senagat tehnikasy we täzelenip bilýän energiýa ulgamlary üçin diodlar, MOSFET we IGBT ýaly enjamlarda ulanylýar.
5G tehnologiýasy:5G-iň ýokary ýygylykly we ýokary öndürijilikli komponentlere bolan islegi bilen, SiC-iň ýokary woltlary dolandyrmak we ýokary temperaturada işlemek ukyby esasy stansiýa güýç güýçlendirijileri we RF enjamlary üçin amatly edýär.
Gün energiýasy ulgamlary:SiC-iň kuwwatly işleýiş aýratynlyklary fotoelektrik (gün energiýasy) inwertorlary we öwrüjileri üçin amatlydyr.
Elektrik ulaglary (EV):SiC has netijeli energiýa öwrülişi, pes ýylylyk öndürmek we has ýokary dykyzlyk üçin EV güýç güýçlerinde giňden ulanylýar.
SiC Substrate 4H ýarym izolýasiýa görnüşiniň häsiýetleri we ulanylyşy
Aýratynlyklary:
-
Mikrop turbasyz dykyzlygy dolandyrmagyň usullary: Substratyň hilini ýokarlandyryp, mikrop turbalaryň ýoklugyny üpjün edýär.
-
Monokristally dolandyryş usullary: Ösen material aýratynlyklary üçin ýekeje kristal gurluşy kepillendirýär.
-
Goşulmalara gözegçilik usullary: Arassa substraty üpjün edip, hapalaryň ýa-da goşulmalaryň bardygyny azaldýar.
-
Çydamlylyga gözegçilik usullary: Enjamyň işlemegi üçin möhüm bolan elektrik garşylygyny takyk gözegçilikde saklamaga mümkinçilik berýär.
-
Haramlygy düzgünleşdirmek we gözegçilik usullary: Substrat bitewiligini saklamak üçin hapalaryň girizilmegini kadalaşdyrýar we çäklendirýär.
-
Substrat ädim giňligini dolandyrmagyň usullary: Substratda yzygiderliligi üpjün edip, ädim giňligine takyk gözegçilik edýär
6Inch 4H ýarym SiC substrat spesifikasiýasy | ||
| Emläk | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
| Diametri (mm) | 145 mm - 150 mm | 145 mm - 150 mm |
| Poli görnüşli | 4H | 4H |
| Galyňlyk (um) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| Wafer ugry | Okda: ± 0.0001 ° | Okda: ± 0.05 ° |
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | ≤ 15 sm-2 | ≤ 15 sm-2 |
| Çydamlylyk (Ωcm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| Esasy kwartira ugry | (0-10) ° ± 5.0 ° | (10-10) ° ± 5.0 ° |
| Esasy tekizlik uzynlygy | Notch | Notch |
| Gyradan çykarmak (mm) | ≤ 2,5 µm / ≤ 15 µm | ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm |
| LTV / Bowl / Warp | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| Gödeklik | Polýak Ra ≤ 1.5 µm | Polýak Ra ≤ 1.5 µm |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri | ≤ 20 µm | ≤ 60 µm |
| Intokary intensiwlik bilen ýylylyk plitalary | Jemi ≤ 0.05% | Jemleýji ≤ 3% |
| Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri | Wizual uglerod goşulmalary ≤ 0.05% | Jemleýji ≤ 3% |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary | ≤ 0.05% | Jemi ≤ 4% |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri (Ölçeg) | Rugsat berilmeýär> 02 mm ini we çuňlugy | Rugsat berilmeýär> 02 mm ini we çuňlugy |
| Kömekçi nurbat dilasiýasy | ≤ 500 µm | ≤ 500 µm |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü hapalanmagy | ≤ 1 x 10 ^ 5 | ≤ 1 x 10 ^ 5 |
| Gaplamak | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner |
4-inç 4H-ýarym izolýasiýa SiC substrat spesifikasiýasy
| Parametr | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
|---|---|---|
| Fiziki aýratynlyklar | ||
| Diametri | 99,5 mm - 100.0 mm | 99,5 mm - 100.0 mm |
| Poli görnüşli | 4H | 4H |
| Galyňlyk | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| Wafer ugry | Okda: <600h> 0,5 ° | Okda: <000h> 0,5 ° |
| Elektrik aýratynlyklary | ||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy (MPD) | ≤1 sm⁻² | ≤15 sm⁻² |
| Çydamlylyk | ≥150 Ω · sm | ≥1.5 Ω · sm |
| Geometrik çydamlylyk | ||
| Esasy kwartira ugry | (0x10) ± 5.0 ° | (0x10) ± 5.0 ° |
| Esasy tekizlik uzynlygy | 52,5 mm ± 2,0 mm | 52,5 mm ± 2,0 mm |
| Ikinji tekizlik uzynlygy | 18.0 mm ± 2,0 mm | 18.0 mm ± 2,0 mm |
| Ikinji kwartira ugry | Baş tekizden 90 ° CW ± 5.0 ° (Si ýüzüne) | Baş tekizden 90 ° CW ± 5.0 ° (Si ýüzüne) |
| Gyradan çykarmak | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TTV / Bow / Warp | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| Faceerüsti hil | ||
| Faceerüsti gödeklik (Polýak Ra) | ≤1 nm | ≤1 nm |
| Faceerüsti gödeklik (CMP Ra) | ≤0.2 nm | ≤0.2 nm |
| Gyradaky döwükler (intokary intensiwlik çyrasy) | Rugsat berilmeýär | Jemi uzynlygy ≥10 mm, ýekeje çatryk ≤2 mm |
| Altyburçly plastinka kemçilikleri | ≤0.05% jemlenen meýdany | ≤0.1% jemlenen meýdany |
| Polip görnüşini öz içine alýan ýerler | Rugsat berilmeýär | ≤1% jemlenen meýdan |
| Wizual uglerod goşulmalary | ≤0.05% jemlenen meýdany | ≤1% jemlenen meýdan |
| Silikon üstündäki çyzgylar | Rugsat berilmeýär | Wafer wafli diametri jemlenen uzynlyk |
| Gyrasy çipleri | Hiç kim rugsat bermedi (width0.2 mm ini / çuňlugy) | ≤5 çip (her ≤1 mm) |
| Silikon üstü hapalanmagy | Görkezilmedi | Görkezilmedi |
| Gaplamak | ||
| Gaplamak | Köp wafli kaseta ýa-da bir wafli gap | Köp wafli kaseta ýa-da |
Arza:
TheSiC 4H ýarym izolýasiýa substratlaryesasan ýokary güýçli we ýokary ýygylykly elektron enjamlarynda ulanylýar, esasanamRF meýdançasy. Bu substratlar, şol sanda dürli programmalar üçin möhümdirmikrotolkun aragatnaşyk ulgamlary, tapgyrlaýyn massiw radary, wesimsiz elektrik detektorlary. Highokary ýylylyk geçirijiligi we ajaýyp elektrik aýratynlyklary olary elektrik elektronikasynda we aragatnaşyk ulgamlarynda amaly talap etmek üçin ideal edýär.
SiC epi wafer 4H-N görnüşiniň häsiýetleri we ulanylyşy
SiC 4H-N görnüşi Epi wafli aýratynlyklary we goýmalary
SiC 4H-N görnüşli Epi Waferiň aýratynlyklary:
Material düzümi:
SiC (Silikon Karbid): Ajaýyp gatylygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi we ajaýyp elektrik häsiýetleri bilen tanalýan SiC ýokary öndürijilikli elektron enjamlary üçin amatlydyr.
4H-SiC polip görnüşi: 4H-SiC polipi, elektroniki programmalarda ýokary netijeliligi we durnuklylygy bilen tanalýar.
N görnüşli Doping: N görnüşli doping (azot bilen dopirlenen) ajaýyp elektron hereketini üpjün edýär, SiC-ni ýokary ýygylykly we ýokary güýçli programmalar üçin amatly edýär.
Termokary ýylylyk geçirijiligi:
SiC wafli, adatça üýtgeýän ýokary ýylylyk geçirijiligine eýe120–200 W / m · K., tranzistorlar we diodlar ýaly ýokary güýçli enjamlarda ýylylygy netijeli dolandyrmaga mümkinçilik berýär.
Giň zolak:
Zolakly3.26 eV, 4H-SiC adaty kremniý esasly enjamlar bilen deňeşdirilende has ýokary naprýa .eniýelerde, ýygylyklarda we temperaturalarda işläp bilýär, bu bolsa ýokary netijelilik, ýokary öndürijilikli programmalar üçin ideal bolýar.
Elektrik aýratynlyklary:
SiC-iň ýokary elektron hereketi we geçirijiligi ony ideallaşdyrýarkuwwat elektronikasy, çalt kommutasiýa tizligini we ýokary tok we naprýa .eniýe bilen işlemek mümkinçiligini hödürleýär, netijede has netijeli dolandyryş dolandyryş ulgamlary.
Mehaniki we himiki garşylyk:
SiC iň kyn materiallardan biridir, göwherden soň ikinji ýerde durýar we okislenmä we poslama ýokary çydamly bolup, ony agyr şertlerde çydamly edýär.
SiC 4H-N görnüşli Epi Waferiň programmalary:
Kuwwat elektronikasy:
SiC 4H-N görnüşli epi wafli giňden ulanylýarkuwwatly MOSFETler, IGBT, wediodlarüçingüýji öwürmekýaly ulgamlardagün inwertorlary, elektrik ulaglary, weenergiýa saklaýyş ulgamlary, öndürijiligini we energiýa netijeliligini hödürleýär.
Elektrik ulaglary (EV):
In elektrik ulagy, motor dolandyryjylary, wezarýad beriş stansiýalary, SiC wafli batareýanyň has gowy netijeliligini, has çalt zarýad berilmegini we ýokary güýç we temperaturany dolandyrmak ukyby sebäpli umumy energiýa öndürijiligini ýokarlandyrmaga kömek edýär.
Täzelenýän energiýa ulgamlary:
Gün öwrüjileri: SiC wafli ulanylýargün energiýasy ulgamlaryDC güýjüni gün panellerinden AC-a öwürmek, ulgamyň umumy netijeliligini we öndürijiligini ýokarlandyrmak üçin.
Windel turbinalary: SiC tehnologiýasy ulanylýarýel turbinasyna gözegçilik ulgamlary, elektrik öndürmek we öwrülişiň netijeliligini optimizirlemek.
Aerokosmos we goranmak:
SiC wafli ulanmak üçin amatlydyrhowa giňişligi elektronikasyweharby arzalargoşmak bilenradar ulgamlarywehemra elektronikasy, ýokary radiasiýa garşylygy we ýylylyk durnuklylygy möhümdir.
Temokary temperatura we ýokary ýygylykly programmalar:
SiC wafli ajaýypýokary temperaturaly elektronika, ulanylýaruçar hereketlendirijileri, kosmos gämisi, wesenagat ýyladyş ulgamlaryaşa yssy şertlerde öndürijiligini saklaýandyklary üçin. Mundan başga-da, olaryň giň zolagy ulanmaga mümkinçilik berýärýokary ýygylykly programmalarýalyRF enjamlarywemikrotolkun aragatnaşygy.
| 6 dýuým N görnüşli epit eksenel spesifikasiýa | |||
| Parametr | birligi | Z-MOS | |
| Görnüşi | Condagdaý / Dopant | - | N görnüşli / azot |
| Bufer gatlagy | Bufer gatlagynyň galyňlygy | um | 1 |
| Bufer gatlagynyň galyňlygy çydamlylygy | % | ± 20% | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasy | cm-3 | 1.00E + 18 | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýa çydamlylygy | % | ± 20% | |
| 1-nji bölüm | Epi gatlak galyňlygy | um | 11.5 |
| Epi gatlagyň galyňlygy birmeňzeşligi | % | ± 4% | |
| Epi gatlaklary Galyň çydamlylyk ((spes- Maks ， Min) / spes) | % | ± 5% | |
| Epi gatlak konsentrasiýasy | cm-3 | 1E 15 ~ 1E 18 | |
| Epi gatlak konsentrasiýa çydamlylygy | % | 6% | |
| Epi gatlak konsentrasiýasynyň birmeňzeşligi (σ / ortaça) | % | ≤5% | |
| Epi gatlak konsentrasiýasynyň birmeňzeşligi <(max-min) / (max + min>) | % | ≤ 10% | |
| Epitaixal wafli şekili | Aý | um | ≤ ± 20 |
| WARP | um | ≤30 | |
| TTV | um | ≤ 10 | |
| LTV | um | ≤2 | |
| Umumy aýratynlyklar | Dyrnaklaryň uzynlygy | mm | ≤30mm |
| Gyrasy çipleri | - | ONOK | |
| Kesgitleme | ≥97% 2 2 * 2 bilen ölçelýär Öldüriji kemçilikler: kemçilikler öz içine alýar Mikropipe / Uly çukurlar, käşir, üçburçluk | ||
| Metalyň hapalanmagy | atomlar / sm² | d f ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn) | |
| Bukja | Gaplamak aýratynlyklary | kompýuter / guty | köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli gap |
| 8 dýuým N görnüşli epitaksial spesifikasiýa | |||
| Parametr | birligi | Z-MOS | |
| Görnüşi | Condagdaý / Dopant | - | N görnüşli / azot |
| Bufer gatlagy | Bufer gatlagynyň galyňlygy | um | 1 |
| Bufer gatlagynyň galyňlygy çydamlylygy | % | ± 20% | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasy | cm-3 | 1.00E + 18 | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýa çydamlylygy | % | ± 20% | |
| 1-nji bölüm | Epi gatlaklarynyň galyňlygy ortaça | um | 8 ~ 12 |
| Epi gatlaklarynyň galyňlygy birmeňzeşligi (σ / ortaça) | % | ≤2.0 | |
| Epi gatlaklarynyň galyňlygy çydamlylygy ((Spec -Max ， Min) / spes) | % | ± 6 | |
| Epi gatlaklary ortaça doping | cm-3 | 8E + 15 ~ 2E + 16 | |
| Epi gatlaklary sap doping birmeňzeşligi (σ / ortaça) | % | ≤5 | |
| Epi gatlaklary arassa doping çydamlylygy ((Spec -Max ，) | % | .0 10.0 | |
| Epitaixal wafli şekili | Mi) / S) Warp | um | ≤50.0 |
| Aý | um | .0 30.0 | |
| TTV | um | ≤ 10.0 | |
| LTV | um | ≤4.0 (10mm × 10mm) | |
| General Aýratynlyklary | Dyrnaklar | - | Jemi uzynlygy≤ 1 / 2Wafer diametri |
| Gyrasy çipleri | - | ≤2 çip, Her radiusy≤1.5mm | |
| Faceerüsti metallaryň hapalanmagy | atomlar / cm2 | ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn) | |
| Näsaz barlag | % | ≥ 96.0 (2X2 kemçiliklere Mikropipe / Uly çukurlar, Käşir, üçburç kemçilikler, aşak düşmeler, Çyzykly / IGSF-s, BPD) | |
| Faceerüsti metallaryň hapalanmagy | atomlar / cm2 | ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn) | |
| Bukja | Gaplamak aýratynlyklary | - | köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli gap |
SiC wafli sorag-jogap
1-nji sorag: Elektronikada adaty kremniy wafli bilen SiC wafli ulanmagyň esasy artykmaçlyklary haýsylar?
A1:
SiC wafli, elektrik elektronikasyndaky adaty kremniy (Si) wafli bilen deňeşdirilende birnäçe möhüm artykmaçlygy hödürleýär:
Higherokary netijelilik: SiC kremniý (1,1 eV) bilen deňeşdirilende has giň zolakly (3.26 eV) enjamlara has ýokary woltlarda, ýygylyklarda we temperaturalarda işlemäge mümkinçilik berýär. Bu güýjüň peselmegine we güýç öwrüliş ulgamlarynda has ýokary netijelilige getirýär.
Termokary ýylylyk geçirijiligi: SiC-iň ýylylyk geçirijiligi kremniniňkiden has ýokary bolup, güýçli enjamlaryň ygtybarlylygyny we ömrüni ýokarlandyrýan ýokary güýçli programmalarda has gowy ýylylyk ýaýramagyna mümkinçilik berýär.
Volokary woltly we häzirki işleýiş: SiC enjamlary has ýokary naprýa .eniýe we tok derejelerini dolandyryp biler, olary elektrik ulaglary, täzelenip bilýän energiýa ulgamlary we senagat hereketlendirijileri ýaly ýokary güýçli programmalar üçin amatly edip biler.
Çalt geçiş tizligi: SiC enjamlarynyň has çalt kommutasiýa mümkinçilikleri bar, bu energiýa ýitgileriniň we ulgam ululygynyň azalmagyna goşant goşýar we olary ýokary ýygylykly programmalar üçin ideal edýär.
2-nji sorag: SiC wafli awtoulag pudagynda esasy goşundylar haýsylar?
A2:
Awtoulag pudagynda ilkinji nobatda SiC wafli ulanylýar:
Elektrikli ulag (EV) güýç güýji: SiC esasly komponentlerinwertorlarwekuwwatly MOSFETlerhas çalt kommutasiýa tizligini we has ýokary energiýa dykyzlygyny üpjün etmek arkaly elektrik ulagyň hereketlendirijileriniň netijeliligini we öndürijiligini ýokarlandyrmak. Bu batareýanyň ömrüniň uzak bolmagyna we ulagyň has gowy işlemegine getirýär.
Tagtadaky zarýad berijiler.
Batareýany dolandyrmak ulgamlary (BMS): SiC tehnologiýasy netijeliligini ýokarlandyrýarbatareýany dolandyrmak ulgamlary, has gowy naprýa .eniýäni sazlamaga, has ýokary güýç işlemäge we batareýanyň ömrüni has uzaklaşdyrmaga mümkinçilik berýär.
DC-DC öwrüjileri: SiC wafli ulanylýarDC-DC öwrüjileripowerokary woltly DC güýjüni pes woltly DC güýjüne has netijeli öwürmek, elektrik ulaglarynda batareýadan ulagyň dürli böleklerine güýji dolandyrmak üçin möhüm ähmiýete eýe.
SiC-iň ýokary woltly, ýokary temperaturaly we ýokary öndürijilikli programmalarda has ýokary öndürijiligi awtoulag pudagynyň elektrik hereketine geçmegini zerur edýär.
6inch 4H-N görnüşli SiC wafli spesifikasiýasy | ||
| Emläk | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
| Baha | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
| Diametri | 149,5 mm - 150.0 mm | 149,5 mm - 150.0 mm |
| Poli görnüşli | 4H | 4H |
| Galyňlyk | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | Öçürilen ok: 4.11 ° <1120> ± 0,5 ° | Öçürilen ok: 4.11 ° <1120> ± 0,5 ° |
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | ≤ 0,2 sm² | ≤ 15 sm² |
| Çydamlylyk | 0.015 - 0.024 Ω · sm | 0.015 - 0.028 Ω · sm |
| Esasy kwartira ugry | [10-10] ± 50 ° | [10-10] ± 50 ° |
| Esasy tekizlik uzynlygy | 475 mm ± 2,0 mm | 475 mm ± 2,0 mm |
| Gyradan çykarmak | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TIV / Bow / Warp | ≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm |
| Gödeklik | Polýak Ra ≤ 1 nm | Polýak Ra ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0,2 nm | ≤ 0,5 nm |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar ýarylýar | Jemi uzynlygy ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm | Jemi uzynlygy ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm |
| Intokary intensiwlik bilen alty plastinka | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 0,1% |
| Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 3% |
| Wizual uglerod goşulmalary | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 5% |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary | Jemi uzynlygy ≤ 1 wafli diametri | |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri | Hiç birine ≥ 0,2 mm ini we çuňlugy rugsat berilmedi | 7 rugsat berildi, hersi mm 1 mm |
| Nurbatlaryň ýerleşdirilmegi | <500 sm³ | <500 sm³ |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü hapalanmagy | ||
| Gaplamak | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner |
8inch 4H-N görnüşli SiC wafli spesifikasiýasy | ||
| Emläk | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
| Baha | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
| Diametri | 199.5 mm - 200.0 mm | 199.5 mm - 200.0 mm |
| Poli görnüşli | 4H | 4H |
| Galyňlyk | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | 4.0 ° <110> ± 0,5 ° | 4.0 ° <110> ± 0,5 ° |
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | ≤ 0,2 sm² | ≤ 5 sm² |
| Çydamlylyk | 0.015 - 0.025 Ω · sm | 0.015 - 0.028 Ω · sm |
| Asylly ugur | ||
| Gyradan çykarmak | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TIV / Bow / Warp | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm |
| Gödeklik | Polýak Ra ≤ 1 nm | Polýak Ra ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0,2 nm | ≤ 0,5 nm |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar ýarylýar | Jemi uzynlygy ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm | Jemi uzynlygy ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm |
| Intokary intensiwlik bilen alty plastinka | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 0,1% |
| Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 3% |
| Wizual uglerod goşulmalary | Toplum meýdany ≤ 0.05% | Toplum meýdany ≤ 5% |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary | Jemi uzynlygy ≤ 1 wafli diametri | |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri | Hiç birine ≥ 0,2 mm ini we çuňlugy rugsat berilmedi | 7 rugsat berildi, hersi mm 1 mm |
| Nurbatlaryň ýerleşdirilmegi | <500 sm³ | <500 sm³ |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü hapalanmagy | ||
| Gaplamak | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner |
6Inch 4H ýarym SiC substrat spesifikasiýasy | ||
| Emläk | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
| Diametri (mm) | 145 mm - 150 mm | 145 mm - 150 mm |
| Poli görnüşli | 4H | 4H |
| Galyňlyk (um) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| Wafer ugry | Okda: ± 0.0001 ° | Okda: ± 0.05 ° |
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | ≤ 15 sm-2 | ≤ 15 sm-2 |
| Çydamlylyk (Ωcm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| Esasy kwartira ugry | (0-10) ° ± 5.0 ° | (10-10) ° ± 5.0 ° |
| Esasy tekizlik uzynlygy | Notch | Notch |
| Gyradan çykarmak (mm) | ≤ 2,5 µm / ≤ 15 µm | ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm |
| LTV / Bowl / Warp | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| Gödeklik | Polýak Ra ≤ 1.5 µm | Polýak Ra ≤ 1.5 µm |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri | ≤ 20 µm | ≤ 60 µm |
| Intokary intensiwlik bilen ýylylyk plitalary | Jemi ≤ 0.05% | Jemleýji ≤ 3% |
| Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri | Wizual uglerod goşulmalary ≤ 0.05% | Jemleýji ≤ 3% |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary | ≤ 0.05% | Jemi ≤ 4% |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri (Ölçeg) | Rugsat berilmeýär> 02 mm ini we çuňlugy | Rugsat berilmeýär> 02 mm ini we çuňlugy |
| Kömekçi nurbat dilasiýasy | ≤ 500 µm | ≤ 500 µm |
| Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü hapalanmagy | ≤ 1 x 10 ^ 5 | ≤ 1 x 10 ^ 5 |
| Gaplamak | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner | Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner |
4-inç 4H-ýarym izolýasiýa SiC substrat spesifikasiýasy
| Parametr | MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Dummy Grade (D Grade) |
|---|---|---|
| Fiziki aýratynlyklar | ||
| Diametri | 99,5 mm - 100.0 mm | 99,5 mm - 100.0 mm |
| Poli görnüşli | 4H | 4H |
| Galyňlyk | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| Wafer ugry | Okda: <600h> 0,5 ° | Okda: <000h> 0,5 ° |
| Elektrik aýratynlyklary | ||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy (MPD) | ≤1 sm⁻² | ≤15 sm⁻² |
| Çydamlylyk | ≥150 Ω · sm | ≥1.5 Ω · sm |
| Geometrik çydamlylyk | ||
| Esasy kwartira ugry | (0 × 10) ± 5.0 ° | (0 × 10) ± 5.0 ° |
| Esasy tekizlik uzynlygy | 52,5 mm ± 2,0 mm | 52,5 mm ± 2,0 mm |
| Ikinji tekizlik uzynlygy | 18.0 mm ± 2,0 mm | 18.0 mm ± 2,0 mm |
| Ikinji kwartira ugry | Baş tekizden 90 ° CW ± 5.0 ° (Si ýüzüne) | Baş tekizden 90 ° CW ± 5.0 ° (Si ýüzüne) |
| Gyradan çykarmak | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TTV / Bow / Warp | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| Faceerüsti hil | ||
| Faceerüsti gödeklik (Polýak Ra) | ≤1 nm | ≤1 nm |
| Faceerüsti gödeklik (CMP Ra) | ≤0.2 nm | ≤0.2 nm |
| Gyradaky döwükler (intokary intensiwlik çyrasy) | Rugsat berilmeýär | Jemi uzynlygy ≥10 mm, ýekeje çatryk ≤2 mm |
| Altyburçly plastinka kemçilikleri | ≤0.05% jemlenen meýdany | ≤0.1% jemlenen meýdany |
| Polip görnüşini öz içine alýan ýerler | Rugsat berilmeýär | ≤1% jemlenen meýdan |
| Wizual uglerod goşulmalary | ≤0.05% jemlenen meýdany | ≤1% jemlenen meýdan |
| Silikon üstündäki çyzgylar | Rugsat berilmeýär | Wafer wafli diametri jemlenen uzynlyk |
| Gyrasy çipleri | Hiç kim rugsat bermedi (width0.2 mm ini / çuňlugy) | ≤5 çip (her ≤1 mm) |
| Silikon üstü hapalanmagy | Görkezilmedi | Görkezilmedi |
| Gaplamak | ||
| Gaplamak | Köp wafli kaseta ýa-da bir wafli gap | Köp wafli kaseta ýa-da |
| 6 dýuým N görnüşli epit eksenel spesifikasiýa | |||
| Parametr | birligi | Z-MOS | |
| Görnüşi | Condagdaý / Dopant | - | N görnüşli / azot |
| Bufer gatlagy | Bufer gatlagynyň galyňlygy | um | 1 |
| Bufer gatlagynyň galyňlygy çydamlylygy | % | ± 20% | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasy | cm-3 | 1.00E + 18 | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýa çydamlylygy | % | ± 20% | |
| 1-nji bölüm | Epi gatlak galyňlygy | um | 11.5 |
| Epi gatlagyň galyňlygy birmeňzeşligi | % | ± 4% | |
| Epi gatlaklary Galyň çydamlylyk ((spes- Maks ， Min) / spes) | % | ± 5% | |
| Epi gatlak konsentrasiýasy | cm-3 | 1E 15 ~ 1E 18 | |
| Epi gatlak konsentrasiýa çydamlylygy | % | 6% | |
| Epi gatlak konsentrasiýasynyň birmeňzeşligi (σ / ortaça) | % | ≤5% | |
| Epi gatlak konsentrasiýasynyň birmeňzeşligi <(max-min) / (max + min>) | % | ≤ 10% | |
| Epitaixal wafli şekili | Aý | um | ≤ ± 20 |
| WARP | um | ≤30 | |
| TTV | um | ≤ 10 | |
| LTV | um | ≤2 | |
| Umumy aýratynlyklar | Dyrnaklaryň uzynlygy | mm | ≤30mm |
| Gyrasy çipleri | - | ONOK | |
| Kesgitleme | ≥97% 2 2 * 2 bilen ölçelýär Öldüriji kemçilikler: kemçilikler öz içine alýar Mikropipe / Uly çukurlar, käşir, üçburçluk | ||
| Metalyň hapalanmagy | atomlar / sm² | d f ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn) | |
| Bukja | Gaplamak aýratynlyklary | kompýuter / guty | köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli gap |
| 8 dýuým N görnüşli epitaksial spesifikasiýa | |||
| Parametr | birligi | Z-MOS | |
| Görnüşi | Condagdaý / Dopant | - | N görnüşli / azot |
| Bufer gatlagy | Bufer gatlagynyň galyňlygy | um | 1 |
| Bufer gatlagynyň galyňlygy çydamlylygy | % | ± 20% | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasy | cm-3 | 1.00E + 18 | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýa çydamlylygy | % | ± 20% | |
| 1-nji bölüm | Epi gatlaklarynyň galyňlygy ortaça | um | 8 ~ 12 |
| Epi gatlaklarynyň galyňlygy birmeňzeşligi (σ / ortaça) | % | ≤2.0 | |
| Epi gatlaklarynyň galyňlygy çydamlylygy ((Spec -Max ， Min) / spes) | % | ± 6 | |
| Epi gatlaklary ortaça doping | cm-3 | 8E + 15 ~ 2E + 16 | |
| Epi gatlaklary sap doping birmeňzeşligi (σ / ortaça) | % | ≤5 | |
| Epi gatlaklary arassa doping çydamlylygy ((Spec -Max ，) | % | .0 10.0 | |
| Epitaixal wafli şekili | Mi) / S) Warp | um | ≤50.0 |
| Aý | um | .0 30.0 | |
| TTV | um | ≤ 10.0 | |
| LTV | um | ≤4.0 (10mm × 10mm) | |
| General Aýratynlyklary | Dyrnaklar | - | Jemi uzynlygy≤ 1 / 2Wafer diametri |
| Gyrasy çipleri | - | ≤2 çip, Her radiusy≤1.5mm | |
| Faceerüsti metallaryň hapalanmagy | atomlar / cm2 | ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn) | |
| Näsaz barlag | % | ≥ 96.0 (2X2 kemçiliklere Mikropipe / Uly çukurlar, Käşir, üçburç kemçilikler, aşak düşmeler, Çyzykly / IGSF-s, BPD) | |
| Faceerüsti metallaryň hapalanmagy | atomlar / cm2 | ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn) | |
| Bukja | Gaplamak aýratynlyklary | - | köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli gap |
1-nji sorag: Elektronikada adaty kremniy wafli bilen SiC wafli ulanmagyň esasy artykmaçlyklary haýsylar?
A1:
SiC wafli, elektrik elektronikasyndaky adaty kremniy (Si) wafli bilen deňeşdirilende birnäçe möhüm artykmaçlygy hödürleýär:
Higherokary netijelilik: SiC kremniý (1,1 eV) bilen deňeşdirilende has giň zolakly (3.26 eV) enjamlara has ýokary woltlarda, ýygylyklarda we temperaturalarda işlemäge mümkinçilik berýär. Bu güýjüň peselmegine we güýç öwrüliş ulgamlarynda has ýokary netijelilige getirýär.
Termokary ýylylyk geçirijiligi: SiC-iň ýylylyk geçirijiligi kremniniňkiden has ýokary bolup, güýçli enjamlaryň ygtybarlylygyny we ömrüni ýokarlandyrýan ýokary güýçli programmalarda has gowy ýylylyk ýaýramagyna mümkinçilik berýär.
Volokary woltly we häzirki işleýiş: SiC enjamlary has ýokary naprýa .eniýe we tok derejelerini dolandyryp biler, olary elektrik ulaglary, täzelenip bilýän energiýa ulgamlary we senagat hereketlendirijileri ýaly ýokary güýçli programmalar üçin amatly edip biler.
Çalt geçiş tizligi: SiC enjamlarynyň has çalt kommutasiýa mümkinçilikleri bar, bu energiýa ýitgileriniň we ulgam ululygynyň azalmagyna goşant goşýar we olary ýokary ýygylykly programmalar üçin ideal edýär.
2-nji sorag: SiC wafli awtoulag pudagynda esasy goşundylar haýsylar?
A2:
Awtoulag pudagynda ilkinji nobatda SiC wafli ulanylýar:
Elektrikli ulag (EV) güýç güýji: SiC esasly komponentlerinwertorlarwekuwwatly MOSFETlerhas çalt kommutasiýa tizligini we has ýokary energiýa dykyzlygyny üpjün etmek arkaly elektrik ulagyň hereketlendirijileriniň netijeliligini we öndürijiligini ýokarlandyrmak. Bu batareýanyň ömrüniň uzak bolmagyna we ulagyň has gowy işlemegine getirýär.
Tagtadaky zarýad berijiler.
Batareýany dolandyrmak ulgamlary (BMS): SiC tehnologiýasy netijeliligini ýokarlandyrýarbatareýany dolandyrmak ulgamlary, has gowy naprýa .eniýäni sazlamaga, has ýokary güýç işlemäge we batareýanyň ömrüni has uzaklaşdyrmaga mümkinçilik berýär.
DC-DC öwrüjileri: SiC wafli ulanylýarDC-DC öwrüjileripowerokary woltly DC güýjüni pes woltly DC güýjüne has netijeli öwürmek, elektrik ulaglarynda batareýadan ulagyň dürli böleklerine güýji dolandyrmak üçin möhüm ähmiýete eýe.
SiC-iň ýokary woltly, ýokary temperaturaly we ýokary öndürijilikli programmalarda has ýokary öndürijiligi awtoulag pudagynyň elektrik hereketine geçmegini zerur edýär.
Degişli önümler
-
2 dýuým SiC Wafers 6H ýa-da 4H ýarym izolýasiýa SiC ...
-
Kuwwat enjamlary üçin SiC epitaksial wafli - 4H-SiC, ...
-
2Inch 6H-N Silikon Karbid Substrat Sic Wafer ...
-
SiC substraty P we D derejeli Dia50mm 4H-N 2inch
-
4H-N 8 dýuým SiC substrat wafli Silikon Karbid ...
-
2 dýuým kremniy karbid wafli 6H ýa-da 4H N görnüşli o ...