4H-N HPSI SiC wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC MOS ýa-da SBD üçin epitaksial wafer
SiC Substraty SiC Epi-wafer gysgaça mazmuny
Biz 4″, 6″ we 8″ aralygyndan 12″ çenli diametrlerde, şol sanda 4H-N (n-tipli geçiriji), 4H-P (p-tipli geçiriji), 4H-HPSI (ýokary arassa ýarym izolýasiýa) we 6H-P (p-tipli geçiriji) ýaly köp sanly politiplerde we lehim profillerinde ýokary hilli SiC substratlarynyň we sic waferleriniň doly portfelini hödürleýäris. Ýalaňaç substratlardan başga-da, goşmaça gymmatly epi wafer ösdürip ýetişdirmek hyzmatlarymyz berk gözegçilik edilýän galyňlykly (1–20 µm), lehim konsentrasiýalary we kemçilik dykyzlygy bolan epitaksial (epi) waferleri hödürleýär.
Her bir sic wafer we epi wafer kristallaryň ajaýyp birmeňzeşligini we öndürijiligini üpjün etmek üçin berk liniýa içinde barlagdan (mikrotrubalaryň dykyzlygy <0.1 sm⁻², ýüzüniň bükülmesi Ra <0.2 nm) we doly elektrik häsiýetnamasyndan (CV, garşylyk görkezijisi) geçýär. Güýçli elektronika modullary, ýokary ýygylykly RF güýçlendirijileri ýa-da optoelektron enjamlar (LED, fotodetektorlar) üçin ulanylsa-da, biziň SiC substratymyz we epi wafer önüm liniýalarymyz häzirki zamanyň iň talapkär ulanylyşlary tarapyndan talap edilýän ygtybarlylygy, termal durnuklylygy we döwülme güýjüni üpjün edýär.
SiC substrat 4H-N görnüşiniň häsiýetleri we ulanylyşy
-
4H-N SiC substraty Politip (altyburçluk) Gurluş
~3.26 eV giň zolak ýokary temperaturada we ýokary elektrik meýdany şertlerinde durnukly elektrik işini we termal durnuklylygyny üpjün edýär.
-
SiC substratyN-tipli doping
Azot bilen takyk gözegçilikde saklamak arkaly daşaýjylaryň konsentrasiýalary 1×10¹⁶-den 1×10¹⁹ sm⁻³-e çenli we otagyň temperaturasynda elektronlaryň hereketliligi ~900 sm²/V·s çenli bolup, geçirijilik ýitgilerini iň pes derejä düşürýär.
-
SiC substratyGiň garşylyk we deňlik
Elýeterli garşylyk diapazony 0,01–10 Ω·sm we 350–650 µm plastinka galyňlygy, hem goşma, hem-de galyňlyk babatda ±5% çydamlylyk bilen ýokary kuwwatly enjamlary öndürmek üçin idealdyr.
-
SiC substratyUltra-Pes Defekt Dykyzlygy
Mikrotrubanyň dykyzlygy < 0.1 sm⁻² we bazal tekizlik dislokasiýa dykyzlygy < 500 sm⁻² bolup, enjamyň > 99% öndürijiligini we ýokary kristal bitewiligini üpjün edýär.
- SiC substratyAjaýyp ýylylyk geçirijiligi
~370 W/m·K çenli ýylylyk geçirijiligi ýylylygy netijeli aýyrmaga mümkinçilik berýär, enjamyň ygtybarlylygyny we energiýa dykyzlygyny ýokarlandyrýar.
-
SiC substratyMaksatly programmalar
Elektrik ulaglarynyň hereketlendirijileri, gün energiýasy inwertorlary, senagat hereketlendirijileri, dartgy ulgamlary we beýleki talap edilýän elektrik elektronikasy bazarlary üçin SiC MOSFET-leri, Şottki diodlary, güýç modullary we RF enjamlary.
6 dýuýmlyk 4H-N görnüşli SiC waferiň tehniki häsiýetnamasy | ||
| Emläk | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
| Dereje | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
| Diametr | 149.5 mm - 150.0 mm | 149.5 mm - 150.0 mm |
| Politipli | 4H | 4H |
| Galyňlygy | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | Okdan daşary: <1120> ± 0.5° tarap 4.0° | Okdan daşary: <1120> ± 0.5° tarap 4.0° |
| Mikrotrubanyň dykyzlygy | ≤ 0.2 sm² | ≤ 15 sm² |
| Garşylyklylyk | 0.015 - 0.024 Ω·sm | 0.015 - 0.028 Ω·sm |
| Esasy Tekizlik Ugury | [10-10] ± 50° | [10-10] ± 50° |
| Esasy tekiz uzynlyk | 475 mm ± 2.0 mm | 475 mm ± 2.0 mm |
| Gyra çykarylyşy | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TIV / Bow / Warp | ≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm |
| Göwünsizlik | Polşa Ra ≤ 1 nm | Polşa Ra ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| Ýokary intensiwli çyranyň gyralarynyň çatlamagy | Jemi uzynlyk ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm | Jemi uzynlyk ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly altyburçluk plitalar | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 0.1% |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 3% |
| Wizual uglerod goşulmalary | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 5% |
| Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň | Jemi uzynlyk ≤ 1 wafer diametri | |
| Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri | Rugsat berilmeýär ≥ 0,2 mm ini we çuňlugy | 7 rugsat berilýär, her biri ≤ 1 mm |
| Ýüzükli wintiň çykarylyşy | < 500 sm³ | < 500 sm³ |
| Ýokary intensiwli ýagtylyk bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy | ||
| Gaplama | Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap | Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap |
8 дюйм 4H-N görnüşli SiC waferiň tehniki häsiýetnamasy | ||
| Emläk | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
| Dereje | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
| Diametr | 199.5 mm - 200.0 mm | 199.5 mm - 200.0 mm |
| Politipli | 4H | 4H |
| Galyňlygy | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | <110> ± 0.5° tarap 4.0° | <110> ± 0.5° tarap 4.0° |
| Mikrotrubanyň dykyzlygy | ≤ 0.2 sm² | ≤ 5 sm² |
| Garşylyklylyk | 0.015 - 0.025 Ω·sm | 0.015 - 0.028 Ω·sm |
| Asylly ugur | ||
| Gyra çykarylyşy | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TIV / Bow / Warp | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm |
| Göwünsizlik | Polşa Ra ≤ 1 nm | Polşa Ra ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| Ýokary intensiwli çyranyň gyralarynyň çatlamagy | Jemi uzynlyk ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm | Jemi uzynlyk ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly altyburçluk plitalar | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 0.1% |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 3% |
| Wizual uglerod goşulmalary | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 5% |
| Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň | Jemi uzynlyk ≤ 1 wafer diametri | |
| Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri | Rugsat berilmeýär ≥ 0,2 mm ini we çuňlugy | 7 rugsat berilýär, her biri ≤ 1 mm |
| Ýüzükli wintiň çykarylyşy | < 500 sm³ | < 500 sm³ |
| Ýokary intensiwli ýagtylyk bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy | ||
| Gaplama | Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap | Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap |
4H-SiC elektrik elektronikasy, RF enjamlary we ýokary temperatura ulgamlarynda ulanylýan ýokary öndürijilikli materialdyr. "4H" altyburçly kristal gurluşyny aňladýar, "N" bolsa materialyň işini optimizirlemek üçin ulanylýan lehim görnüşini görkezýär.
The4H-SiCgörnüşi köplenç şu maksatlar üçin ulanylýar:
Güýçli elektronika:Elektrik awtoulaglarynyň hereketlendirijileri, senagat enjamlary we gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary üçin diodlar, MOSFETler we IGBT ýaly enjamlarda ulanylýar.
5G tehnologiýasy:5G-niň ýokary ýygylykly we ýokary netijeli komponentlere bolan islegi bilen, SiC-niň ýokary woltlylygy dolandyrmak we ýokary temperaturada işlemek ukyby ony baza stansiýasynyň güýç güýçlendirijileri we RF enjamlary üçin ideal edýär.
Gün energiýasy ulgamlary:SiC-niň ajaýyp energiýa dolandyryş häsiýetleri fotowoltaik (gün energiýasy) inwertorlary we konwertorlary üçin idealdyr.
Elektrikli ulaglar (EU):SiC energiýany has netijeli öwürmek, ýylylygy peseltmek we energiýanyň dykyzlygyny ýokarlandyrmak üçin elektrik ulaglarynyň hereketlendiriji ulgamlarynda giňden ulanylýar.
SiC substrat 4H ýarym izolýasiýa görnüşiniň häsiýetleri we ulanylyşy
Öýjükler:
-
Mikrotrubasyz dykyzlygy gözegçilik etmek usullaryMikrotrubalaryň ýokdugyny üpjün edýär, substratyň hilini gowulandyrýar.
-
Monokristal dolandyryş usullary: Material häsiýetlerini gowulandyrmak üçin ýeke kristal gurluşyny kepillendirýär.
-
Goşulmalary gözegçilik etmek usullary: Arassa substraty üpjün edip, hapaçylyklaryň ýa-da goşulmalaryň bolmagyny azaldýar.
-
Garşylyklylygy gözegçilik etmek usullary: Enjamyň işlemegi üçin möhüm bolan elektrik garşylygyny takyk dolandyrmaga mümkinçilik berýär.
-
Garyndylary düzgünleşdirmek we gözegçilik etmek usullarySubstratyň bitewüligini saklamak üçin hapaçylyklaryň girizilmegini kadalaşdyrýar we çäklendirýär.
-
Substrat basgançaklarynyň giňligini gözegçilik etmek usullary: Basgançagyň giňligine takyk gözegçilik edýär we substrat boýunça yzygiderliligi üpjün edýär
6 дюйм 4H-ýarym SiC substratynyň spesifikasiýalary | ||
| Emläk | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
| Diametr (mm) | 145 mm - 150 mm | 145 mm - 150 mm |
| Politipli | 4H | 4H |
| Galyňlygy (um) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| Wafer ugry | Ok boýunça: ±0.0001° | Ok boýunça: ±0.05° |
| Mikrotrubanyň dykyzlygy | ≤ 15 sm-2 | ≤ 15 sm-2 |
| Garşylyk (Ωsm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| Esasy Tekizlik Ugury | (0-10)° ± 5.0° | (10-10)° ± 5.0° |
| Esasy tekiz uzynlyk | Notch | Notch |
| Gyra çykarylyşy (mm) | ≤ 2.5 µm / ≤ 15 µm | ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm |
| LTV / Bowl / Warp | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| Göwünsizlik | Polşa Ra ≤ 1.5 µm | Polşa Ra ≤ 1.5 µm |
| Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri | ≤ 20 µm | ≤ 60 µm |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly gyzdyryjy plitalar | Jemi ≤ 0.05% | Jemi ≤ 3% |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary | Görsel uglerod goşulmalary ≤ 0.05% | Jemi ≤ 3% |
| Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň | ≤ 0.05% | Jemi ≤ 4% |
| Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri (ölçegi) | 02 mm-den ýokary giňlik we çuňluk rugsat berilmeýär | 02 mm-den ýokary giňlik we çuňluk rugsat berilmeýär |
| Kömekçi wintiň giňelmegi | ≤ 500 µm | ≤ 500 µm |
| Ýokary intensiwli ýagtylyk bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy | ≤ 1 x 10^5 | ≤ 1 x 10^5 |
| Gaplama | Köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap | Köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap |
4 dýuýmly 4H-Ýarym izolýasiýaly SiC substratynyň aýratynlyklary
| Parametr | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
|---|---|---|
| Fiziki häsiýetler | ||
| Diametr | 99.5 mm – 100.0 mm | 99.5 mm – 100.0 mm |
| Politipli | 4H | 4H |
| Galyňlygy | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| Wafer ugry | Ok boýunça: <600s > 0.5° | Ok boýunça: <000h > 0.5° |
| Elektrik häsiýetleri | ||
| Mikrotrubanyň dykyzlygy (MPD) | ≤1 sm⁻² | ≤15 sm⁻² |
| Garşylyklylyk | ≥150 Ω·sm | ≥1.5 Ω·sm |
| Geometrik çydamlylyklar | ||
| Esasy Tekizlik Ugury | (0x10) ± 5.0° | (0x10) ± 5.0° |
| Esasy tekiz uzynlyk | 52.5 mm ± 2.0 mm | 52.5 mm ± 2.0 mm |
| Ikinji derejeli tekiz uzynlyk | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm |
| Ikinji derejeli tekizlik ugry | Prime tekizliginden 90° CW ± 5.0° (Si ýüzüni ýokaryk galdyryp) | Prime tekizliginden 90° CW ± 5.0° (Si ýüzüni ýokaryk galdyryp) |
| Gyra çykarylyşy | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TTV / Bow / Warp | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| Ýüzleýiş hili | ||
| Ýüziň büdür-büdürligi (Polşa Ra) | ≤1 nm | ≤1 nm |
| Ýüziň büdür-büdürligi (CMP Ra) | ≤0.2 nm | ≤0.2 nm |
| Gyra çatlaklary (Ýokary intensiwli ýagtylyk) | Rugsat berilmeýär | Jemi uzynlyk ≥10 mm, ýeke çatlak ≤2 mm |
| Altyburçlukly plastinka kemçilikleri | ≤0.05% umumy meýdan | ≤0.1% umumy meýdan |
| Köptipli goşulyş zolaklary | Rugsat berilmeýär | ≤1% umumy meýdan |
| Wizual uglerod goşulmalary | ≤0.05% umumy meýdan | ≤1% umumy meýdan |
| Silikon ýüzindäki çyzyklaryň | Rugsat berilmeýär | ≤1 wafer diametriniň umumy uzynlygy |
| Gyra çipleri | Rugsat berilmeýär (≥0.2 mm giňlik/çuňluk) | ≤5 çip (her biri ≤1 mm) |
| Kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy | Görkezilmedik | Görkezilmedik |
| Gaplama | ||
| Gaplama | Köp waferli kasset ýa-da bir waferli gap | Köp waferli kaset ýa-da |
Ulanyş:
TheSiC 4H Ýarym izolýasiýa substratlaryesasan ýokary kuwwatly we ýokary ýygylykly elektron enjamlarda, esasanamRF meýdanyBu substratlar dürli ulanylyşlar, şol sandamikrotolkunly aragatnaşyk ulgamlary, fazaly massiw radar, wesimsiz elektrik detektorlaryOlaryň ýokary ýylylyk geçirijiligi we ajaýyp elektrik häsiýetnamalary olary elektrik elektronikasynda we aragatnaşyk ulgamlarynda talap edilýän ulanyşlar üçin ideal edýär.
SiC epi wafer 4H-N görnüşiniň häsiýetleri we ulanylyşy
SiC 4H-N görnüşli Epi Wafer-iň häsiýetleri we ulanylyşlary
SiC 4H-N görnüşli Epi Wafer-iň häsiýetleri:
Materialyň düzümi:
SiC (Silikon karbid)Ajaýyp berkligi, ýokary ýylylyk geçirijiligi we ajaýyp elektrik häsiýetleri bilen tanalýan SiC ýokary öndürijilikli elektron enjamlar üçin idealdyr.
4H-SiC Politipi4H-SiC politipi elektron ulanylyşlarda ýokary netijeliligi we durnuklylygy bilen tanalýar.
N-tipli dopingN-tipli leping (azot bilen leping edilen) elektronlaryň ajaýyp hereketliligini üpjün edýär, bu bolsa SiC-ni ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin amatly edýär.
Ýokary ýylylyk geçirijiligi:
SiC plitalary ýokary ýylylyk geçirijiligine eýedir, adatça ...120–200 W/m·K, olara tranzistorlar we diodlar ýaly ýokary kuwwatly enjamlardaky ýylylygy netijeli dolandyrmaga mümkinçilik berýär.
Giň zolak:
Bir zolak bilen3.26 eV, 4H-SiC adaty kremniý esasly enjamlar bilen deňeşdirilende has ýokary naprýaženiýelerde, ýygylyklarda we temperaturalarda işläp bilýär, bu bolsa ony ýokary netijeli we ýokary öndürijilikli ulanyşlar üçin ideal edýär.
Elektrik häsiýetleri:
SiC-iň ýokary elektron hereketliligi we geçirijiligi ony iň amatly edýärgüýç elektronikasy, çalt geçiş tizligini we ýokary tok we woltly işlemegiň mümkinçiliklerini hödürleýär, netijede has netijeli energiýa dolandyryş ulgamlaryny döredýär.
Mehaniki we himiki garşylyk:
SiC iň berk materiallaryň biridir, diňe almazdan soň ikinji orunda durýar we oksidlenmäge we korroziýa garşy ýokary derejede çydamlydyr, bu bolsa ony agyr şertlerde berk edýär.
SiC 4H-N görnüşli Epi Wafer-iň ulanylyş ugurlary:
Güýçli elektronika:
SiC 4H-N görnüşli epi waferler giňden ulanylýargüýç MOSFET-leri, IGBT-ler, wediodlarüçingüýç konwersiýasyýaly ulgamlardagün energiýasy inwertorlary, elektrik ulaglary, weenergiýa saklaýyş ulgamlary, ýokarlandyrylan öndürijiligi we energiýa netijeliligini hödürleýär.
Elektrikli ulaglar (EU):
In elektrik ulaglarynyň hereketlendirijileri, motor kontrollerleri, wezarýad beriş stansiýalary, SiC plastinkalary ýokary güýji we temperatura çydamlylygy sebäpli batareýanyň has gowy netijeliligine, çalt zarýadlanmagyna we umumy energiýa öndürijiliginiň gowulanmagyna kömek edýär.
Gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary:
Gün inwertorlarySiC waferleri ulanylýargün energiýasy ulgamlaryGün panellerinden DC energiýasyny AC energiýasyna öwürmek, umumy ulgamyň netijeliligini we işini ýokarlandyrmak üçin.
Ýel turbinalarySiC tehnologiýasy ulanylýarýel turbinasyny dolandyryş ulgamlary, energiýa öndürmegi we konwersiýanyň netijeliligini optimizirlemek.
Aerokosmos we Goranmak:
SiC waferleri ulanmak üçin iň amatlydyraerokosmik elektronikaweharby ulanylyşlarşol sandaradar ulgamlarywesputnik elektronikasy, bu ýerde ýokary radiasiýa garşylygy we termal durnuklylygy örän möhümdir.
Ýokary temperatura we ýokary ýygylykly ulanylyşlar:
SiC waferleri ajaýyp işleýärýokary temperaturaly elektronika, ulanylýaruçar hereketlendirijileri, kosmos gämisi, wesenagat ýyladyş ulgamlary, sebäbi olar örän gyzgyn şertlerde hem öz işini saklaýarlar. Mundan başga-da, olaryň giň zolak aralygy ulanmaga mümkinçilik berýärýokary ýygylykly ulanylyşlarýalyRF enjamlarywemikrotolkunly aragatnaşyk.
| 6 dýuýmlyk N-tipli epit oklaýyn spesifikasiýa | |||
| Parametr | birlik | Z-MOS | |
| Görnüş | Geçirijilik / Goşundy | - | N-tip / Azot |
| Bufer gatlagy | Bufer gatlagynyň galyňlygy | um | 1 |
| Bufer gatlagynyň galyňlygyna çydamlylyk | % | ±20% | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasy | sm-3 | 1.00E+18 | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasyna çydamlylyk | % | ±20% | |
| 1-nji Epi Gatlagy | Epi gatlagynyň galyňlygy | um | 11.5 |
| Epi gatlagynyň galyňlygynyň deňligi | % | ±4% | |
| Epi gatlaklarynyň galyňlygyna çydamlylyk ((Specifica- Maks ，Min)/Spesifikasiýa) | % | ±5% | |
| Epi gatlagynyň konsentrasiýasy | sm-3 | 1E 15~ 1E 18 | |
| Epi gatlagynyň konsentrasiýasyna çydamlylyk | % | 6% | |
| Epi gatlagynyň konsentrasiýasynyň deňligi (σ) /diýmek) | % | ≤5% | |
| Epi gatlagynyň konsentrasiýasynyň deňligi <(maks-min)/(maks+min> | % | ≤ 10% | |
| Epitaixal Wafer Şekli | Ýaý | um | ≤±20 |
| WARP | um | ≤30 | |
| TTV | um | ≤ 10 | |
| LTV | um | ≤2 | |
| Umumy häsiýetler | Çyzgylaryň uzynlygy | mm | ≤30mm |
| Gyra çipleri | - | HIÇ KIMI | |
| Kemçilikleriň kesgitlenmesi | ≥97% （2*2 bilen ölçenýär） Öldüriji kemçilikler öz içine alýar: Kemçilikler öz içine alýar Mikrotruba / Uly çukurlar, Käşir, Üçburçluk | ||
| Metal hapalanmagy | atomlar/sm² | d f f ll i ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca weMn) | |
| Paket | Gaplama aýratynlyklary | sany/guty | köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap |
| 8 dýuýmlyk N-tipli epitaksial spesifikasiýa | |||
| Parametr | birlik | Z-MOS | |
| Görnüş | Geçirijilik / Goşundy | - | N-tip / Azot |
| Bufer gatlagy | Bufer gatlagynyň galyňlygy | um | 1 |
| Bufer gatlagynyň galyňlygyna çydamlylyk | % | ±20% | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasy | sm-3 | 1.00E+18 | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasyna çydamlylyk | % | ±20% | |
| 1-nji Epi Gatlagy | Epi gatlaklarynyň ortaça galyňlygy | um | 8~ 12 |
| Epi gatlaklarynyň galyňlygynyň deňligi (σ/ortaça) | % | ≤2.0 | |
| Epi gatlaklarynyň galyňlygyna çydamlylyk ((Spec -Max，Min)/Spec) | % | ±6 | |
| Epi Layers-iň ortaça arassa doping derejesi | sm-3 | 8E+15 ~2E+16 | |
| Epi Layers-iň arassa lehimleme deňligi (σ/ortaça) | % | ≤5 | |
| Epi Gatlaklarynyň Arassa Doping Çydamlylygy((Specifica -Max， | % | ± 10.0 | |
| Epitaixal Wafer Şekli | Mi)/S) Warp | um | ≤50.0 |
| Ýaý | um | ± 30.0 | |
| TTV | um | ≤ 10.0 | |
| LTV | um | ≤4.0 (10mm×10mm) | |
| Umumy Aýratynlyklar | Çyzyklar | - | Jemi uzynlyk≤ 1/2 Wafer diametri |
| Gyra çipleri | - | ≤2 çip, her radius ≤1.5mm | |
| Ýerüsti metallaryň hapalanmagy | atomlar/sm2 | ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca weMn) | |
| Kemçilikleri barlamak | % | ≥ 96.0 (2X2 kemçiliklerine mikrotrubalar / uly çukurlar girýär, Käşir, Üçburçluk kemçilikleri, Ýykylyşlar, Linear/IGSF-ler, BPD) | |
| Ýerüsti metallaryň hapalanmagy | atomlar/sm2 | ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca weMn) | |
| Paket | Gaplama aýratynlyklary | - | köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap |
SiC waferiniň sorag-jogaplary
S1: Güýçli elektronikada SiC waferlerini däp bolan kremniý waferlerine garanda ulanmagyň esasy artykmaçlyklary nämeler?
A1:
SiC plitalary elektrik elektronikasynda däp bolan kremniý (Si) plitalaryna garanyňda birnäçe esasy artykmaçlyklary hödürleýär, şol sanda:
Ýokary netijelilikSiC kremniý (1.1 eV) bilen deňeşdirilende has giň zolak aralygyna (3.26 eV) eýedir, bu bolsa enjamlaryň has ýokary naprýaženiýelerde, ýygylyklarda we temperaturalarda işlemegine mümkinçilik berýär. Bu bolsa energiýanyň azalmagyna we energiýany öwürmek ulgamlarynda netijeliligiň ýokarlanmagyna getirýär.
Ýokary ýylylyk geçirijiligiSiC-iň ýylylyk geçirijiligi kremniýiňkiden has ýokarydyr, bu bolsa ýokary kuwwatly ulanylyşlarda ýylylygyň has gowy ýaýramagyna mümkinçilik berýär, bu bolsa güýç enjamlarynyň ygtybarlylygyny we ömrüni gowulandyrýar.
Ýokary wolt we tok dolandyryşySiC enjamlary ýokary wolt we tok derejelerini dolandyryp bilýär, bu bolsa olary elektrik awtoulaglary, gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary we senagat motorlary ýaly ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin amatly edýär.
Has çalt geçiş tizligiSiC enjamlary has çalt geçiş mümkinçiliklerine eýedir, bu bolsa energiýa ýitgisini we ulgamyň ululygyny azaltmaga goşant goşýar we olary ýokary ýygylykly ulanyşlar üçin ideal edýär.
S2: Awtomobil senagatynda SiC plastinkalarynyň esasy ulanylyş ugurlary nämeler?
A2:
Awtomobil senagatynda SiC waferleri esasan şu aşakdaky maksatlarda ulanylýar:
Elektrikli ulaglaryň (EV) hereketlendirijileri: SiC esasly komponentler ýalyinwertorlarwegüýç MOSFET-lerielektrik ulaglarynyň hereketlendiriji ulgamlarynyň netijeliligini we işini has çalt geçiş tizligini we ýokary energiýa dykyzlygyny üpjün etmek arkaly gowulandyrýar. Bu bolsa batareýanyň ömrüniň uzamagyna we ulagyň umumy işiniň gowulanmagyna getirýär.
Bortdaky zarýad berijilerSiC enjamlary, elektrik awtoulaglarynyň ýokary kuwwatly zarýad beriş stansiýalaryny goldamagy üçin örän möhüm bolan, has çalt zarýad beriş wagtyny we has gowy termal dolandyryşy üpjün etmek arkaly bortdaky zarýad beriş ulgamlarynyň netijeliligini ýokarlandyrmaga kömek edýär.
Batareýa dolandyryş ulgamlary (BMS)SiC tehnologiýasy netijeliligi ýokarlandyrýarbatareýa dolandyryş ulgamlary, has gowy naprýaženiýe düzgünleşdirilmegine, has ýokary kuwwatly dolandyryşa we batareýanyň ömrüniň uzaldylmagyna mümkinçilik berýär.
DC-DC ÖwrüjilerSiC waferleri ulanylýarDC-DC öwrüjileriýokary woltly DC energiýasyny pes woltly DC energiýasyna has netijeli öwürmek, bu bolsa elektrik awtoulaglarynda batareýadan awtoulagyň dürli böleklerine energiýany dolandyrmak üçin örän möhümdir.
SiC-iň ýokary woltly, ýokary temperaturaly we ýokary netijeli ulanylyşlardaky ajaýyp öndürijiligi ony awtoulag senagatynyň elektrik hereketine geçmegi üçin möhüm edýär.
6 dýuýmlyk 4H-N görnüşli SiC waferiň tehniki häsiýetnamasy | ||
| Emläk | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
| Dereje | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
| Diametr | 149.5 mm – 150.0 mm | 149.5 mm – 150.0 mm |
| Politipli | 4H | 4H |
| Galyňlygy | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | Okdan daşary: <1120> ± 0.5° tarap 4.0° | Okdan daşary: <1120> ± 0.5° tarap 4.0° |
| Mikrotrubanyň dykyzlygy | ≤ 0.2 sm² | ≤ 15 sm² |
| Garşylyklylyk | 0.015 – 0.024 Ω·sm | 0.015 – 0.028 Ω·sm |
| Esasy Tekizlik Ugury | [10-10] ± 50° | [10-10] ± 50° |
| Esasy tekiz uzynlyk | 475 mm ± 2.0 mm | 475 mm ± 2.0 mm |
| Gyra çykarylyşy | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TIV / Bow / Warp | ≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm |
| Göwünsizlik | Polşa Ra ≤ 1 nm | Polşa Ra ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| Ýokary intensiwli çyranyň gyralarynyň çatlamagy | Jemi uzynlyk ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm | Jemi uzynlyk ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly altyburçluk plitalar | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 0.1% |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 3% |
| Wizual uglerod goşulmalary | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 5% |
| Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň | Jemi uzynlyk ≤ 1 wafer diametri | |
| Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri | Rugsat berilmeýär ≥ 0,2 mm ini we çuňlugy | 7 rugsat berilýär, her biri ≤ 1 mm |
| Ýüzükli wintiň çykarylyşy | < 500 sm³ | < 500 sm³ |
| Ýokary intensiwli ýagtylyk bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy | ||
| Gaplama | Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap | Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap |
8 дюйм 4H-N görnüşli SiC waferiň tehniki häsiýetnamasy | ||
| Emläk | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
| Dereje | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
| Diametr | 199.5 mm – 200.0 mm | 199.5 mm – 200.0 mm |
| Politipli | 4H | 4H |
| Galyňlygy | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | <110> ± 0.5° tarap 4.0° | <110> ± 0.5° tarap 4.0° |
| Mikrotrubanyň dykyzlygy | ≤ 0.2 sm² | ≤ 5 sm² |
| Garşylyklylyk | 0.015 – 0.025 Ω·sm | 0.015 – 0.028 Ω·sm |
| Asylly ugur | ||
| Gyra çykarylyşy | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TIV / Bow / Warp | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm |
| Göwünsizlik | Polşa Ra ≤ 1 nm | Polşa Ra ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| Ýokary intensiwli çyranyň gyralarynyň çatlamagy | Jemi uzynlyk ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm | Jemi uzynlyk ≤ 20 mm ýeke uzynlyk ≤ 2 mm |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly altyburçluk plitalar | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 0.1% |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 3% |
| Wizual uglerod goşulmalary | Jemi meýdan ≤ 0.05% | Jemi meýdan ≤ 5% |
| Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň | Jemi uzynlyk ≤ 1 wafer diametri | |
| Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri | Rugsat berilmeýär ≥ 0,2 mm ini we çuňlugy | 7 rugsat berilýär, her biri ≤ 1 mm |
| Ýüzükli wintiň çykarylyşy | < 500 sm³ | < 500 sm³ |
| Ýokary intensiwli ýagtylyk bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy | ||
| Gaplama | Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap | Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap |
6 дюйм 4H-ýarym SiC substratynyň spesifikasiýalary | ||
| Emläk | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
| Diametr (mm) | 145 mm – 150 mm | 145 mm – 150 mm |
| Politipli | 4H | 4H |
| Galyňlygy (um) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| Wafer ugry | Ok boýunça: ±0.0001° | Ok boýunça: ±0.05° |
| Mikrotrubanyň dykyzlygy | ≤ 15 sm-2 | ≤ 15 sm-2 |
| Garşylyk (Ωsm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| Esasy Tekizlik Ugury | (0-10)° ± 5.0° | (10-10)° ± 5.0° |
| Esasy tekiz uzynlyk | Notch | Notch |
| Gyra çykarylyşy (mm) | ≤ 2.5 µm / ≤ 15 µm | ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm |
| LTV / Bowl / Warp | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| Göwünsizlik | Polşa Ra ≤ 1.5 µm | Polşa Ra ≤ 1.5 µm |
| Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri | ≤ 20 µm | ≤ 60 µm |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly gyzdyryjy plitalar | Jemi ≤ 0.05% | Jemi ≤ 3% |
| Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary | Görsel uglerod goşulmalary ≤ 0.05% | Jemi ≤ 3% |
| Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň | ≤ 0.05% | Jemi ≤ 4% |
| Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri (ölçegi) | 02 mm-den ýokary giňlik we çuňluk rugsat berilmeýär | 02 mm-den ýokary giňlik we çuňluk rugsat berilmeýär |
| Kömekçi wintiň giňelmegi | ≤ 500 µm | ≤ 500 µm |
| Ýokary intensiwli ýagtylyk bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy | ≤ 1 x 10^5 | ≤ 1 x 10^5 |
| Gaplama | Köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap | Köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap |
4 dýuýmly 4H-Ýarym izolýasiýaly SiC substratynyň aýratynlyklary
| Parametr | Nol MPD önümçilik derejesi (Z derejesi) | Ýalan baha (D baha) |
|---|---|---|
| Fiziki häsiýetler | ||
| Diametr | 99.5 mm – 100.0 mm | 99.5 mm – 100.0 mm |
| Politipli | 4H | 4H |
| Galyňlygy | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| Wafer ugry | Ok boýunça: <600s > 0.5° | Ok boýunça: <000h > 0.5° |
| Elektrik häsiýetleri | ||
| Mikrotrubanyň dykyzlygy (MPD) | ≤1 sm⁻² | ≤15 sm⁻² |
| Garşylyklylyk | ≥150 Ω·sm | ≥1.5 Ω·sm |
| Geometrik çydamlylyklar | ||
| Esasy Tekizlik Ugury | (0×10) ± 5.0° | (0×10) ± 5.0° |
| Esasy tekiz uzynlyk | 52.5 mm ± 2.0 mm | 52.5 mm ± 2.0 mm |
| Ikinji derejeli tekiz uzynlyk | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm |
| Ikinji derejeli tekizlik ugry | Prime tekizliginden 90° CW ± 5.0° (Si ýüzüni ýokaryk galdyryp) | Prime tekizliginden 90° CW ± 5.0° (Si ýüzüni ýokaryk galdyryp) |
| Gyra çykarylyşy | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TTV / Bow / Warp | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| Ýüzleýiş hili | ||
| Ýüziň büdür-büdürligi (Polşa Ra) | ≤1 nm | ≤1 nm |
| Ýüziň büdür-büdürligi (CMP Ra) | ≤0.2 nm | ≤0.2 nm |
| Gyra çatlaklary (Ýokary intensiwli ýagtylyk) | Rugsat berilmeýär | Jemi uzynlyk ≥10 mm, ýeke çatlak ≤2 mm |
| Altyburçlukly plastinka kemçilikleri | ≤0.05% umumy meýdan | ≤0.1% umumy meýdan |
| Köptipli goşulyş zolaklary | Rugsat berilmeýär | ≤1% umumy meýdan |
| Wizual uglerod goşulmalary | ≤0.05% umumy meýdan | ≤1% umumy meýdan |
| Silikon ýüzindäki çyzyklaryň | Rugsat berilmeýär | ≤1 wafer diametriniň umumy uzynlygy |
| Gyra çipleri | Rugsat berilmeýär (≥0.2 mm giňlik/çuňluk) | ≤5 çip (her biri ≤1 mm) |
| Kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy | Görkezilmedik | Görkezilmedik |
| Gaplama | ||
| Gaplama | Köp waferli kasset ýa-da bir waferli gap | Köp waferli kaset ýa-da |
| 6 dýuýmlyk N-tipli epit oklaýyn spesifikasiýa | |||
| Parametr | birlik | Z-MOS | |
| Görnüş | Geçirijilik / Goşundy | - | N-tip / Azot |
| Bufer gatlagy | Bufer gatlagynyň galyňlygy | um | 1 |
| Bufer gatlagynyň galyňlygyna çydamlylyk | % | ±20% | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasy | sm-3 | 1.00E+18 | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasyna çydamlylyk | % | ±20% | |
| 1-nji Epi Gatlagy | Epi gatlagynyň galyňlygy | um | 11.5 |
| Epi gatlagynyň galyňlygynyň deňligi | % | ±4% | |
| Epi gatlaklarynyň galyňlygyna çydamlylyk ((Specifica- Maks ，Min)/Spesifikasiýa) | % | ±5% | |
| Epi gatlagynyň konsentrasiýasy | sm-3 | 1E 15~ 1E 18 | |
| Epi gatlagynyň konsentrasiýasyna çydamlylyk | % | 6% | |
| Epi gatlagynyň konsentrasiýasynyň deňligi (σ) /diýmek) | % | ≤5% | |
| Epi gatlagynyň konsentrasiýasynyň deňligi <(maks-min)/(maks+min> | % | ≤ 10% | |
| Epitaixal Wafer Şekli | Ýaý | um | ≤±20 |
| WARP | um | ≤30 | |
| TTV | um | ≤ 10 | |
| LTV | um | ≤2 | |
| Umumy häsiýetler | Çyzgylaryň uzynlygy | mm | ≤30mm |
| Gyra çipleri | - | HIÇ KIMI | |
| Kemçilikleriň kesgitlenmesi | ≥97% （2*2 bilen ölçenýär） Öldüriji kemçilikler öz içine alýar: Kemçilikler öz içine alýar Mikrotruba / Uly çukurlar, Käşir, Üçburçluk | ||
| Metal hapalanmagy | atomlar/sm² | d f f ll i ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca weMn) | |
| Paket | Gaplama aýratynlyklary | sany/guty | köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap |
| 8 dýuýmlyk N-tipli epitaksial spesifikasiýa | |||
| Parametr | birlik | Z-MOS | |
| Görnüş | Geçirijilik / Goşundy | - | N-tip / Azot |
| Bufer gatlagy | Bufer gatlagynyň galyňlygy | um | 1 |
| Bufer gatlagynyň galyňlygyna çydamlylyk | % | ±20% | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasy | sm-3 | 1.00E+18 | |
| Bufer gatlagynyň konsentrasiýasyna çydamlylyk | % | ±20% | |
| 1-nji Epi Gatlagy | Epi gatlaklarynyň ortaça galyňlygy | um | 8~ 12 |
| Epi gatlaklarynyň galyňlygynyň deňligi (σ/ortaça) | % | ≤2.0 | |
| Epi gatlaklarynyň galyňlygyna çydamlylyk ((Spec -Max，Min)/Spec) | % | ±6 | |
| Epi Layers-iň ortaça arassa doping derejesi | sm-3 | 8E+15 ~2E+16 | |
| Epi Layers-iň arassa lehimleme deňligi (σ/ortaça) | % | ≤5 | |
| Epi Gatlaklarynyň Arassa Doping Çydamlylygy((Specifica -Max， | % | ± 10.0 | |
| Epitaixal Wafer Şekli | Mi)/S) Warp | um | ≤50.0 |
| Ýaý | um | ± 30.0 | |
| TTV | um | ≤ 10.0 | |
| LTV | um | ≤4.0 (10mm×10mm) | |
| Umumy Aýratynlyklar | Çyzyklar | - | Jemi uzynlyk≤ 1/2 Wafer diametri |
| Gyra çipleri | - | ≤2 çip, her radius ≤1.5mm | |
| Ýerüsti metallaryň hapalanmagy | atomlar/sm2 | ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca weMn) | |
| Kemçilikleri barlamak | % | ≥ 96.0 (2X2 kemçiliklerine mikrotrubalar / uly çukurlar girýär, Käşir, Üçburçluk kemçilikleri, Ýykylyşlar, Linear/IGSF-ler, BPD) | |
| Ýerüsti metallaryň hapalanmagy | atomlar/sm2 | ≤5E10 atomlary / cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca weMn) | |
| Paket | Gaplama aýratynlyklary | - | köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap |
S1: Güýçli elektronikada SiC waferlerini däp bolan kremniý waferlerine garanda ulanmagyň esasy artykmaçlyklary nämeler?
A1:
SiC plitalary elektrik elektronikasynda däp bolan kremniý (Si) plitalaryna garanyňda birnäçe esasy artykmaçlyklary hödürleýär, şol sanda:
Ýokary netijelilikSiC kremniý (1.1 eV) bilen deňeşdirilende has giň zolak aralygyna (3.26 eV) eýedir, bu bolsa enjamlaryň has ýokary naprýaženiýelerde, ýygylyklarda we temperaturalarda işlemegine mümkinçilik berýär. Bu bolsa energiýanyň azalmagyna we energiýany öwürmek ulgamlarynda netijeliligiň ýokarlanmagyna getirýär.
Ýokary ýylylyk geçirijiligiSiC-iň ýylylyk geçirijiligi kremniýiňkiden has ýokarydyr, bu bolsa ýokary kuwwatly ulanylyşlarda ýylylygyň has gowy ýaýramagyna mümkinçilik berýär, bu bolsa güýç enjamlarynyň ygtybarlylygyny we ömrüni gowulandyrýar.
Ýokary wolt we tok dolandyryşySiC enjamlary ýokary wolt we tok derejelerini dolandyryp bilýär, bu bolsa olary elektrik awtoulaglary, gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary we senagat motorlary ýaly ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin amatly edýär.
Has çalt geçiş tizligiSiC enjamlary has çalt geçiş mümkinçiliklerine eýedir, bu bolsa energiýa ýitgisini we ulgamyň ululygyny azaltmaga goşant goşýar we olary ýokary ýygylykly ulanyşlar üçin ideal edýär.
S2: Awtomobil senagatynda SiC plastinkalarynyň esasy ulanylyş ugurlary nämeler?
A2:
Awtomobil senagatynda SiC waferleri esasan şu aşakdaky maksatlarda ulanylýar:
Elektrikli ulaglaryň (EV) hereketlendirijileri: SiC esasly komponentler ýalyinwertorlarwegüýç MOSFET-lerielektrik ulaglarynyň hereketlendiriji ulgamlarynyň netijeliligini we işini has çalt geçiş tizligini we ýokary energiýa dykyzlygyny üpjün etmek arkaly gowulandyrýar. Bu bolsa batareýanyň ömrüniň uzamagyna we ulagyň umumy işiniň gowulanmagyna getirýär.
Bortdaky zarýad berijilerSiC enjamlary, elektrik awtoulaglarynyň ýokary kuwwatly zarýad beriş stansiýalaryny goldamagy üçin örän möhüm bolan, has çalt zarýad beriş wagtyny we has gowy termal dolandyryşy üpjün etmek arkaly bortdaky zarýad beriş ulgamlarynyň netijeliligini ýokarlandyrmaga kömek edýär.
Batareýa dolandyryş ulgamlary (BMS)SiC tehnologiýasy netijeliligi ýokarlandyrýarbatareýa dolandyryş ulgamlary, has gowy naprýaženiýe düzgünleşdirilmegine, has ýokary kuwwatly dolandyryşa we batareýanyň ömrüniň uzaldylmagyna mümkinçilik berýär.
DC-DC ÖwrüjilerSiC waferleri ulanylýarDC-DC öwrüjileriýokary woltly DC energiýasyny pes woltly DC energiýasyna has netijeli öwürmek, bu bolsa elektrik awtoulaglarynda batareýadan awtoulagyň dürli böleklerine energiýany dolandyrmak üçin örän möhümdir.
SiC-iň ýokary woltly, ýokary temperaturaly we ýokary netijeli ulanylyşlardaky ajaýyp öndürijiligi ony awtoulag senagatynyň elektrik hereketine geçmegi üçin möhüm edýär.
Baglanyşykly önümler
-
8inch 200mm Silikon Karbid SiC Wafers 4H-N tip...
-
2 dýuýmlyk SiC Wafers 6H ýa-da 4H Ýarym izolýasiýaly SiC ...
-
3 dýuýmlyk SiC substrat önümçilik diametri 76.2mm 4H-N
-
HPSI SiC Wafer ≥90% Geçirijilik Optik Derejesi...
-
4H-N 8 dýuýmlyk SiC substrat waferi Silikon Karbid...
-
HPSI SiC wafer diametri: 3inç galyňlygy: 350um± 25 µm...