SiC kremniy karbid wafli SiC wafli 4H-N 6H-N HPSI （purokary arassalygy ýarym izolýasiýa） 4H / 6H-P 3C -n görnüşi 2 3 4 6 8inch

SiC kremniy karbid wafli SiC wafli 4H-N 6H-N HPSI （purokary arassalyk ýarym izolýasiýa） 4H / 6H-P 3C -n görnüşi 2 3 4 6 8inch bar

Gysga düşündiriş:

Öňdebaryjy optoelektronikada, elektrik enjamlarynda we ýokary temperaturaly şertlerde ulanmak üçin amatly bolan N görnüşli 4H-N we 6H-N wafli aýratyn üns berýän ýokary hilli SiC (Silikon Karbid) wafli dürli görnüşini hödürleýäris. . Bu N görnüşli wafli, ajaýyp ýylylyk geçirijiligi, ajaýyp elektrik durnuklylygy we ajaýyp berkligi bilen tanalýar, olary elektrik elektronikasy, elektrik ulagy hereketlendiriji ulgamlary, täzelenip bilýän energiýa inwertorlary we senagat elektrik üpjünçiligi ýaly ýokary öndürijilikli programmalar üçin ajaýyp edýär. N görnüşli tekliplerimizden başga-da, ýokary ýygylykly we RF enjamlary, şeýle hem fotonik goşundylar ýaly ýöriteleşdirilen zerurlyklar üçin P görnüşli 4H / 6H-P we 3C SiC wafli bilen üpjün edýäris. Wafli 2 dýuýmdan 8 dýuýma çenli ululykda bar we dürli senagat pudaklarynyň aýratyn talaplaryna laýyk çözgütleri hödürleýäris. Has giňişleýin maglumat ýa-da soraglar üçin biziň bilen habarlaşyp bilersiňiz.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Sypatlar

4H-N we 6H-N (N görnüşli SiC Wafers)

Arza:Ilki bilen güýç elektronikasynda, optoelektronikada we ýokary temperaturaly programmalarda ulanylýar.

Diametri diapazony:50,8 mm-den 200 mm-e çenli.

Galyňlygy:350 μm ± 25 μm, goşmaça galyňlygy 500 μm ± 25 μm.

Garşylyk:N görnüşli 4H / 6H-P: ≤ 0,1 Ω · sm (Z-dereje), ≤ 0,3 Ω · sm (P-dereje); N görnüşli 3C-N: ≤ 0.8 mΩ · sm (Z-dereje), ≤ 1 mΩ · sm (P-dereje).

Gödeklik:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ýa-da MP).

Mikrop turbanyň dykyzlygy (MPD):<1 ea / cm².

TTV: Allhli diametrler üçin ≤ 10 μm.

Warp: ≤ 30 μm (8 dýuým wafli üçin ≤ 45 μm).

Gyradan çykarmak:Wafiniň görnüşine baglylykda 3 mm-den 6 mm.

Gaplamak:Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli gap.

Ohter elýeterli 3inch 4inch 6inch 8inch

HPSI (Pokary arassalyk ýarym izolýasiýa SiC wafli)

Arza:RF enjamlary, fotonik programmalar we datçikler ýaly ýokary garşylygy we durnukly öndürijiligi talap edýän enjamlar üçin ulanylýar.

Diametri diapazony:50,8 mm-den 200 mm-e çenli.

Galyňlygy:Adaty galyňlygy 350 μm ± 25 μm, 500 μm çenli has galyň wafli üçin mümkinçilikler.

Gödeklik:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikrop turbanyň dykyzlygy (MPD): ≤ 1 ea / cm².

Garşylyk:Resistanceokary garşylyk, adatça ýarym izolýasiýa programmalarynda ulanylýar.

Warp: ≤ 30 μm (kiçi ululyklar üçin), has uly diametrler üçin ≤ 45 μm.

TTV: ≤ 10 μm.

Ohter elýeterli 3inch 4inch 6inch 8inch

4H-P、6H-P&3C SiC wafli(P görnüşli SiC Wafers)

Arza:Esasan güýç we ýokary ýygylykly enjamlar üçin.

Diametri diapazony:50,8 mm-den 200 mm-e çenli.

Galyňlygy:350 μm ± 25 μm ýa-da ýöriteleşdirilen görnüşler.

Garşylyk:P görnüşli 4H / 6H-P: ≤ 0,1 Ω · sm (Z-dereje), ≤ 0,3 Ω · sm (P-dereje).

Gödeklik:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ýa-da MP).

Mikrop turbanyň dykyzlygy (MPD):<1 ea / cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Gyradan çykarmak:3 mm-den 6 mm.

Warp: Kiçijik ululyklar üçin ≤ 30 μm, has uly ululyklar üçin ≤ 45 μm.

Ohter elýeterli 3inch 4inch 6inch5×5 10×10

Bölekleýin maglumatlar parametrleri tablisasy

Emläk	2 dýuým		3inç		4inç	6inç	8inç
Görnüşi	4H-N / HPSI / 6H-N / 4H / 6H-P / 3C;		4H-N / HPSI / 6H-N / 4H / 6H-P / 3C;		4H-N / HPSI // 4H / 6H-P / 3C;	4H-N / HPSI // 4H / 6H-P / 3C;	4H-N / HPSI / 4H-SEMI
Diametri	50,8 ± 0,3 mm		76.2 ± 0.3mm		100 ± 0.3mm	150 ± 0.3mm	200 ± 0,3 mm
Galyňlyk	330 ± 25 um		350 ± 25 um		350 ± 25 um	350 ± 25 um	350 ± 25 um
	350 ± 25um ；		500 ± 25um		500 ± 25um	500 ± 25um	500 ± 25um
	ýa-da özleşdirilen		ýa-da özleşdirilen		ýa-da özleşdirilen	ýa-da özleşdirilen	ýa-da özleşdirilen
Gödeklik	Ra ≤ 0.2nm		Ra ≤ 0.2nm		Ra ≤ 0.2nm	Ra ≤ 0.2nm	Ra ≤ 0.2nm
Warp	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45um
TTV	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Çyzmak / gazmak	CMP / MP
MPD	<1ea / cm-2	<1ea / cm-2		<1ea / cm-2		<1ea / cm-2		<1ea / cm-2
Şekil	Tegelek, tekiz 16mm length uzynlygy 22mm; Uzynlygy 30 / 32.5mm; Uzynlygy 47,5 mm; BELLIK; BELLIK;
Bevel	45 °, SEMI spes; C şekil
Baha	MOS & SBD üçin önümçilik derejesi; Gözleg derejesi; Dummy synp, Tohum wafli Bahasy
Bellik	Diametri, galyňlygy, ugry, ýokardaky aýratynlyklar islegiňiz boýunça düzülip bilner

Goýmalar

·Kuwwat elektronikasy

N görnüşli SiC wafli, ýokary woltly we ýokary tokly işlemek ukyby sebäpli güýçli elektron enjamlarynda möhümdir. Adatça täzelenýän energiýa, elektrik ulaglary we senagat awtomatizasiýasy ýaly pudaklarda elektrik öwrüjilerinde, inwertorlarda we motor hereketlendirijilerinde ulanylýar.

· Optoelektronika
N görnüşli SiC materiallary, esasanam optoelektroniki programmalar üçin, ýagtylyk çykaryjy diodlar (LED) we lazer diodlary ýaly enjamlarda ulanylýar. Olaryň ýokary ýylylyk geçirijiligi we giň zolakly ýokary öndürijilikli optoelektron enjamlary üçin ideal edýär.

·Temokary temperatura programmalary
4H-N 6H-N SiC wafli ýokary temperaturaly gurşaw üçin amatlydyr, meselem, howa giňişliginde, awtoulagda we senagat goşundylarynda ulanylýan datçiklerde we ýokary temperaturalarda durnuklylygyň möhüm bolmagy.

·RF enjamlary
4H-N 6H-N SiC wafli ýokary ýygylyk diapazonlarynda işleýän radio ýygylygy (RF) enjamlarynda ulanylýar. Highokary kuwwatlylygy we öndürijiligi talap edilýän aragatnaşyk ulgamlarynda, radar tehnologiýasynda we hemra aragatnaşygynda ulanylýar.

·Fotonik programmalar
Fotonikada, SiC wafli fotodetektor we modulýator ýaly enjamlar üçin ulanylýar. Materialyň özboluşly aýratynlyklary, optiki aragatnaşyk ulgamlarynda we şekillendiriş enjamlarynda ýagtylygy öndürmekde, modulirlemekde we ýüze çykarmakda täsirli bolmaga mümkinçilik berýär.

·Sensorlar
SiC wafli dürli datçik programmalarynda, esasanam beýleki materiallaryň şowsuz bolup biläýjek kyn şertlerinde ulanylýar. Bularyň arasynda awtoulag, nebit we gaz we daşky gurşawa gözegçilik ýaly ugurlarda zerur bolan temperatura, basyş we himiki datçikler bar.

·Elektrikli ulag ulgamlary
SiC tehnologiýasy, hereketlendiriji ulgamlaryň netijeliligini we öndürijiligini ýokarlandyrmak arkaly elektrik ulaglarynda möhüm rol oýnaýar. SiC kuwwatly ýarymgeçirijiler bilen elektrik ulaglary batareýanyň has gowy ömrüni, zarýad beriş wagtyny we has köp energiýa netijeliligini gazanyp biler.

·Ösen datçikler we fotonik öwrüjiler
Öňdebaryjy datçik tehnologiýalarynda robot, lukmançylyk enjamlary we daşky gurşaw gözegçiligi üçin amaly programmalar üçin ýokary takyklyk datçiklerini döretmek üçin SiC wafli ulanylýar. Fotonik öwrüjilerde, telekommunikasiýa we ýokary tizlikli internet infrastrukturasynda möhüm bolan elektrik energiýasyny optiki signallara netijeli öwürmek üçin SiC-iň aýratynlyklary ulanylýar.

Sowal-jogap

Q4 4H SiC-de 4H näme?
A4H SiC-de 4 "4H" kremniy karbidiň kristal gurluşyna, esasanam dört gatly (H) altyburç görnüşe degişlidir. "H" altyburçly polipiň görnüşini görkezýär, ony 6H ýa-da 3C ýaly beýleki SiC polip görnüşlerinden tapawutlandyrýar.

Q4 4H-SiC ýylylyk geçirijiligi nämeden ybarat?
A: 4H-SiC (Silikon Karbid) ýylylyk geçirijiligi, otag temperaturasynda takmynan 490-500 W / m · K. Bu ýokary ýylylyk geçirijiligi, elektrik energiýasynyň we ýokary temperaturaly ýerlerde, ýylylygyň netijeli ýaýramagy möhüm ähmiýete eýe.

Öňki: Safir turbasynyň takyklygy Al2O3 kristal aşaga çydamly ýokary gatylygy EFG / KY dürli diametrli ýalpyldawuk adaty

Indiki:

Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň