English

SiC wafli 4H-N 6H-N HPSI 4H ýarym 6H ýarym 4H-P 6H-P 3C görnüşli 2inç 3inç 4inç 6inç 8inç

SiC wafli 4H-N 6H-N HPSI 4H ýarym 6H ýarym 4H-P 6H-P 3C görnüşli 2inç 3inç 4inç 6inç 8inç Aýratyn surat
  • SiC wafli 4H-N 6H-N HPSI 4H ýarym 6H ýarym 4H-P 6H-P 3C görnüşli 2inç 3inç 4inç 6inç 8inç
  • SiC wafli 4H-N 6H-N HPSI 4H ýarym 6H ýarym 4H-P 6H-P 3C görnüşli 2inç 3inç 4inç 6inç 8inç
  • SiC wafli 4H-N 6H-N HPSI 4H ýarym 6H ýarym 4H-P 6H-P 3C görnüşli 2inç 3inç 4inç 6inç 8inç
  • SiC wafli 4H-N 6H-N HPSI 4H ýarym 6H ýarym 4H-P 6H-P 3C görnüşli 2inç 3inç 4inç 6inç 8inç
  • SiC wafli 4H-N 6H-N HPSI 4H ýarym 6H ýarym 4H-P 6H-P 3C görnüşli 2inç 3inç 4inç 6inç 8inç
  • SiC wafli 4H-N 6H-N HPSI 4H ýarym 6H ýarym 4H-P 6H-P 3C görnüşli 2inç 3inç 4inç 6inç 8inç

Gysgaça düşündiriş:

Biz ýokary hilli SiC (Silikon Karbid) plitalarynyň dürli görnüşlerini hödürleýäris, esasan hem ösen optoelektronikada, güýç enjamlarynda we ýokary temperaturaly gurşawlarda ulanmak üçin amatly bolan N-tipli 4H-N we 6H-N plitalaryna ünsi jemleýäris. Bu N-tipli plitalar ajaýyp ýylylyk geçirijiligi, ajaýyp elektrik durnuklylygy we ajaýyp çydamlylygy bilen tanalýar, bu bolsa olary güýç elektronikasy, elektrik ulaglarynyň hereketlendiriji ulgamlary, gaýtadan dikeldilýän energiýa inwertorlary we senagat energiýa üpjünçiligi ýaly ýokary öndürijilikli ulanylyşlar üçin ajaýyp edýär. N-tipli tekliplerimizden başga-da, biz ýokary ýygylykly we RF enjamlary, şeýle hem fotonik ulanylyşlar ýaly ýöriteleşdirilen zerurlyklar üçin P-tipli 4H/6H-P we 3C SiC plitalaryny hem hödürleýäris. Biziň plitalarymyz 2 dýuýmdan 8 dýuýma çenli ölçeglerde bar we biz dürli senagat pudaklarynyň aýratyn talaplaryna laýyk gelýän ýörite çözgütleri hödürleýäris. Goşmaça maglumat ýa-da soraglar üçin biziň bilen habarlaşyp bilersiňiz.


Aýratynlyklar

Emläkler

4H-N we 6H-N (N-tipli SiC plitalary)

Ulanyş:Esasan elektrik elektronikasynda, optoelektronikada we ýokary temperatura ulgamlarynda ulanylýar.

Diametr aralygy:50,8 mm-den 200 mm-e çenli.

Galyňlygy:350 μm ± 25 μm, galyňlygy isleg boýunça 500 μm ± 25 μm bolup biler.

Garşylyklylyk:N-tipli 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·sm (Z-derejeli), ≤ 0.3 Ω·sm (P-derejeli); N-tipli 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·sm (Z-derejeli), ≤ 1 mΩ·sm (P-derejeli).

Göwünsizlik:Ra ≤ 0.2 nm (CMP ýa-da MP).

Mikrotrubanyň dykyzlygy (MPD):< 1 ea/sm².

TTV: Ähli diametrler üçin ≤ 10 μm.

Çarpma: ≤ 30 μm (8 dýuýmlyk waferler üçin ≤ 45 μm).

Gyra çykarylyşy:Plitanyň görnüşine baglylykda 3 mm-den 6 mm-e çenli.

Gaplama:Köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap.

Elýeterli ölçeg 3 дюйм 4 дюйм 6 дюйм 8 дюйм

HPSI (Ýokary arassalykly ýarym izolýasiýaly SiC plitalary)

Ulanyş:RF enjamlary, fotonik programmalar we sensorlar ýaly ýokary garşylyk we durnukly iş talap edýän enjamlar üçin ulanylýar.

Diametr aralygy:50,8 mm-den 200 mm-e çenli.

Galyňlygy:Standart galyňlygy 350 μm ± 25 μm, galyňlygy 500 μm çenli bolan plitalar üçin wariantlar bilen.

Göwünsizlik:Ra ≤ 0.2 nm.

Mikrotrubanyň dykyzlygy (MPD): ≤ 1 ea/sm².

Garşylyklylyk:Ýokary garşylyk, adatça ýarym izolýasiýa ulgamlarynda ulanylýar.

Çarpma: ≤ 30 μm (kiçi ölçegler üçin), uly diametrler üçin ≤ 45 μm.

TTV: ≤ 10 μm.

Elýeterli ölçeg 3 дюйм 4 дюйм 6 дюйм 8 дюйм

4H-P、6H-P&3C SiC wafer(P-tipli SiC plitalary)

Ulanyş:Esasan hem güýç we ýokary ýygylykly enjamlar üçin.

Diametr aralygy:50,8 mm-den 200 mm-e çenli.

Galyňlygy:350 μm ± 25 μm ýa-da özleşdirilen opsiýalar.

Garşylyklylyk:P-tipli 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·sm (Z-dereje), ≤ 0.3 Ω·sm (P-dereje).

Göwünsizlik:Ra ≤ 0.2 nm (CMP ýa-da MP).

Mikrotrubanyň dykyzlygy (MPD):< 1 ea/sm².

TTV: ≤ 10 μm.

Gyra çykarylyşy:3 mm-den 6 mm-e çenli.

Çarpma: Kiçi ölçegler üçin ≤ 30 μm, uly ölçegler üçin ≤ 45 μm.

Elýeterli ölçeg 3inç 4inç 6inç5×5 10×10

Bölekleýin Maglumat Parametrleriniň Tablisasy

Emläk

2 dýuým

3 dýuým

4 dýuým

6 dýuým

8 dýuým

Görnüş

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-ÝARYM

Diametr

50.8 ± 0.3 mm

76.2±0.3mm

100±0.3mm

150±0.3mm

200 ± 0.3 mm

Galyňlygy

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

ýa-da özleşdirilen

ýa-da özleşdirilen

ýa-da özleşdirilen

ýa-da özleşdirilen

ýa-da özleşdirilen

Göwünsizlik

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Warp

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Çyzgylamak/Gazmak

CMP/MP

MPD

<1ea/sm-2

<1ea/sm-2

<1ea/sm-2

<1ea/sm-2

<1ea/sm-2

Şekil

Tegelek, tekiz 16 mm; uzynlygy 22 mm; uzynlygy 30/32.5 mm; uzynlygy 47.5 mm; OÝUN; OÝUN;

Egri

45°, ÝARYM Spesifikasiya; C şekili

 Dereje

MOS&SBD üçin önümçilik derejesi; Ylmy derejesi; Ýalan derejesi, Tohum wafer derejesi

Bellikler

Ýokardaky diametri, galyňlygy, ugry, tehniki häsiýetnamalary siziň islegiňiz boýunça sazlap bolýar

 

Programmalar

·Güýçli elektronika

N görnüşli SiC plitalary ýokary woltly we ýokary tok bilen işlemek ukyby sebäpli elektrikli elektron enjamlarda möhüm ähmiýete eýedir. Olar köplenç gaýtadan dikeldilýän energiýa, elektrik awtoulaglary we senagat awtomatlaşdyrmasy ýaly pudaklar üçin elektrik öwrümlerinde, inwertorlarda we motor hereketlendirijilerinde ulanylýar.

· Optoelektronika
N görnüşli SiC materiallary, esasanam optoelektroniki ulanylyşlar üçin, ýagtylyk çykarýan diodlar (LED) we lazer diodlary ýaly enjamlarda ulanylýar. Olaryň ýokary ýylylyk geçirijiligi we giň zolak aralygy olary ýokary öndürijilikli optoelektroniki enjamlar üçin ideal edýär.

·Ýokary temperatura ulanylyşy
4H-N 6H-N SiC plitalary ýokary temperatura şertlerinde, meselem, ýokary temperaturada ýylylygyň ýaýramagynyň we durnuklylygynyň möhüm bolan howa-kosmos, awtoulag we senagat ulgamlarynda ulanylýan sensorlarda we güýç enjamlarynda gowy gabat gelýär.

·RF enjamlary
4H-N 6H-N SiC lamelleri ýokary ýygylyk diapazonlarynda işleýän radio ýygylykly (RF) enjamlarda ulanylýar. Olar ýokary energiýa netijeliligi we öndürijilik talap edilýän aragatnaşyk ulgamlarynda, radar tehnologiýasynda we hemra aragatnaşygynda ulanylýar.

·Fotonik ulanylyşlar
Fotonika ulgamynda SiC plitalary fotodetektorlar we modulýatorlar ýaly enjamlar üçin ulanylýar. Materialyň özboluşly häsiýetleri onuň optiki aragatnaşyk ulgamlarynda we suratlandyryş enjamlarynda ýagtylyk döretmekde, modulýasiýa etmekde we anyklamakda netijeli bolmagyna mümkinçilik berýär.

·Sensorlar
SiC plitalary dürli sensor ulanylyşlarynda, esasanam beýleki materiallaryň zaýalanyp biljek kyn gurşawlarda ulanylýar. Bularyň arasynda awtoulag, nebit we gaz, şeýle hem daşky gurşawyň gözegçiligi ýaly ugurlarda möhüm bolan temperatura, basyş we himiki sensorlar bar.

·Elektrikli ulag sürüji ulgamlary
SiC tehnologiýasy hereketlendiriji ulgamlaryň netijeliligini we işini ýokarlandyrmak arkaly elektrik awtoulaglarynda möhüm rol oýnaýar. SiC güýç ýarymgeçirijileri bilen elektrik awtoulaglary batareýanyň has gowy ömrüni, has çalt zarýadlanyş wagtyny we has ýokary energiýa netijeliligini gazanyp bilerler.

·Ösen Sensorlar we Fotonik Öwrüjiler
Ösen sensor tehnologiýalarynda SiC plastinkalary robototehnikada, lukmançylyk enjamlarynda we daşky gurşawyň gözegçiliginde ulanylýan ýokary takyklykly sensorlary döretmek üçin ulanylýar. Fotonik öwrüjilerde SiC-niň häsiýetleri elektrik energiýasyny optiki signallara netijeli öwürmek üçin ulanylýar, bu bolsa telekommunikasiýa we ýokary tizlikli internet infrastrukturasynda möhümdir.

Sorag-jogap

Q4H SiC-de 4H näme?
A4H SiC-däki "4H" kremniý karbidiniň kristal gurluşyny, hususan-da, dört gatlakly (H) altyburçluk görnüşini aňladýar. "H" altyburçluk politipiň görnüşini görkezýär we ony 6H ýa-da 3C ýaly beýleki SiC politiplerinden tapawutlandyrýar.

Q4H-SiC-niň ýylylyk geçirijiligi näçe?
A:4H-SiC (Silicon Carbide)-iň ýylylyk geçirijiligi otagyň temperaturasynda takmynan 490-500 W/m·K deňdir. Bu ýokary ýylylyk geçirijiligi ony güýçli elektronikada we ýokary temperaturaly gurşawlarda ulanmak üçin amatly edýär, bu ýerde ýylylygyň netijeli ýaýramagy möhümdir.

  • Öňki:
  • Indiki:

    • Baglanyşykly önümler

    Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň
    Gözlemek üçin Enter düwmesine basyň ýa-da ýapmak üçin ESC düwmesine basyň