P görnüşli SiC wafli 4H / 6H-P 3C-N 6inç galyňlygy 350 μm başlangyç tekiz ugry

P görnüşli SiC wafli 4H / 6H-P 3C-N 6inç galyňlygy 350 μm, esasy tekiz ugrukdyryjy aýratyn suratly

Gysga düşündiriş:

P görnüşli SiC wafli, 4H / 6H-P 3C-N, galyňlygy 350 μm bolan 6 dýuým ýarymgeçiriji material we ösen elektroniki programmalar üçin niýetlenen esasy tekiz ugry. Highokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesi we aşa temperatura we poslaýjy şertlere garşylygy bilen tanalýan bu wafli ýokary öndürijilikli elektron enjamlary üçin amatlydyr. P görnüşli doping deşikleri esasy zarýad göterijiler hökmünde girizýär, bu bolsa elektrik elektronikasy we RF programmalary üçin ideal bolýar. Onuň berk gurluşy ýokary woltly we ýokary ýygylykly şertlerde durnukly işlemegi üpjün edýär, ony elektrik enjamlary, ýokary temperaturaly elektronika we ýokary netijelilik energiýa öwrülişi üçin amatly edýär. Esasy tekiz ugry, enjam ýasalyşynda yzygiderliligi üpjün edip, önümçilik prosesinde takyk deňleşmegi üpjün edýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Spesifikasiýa4H / 6H-P görnüşi SiC kompozit substratlar umumy parametrler tablisasy

6 dýuým diametri Silikon Karbid (SiC) substraty Spesifikasiýa

Baha			MPD önümçiligiBahasy (Z) Baha)	Standart önümçilikBaha (P. Baha)	Dummy Grade (D Baha)
Diametri			145,5 mm ~ 150.0 mm
Galyňlyk			350 μm ± 25 μm
Wafer ugry			-Offok: 2,0 ° -4.0 ° [1120] ± 0,5 ° 4H / 6H-P üçin, Okda: 3C-N üçin 〈111〉 ± 0,5 °
Mikrop turbanyň dykyzlygy			0 sm-2
Çydamlylyk	p görnüşli 4H / 6H-P		≤0.1 Ωꞏcm		≤0.3 Ωꞏcm
	n görnüşli 3C-N		≤0.8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Esasy kwartira		4H / 6H-P	-{1010} ± 5.0 °
		3C-N	-{110} ± 5.0 °
Esasy tekizlik uzynlygy			32,5 mm ± 2,0 mm
Ikinji tekizlik uzynlygy			18.0 mm ± 2,0 mm
Ikinji kwartira ugry			Silikonyň ýüzi: 90 ° CW. premýerden ± 5.0 °
Gyradan çykarmak			3 mm		6 mm
LTV / TTV / Bow / Warp			≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm		≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
Gödeklik			Polýak Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0.2 nm		Ra≤0.5 nm
Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar ýarylýar			Hiç		Jemi uzynlygy ≤ 10 mm, bir uzynlygy≤2 mm
Highokary intensiwlik bilen alty plastinka			Toplum meýdany ≤0.05%		Toplum meýdany ≤0.1%
Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri			Hiç		Toplum meýdany ≤3%
Wizual uglerod goşulmalary			Toplum meýdany ≤0.05%		Toplum meýdany ≤3%
Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary			Hiç		Jemi uzynlygy≤1 × wafli diametri
Gyrasy çipleri intensiwlik çyrasy bilen ýokary			Hiç biri ≥0.2mm ini we çuňlugy rugsat bermedi		5 rugsat berildi, hersi mm1 mm
Highokary intensiwlik bilen kremniniň üstü hapalanmagy			Hiç
Gaplamak			Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner

Bellikler:

Ects Kemçilikleriň çäkleri, gyradan çykarylýan ýerden başga ähli wafli ýüzüne degişlidir. # Dyrnaklary Si ýüzünde barlamaly

6 dýuým ululygy we 350 μm galyňlygy bilen P görnüşli SiC wafli, 4H / 6H-P 3C-N, ýokary öndürijilikli elektronikanyň senagat önümçiliginde möhüm rol oýnaýar. Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we ýokary bölüniş naprýa .eniýesi elektrik ulaglary, elektrik torlary we täzelenip bilýän energiýa ulgamlary ýaly ýokary temperaturaly şertlerde ulanylýan tok açarlary, diodlar we tranzistorlar ýaly komponentleri öndürmek üçin amatly edýär. Wafli agyr şertlerde netijeli işlemek ukyby, ýokary güýç dykyzlygyny we energiýa netijeliligini talap edýän önümçilik programmalarynda ygtybarly öndürijiligi üpjün edýär. Mundan başga-da, esasy tekiz ugrukdyryjy enjam öndürilende takyk deňleşmäge kömek edýär, önümçiligiň netijeliligini we önümiň yzygiderliligini ýokarlandyrýar.

N görnüşli SiC birleşdirilen substratlaryň artykmaçlyklary öz içine alýar

Termokary ýylylyk geçirijiligi: P görnüşli SiC wafli ýylylygy ýokary derejede bölüp, ýokary temperaturaly programmalar üçin amatly edýär.
Breakokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesi: Elektroniki enjamlarda we ýokary woltly enjamlarda ygtybarlylygy üpjün edip, ýokary woltlara çydamly.
Zyýanly şertlere garşylyk: Temperatureokary temperatura we poslaýjy gurşaw ýaly aşa şertlerde ajaýyp çydamlylyk.
Netijeli güýç öwrülişi: P görnüşli doping, tygşytly işlemegi ýeňilleşdirýär, wafli energiýa öwrüliş ulgamlary üçin amatly edýär.
Esasy kwartira: Önümçilik wagtynda takyk deňleşmegi, enjamyň takyklygyny we yzygiderliligini ýokarlandyrýar.
Inçe gurluş (350 μm): Wafli optimal galyňlygy ösen, giňişlik bilen çäklendirilen elektron enjamlaryna integrasiýany goldaýar.

Umuman aýdanyňda, P görnüşli SiC wafli, 4H / 6H-P 3C-N, önümçilik we elektroniki goşundylar üçin ýokary derejede amatly bolan birnäçe artykmaçlygy hödürleýär. Highokary ýylylyk geçirijiligi we bölüniş naprýa .eniýesi ýokary temperaturada we ýokary woltly şertlerde ygtybarly işlemäge mümkinçilik berýär, agyr şertlere garşylygy bolsa berkligi üpjün edýär. P görnüşli doping, elektrik elektronikasy we energiýa ulgamlary üçin ideal edip, netijeli güýji öwürmäge mümkinçilik berýär. Mundan başga-da, wafli esasy tekiz ugry, önümçilik yzygiderliligini ýokarlandyryp, önümçilik prosesinde takyk deňleşmegi üpjün edýär. Galyňlygy 350 μm bolan, ösen, ykjam enjamlara integrasiýa üçin amatlydyr.