Habarlar
-
Geçiriji we ýarym izolýasiýaly kremniý karbid substratynyň ulanylyşlary
Kremniý karbid substraty ýarym izolýasiýaly we geçirijilikli görnüşe bölünýär. Häzirki wagtda ýarym izolýasiýaly kremniý karbid substrat önümleriniň esasy spesifikasiýalary 4 dýuýmdyr. Geçiriji kremniý karbid önümçiliginde...Köpräk okaň -
Dürli kristal ugurlary bolan sapfir plitalarynyň ulanylyşynda hem tapawutlar barmy?
Safir alýumin oksidiniň bir kristallydyr, üç bölekli kristal ulgamyna degişlidir, altyburçluk gurluşlydyr, onuň kristal gurluşy üç kislorod atomundan we iki alýumin atomundan kowalent baglanyşyk görnüşinde düzülip, örän ýakyn ýerleşdirilip, güýçli baglanyşyk zynjyry we tor energiýasy bilen üpjün edilen, kristal interfeýsi bolsa...Köpräk okaň -
SiC geçiriji substrat bilen ýarym izolýasiýa edilen substratyň arasyndaky tapawut näme?
SiC kremniý karbid enjamy çig mal hökmünde kremniý karbidinden ýasalan enjamy aňladýar. Dürli garşylyk häsiýetlerine görä, ol geçiriji kremniý karbid güýç enjamlaryna we ýarym izolýasiýaly kremniý karbid RF enjamlaryna bölünýär. Esasy enjam görnüşleri we...Köpräk okaň -
Makala sizi TGV-niň ussatlygyna alyp barýar
TGV näme? TGV, (Aýna arkaly), aýna substratda deşikler döretmegiň tehnologiýasy. Gysgaça aýdylanda, TGV aýnanyň üstünde integral mikroshemalary gurmak üçin aýnany deşýän, doldurýan we ýokary we aşaky birleşdirýän beýik jaýdyr...Köpräk okaň -
Plastinkanyň ýüzüniň hilini bahalandyrmagyň görkezijileri nämeler?
Ýarymgeçiriji tehnologiýasynyň üznüksiz ösmegi bilen, ýarymgeçiriji senagatynda we hatda fotowoltaik senagatynda hem, wafer substratynyň ýa-da epitaksial listiň ýüzüniň hiline bolan talaplar örän berk. Şeýlelikde, hil talaplary nähili...Köpräk okaň -
SiC monokristallarynyň ösüş prosesi barada näçe zat bilýärsiňiz?
Kremniý karbidi (SiC), giň zolakly ýarymgeçiriji material hökmünde, häzirki zaman ylmynyň we tehnologiýasynyň ulanylyşynda barha möhüm rol oýnaýar. Kremniý karbidi ajaýyp termal durnuklylyga, ýokary elektrik meýdanyna çydamlylyga, maksatly geçirijilige we ... eýedir.Köpräk okaň -
Ýerli SiC substratlarynyň üstünlik gazanmagy ugrundaky göreş
Soňky ýyllarda täze energiýa ulaglary, fotowoltaik energiýa öndürmek we energiýa saklamak ýaly aşaky akym ulgamlarynyň yzygiderli ornaşmagy bilen, täze ýarymgeçiriji material hökmünde SiC bu ugurlarda möhüm rol oýnaýar. Şuňa görä...Köpräk okaň -
SiC MOSFET, 2300 volt.
26-njy günde “Power Cube Semi” Günorta Koreýanyň ilkinji 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET ýarymgeçirijisiniň üstünlikli işlenip düzülendigini yglan etdi. Bar bolan Si (Silicon) esasly ýarymgeçirijiler bilen deňeşdirilende, SiC (Silicon Carbide) has ýokary naprýaženiýelere çydap bilýär, şonuň üçin ol...Köpräk okaň -
Ýarymgeçirijileriň dikeldilmegi diňe bir illýuziýamy?
2021-nji ýyldan 2022-nji ýyla çenli COVID-19 ýokanjynyň netijesinde ýüze çykan ýörite talaplar sebäpli global ýarymgeçirijiler bazarynda çalt ösüş boldy. Şeýle-de bolsa, COVID-19 pandemiýasynyň döreden ýörite talaplary 2022-nji ýylyň ikinji ýarymynda tamamlanyp, ...Köpräk okaň -
2024-nji ýylda ýarymgeçirijileriň maýa goýumlary azaldy
Çarşenbe güni Prezident Baýden Intel kompaniýasyna CHIPS we Ylym Kanuny esasynda 8,5 milliard dollar göni maliýeleşdirme we 11 milliard dollar karz bermek baradaky ylalaşygy yglan etdi. Intel bu maliýeleşdirmäni Arizona, Ogaýo, Nýu-Meksiko we Oregon ştatlaryndaky wafer fabrikalary üçin ulanar. Habar berlişi ýaly...Köpräk okaň -
SiC wafer näme?
SiC plitalary kremniý karbidinden ýasalan ýarymgeçirijilerdir. Bu material 1893-nji ýylda işlenip düzüldi we dürli maksatlar üçin amatlydyr. Esasanam Şottki diodlary, birleşýän päsgelçilik Şottki diodlary, açarlar we metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan täsirli geçirijiler üçin amatlydyr...Köpräk okaň -
Üçünji nesil ýarymgeçirijiniň – kremniý karbidiniň çuňňur düşündirilişi
Kremniý karbidine giriş Kremniý karbidi (SiC) ugleroddan we kremniýden düzülen garyşyk ýarymgeçiriji material bolup, ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly, ýokary kuwwatly we ýokary woltly enjamlary ýasamak üçin ideal materiallaryň biridir. Adaty ... bilen deňeşdirilendeKöpräk okaň