26-njy gün “Power Cube Semi” Günorta Koreýanyň ilkinji 2300V SiC (Silikon Karbid) MOSFET ýarymgeçirijisiniň üstünlikli ösüşini yglan etdi.
Bar bolan Si (Silikon) esasly ýarymgeçirijiler bilen deňeşdirilende, SiC (Silikon Karbid) has ýokary naprýa .eniýelere çydap bilýär, şonuň üçin elektrik ýarymgeçirijileriniň geljegini alyp barýan indiki nesil hökmünde kabul edilýär.Elektrik ulaglarynyň köpelmegi we emeli intellekt bilen dolandyrylýan maglumat merkezleriniň giňelmegi ýaly iň täze tehnologiýalary ornaşdyrmak üçin zerur komponent bolup hyzmat edýär.
“Power Cube Semi” üç esasy kategoriýada: SiC (Silikon Karbid), Si (Silikon) we Ga2O3 (Gallium Okside) güýç ýarymgeçiriji enjamlary ösdürýän başarnyksyz kompaniýa.Recentlyakynda bu kompaniýa, ýarymgeçirijiniň dizaýny we tehnologiýasy bilen tanalýan ýokary kuwwatly Schottky Barrier Diodes (SBD) Hytaýdaky global elektrik ulag kompaniýasyna ýüz tutdy we satdy.
2300V SiC MOSFET-iň çykmagy Günorta Koreýada şeýle ösüşiň ilkinji hadysasy hökmünde bellärliklidir.Germaniýada ýerleşýän global elektrik ýarymgeçiriji kompaniýasy bolan “Infineon” hem 2000V önüminiň mart aýynda satuwa çykarylandygyny habar berdi, ýöne 2300V önüm hatary bolmazdan.
TO-247PLUS-4-HCC paketini ulanyp, “Infineon” -yň 2000V CoolSiC MOSFET dizaýnerleriň arasynda güýç dykyzlygynyň ýokarlanmagyna bolan islegi kanagatlandyrýar, berk woltly we kommutasiýa ýygylygy şertlerinde-de ulgamyň ygtybarlylygyny üpjün edýär.
CoolSiC MOSFET has ýokary göni tok naprýa .eniýesini hödürleýär, tok artdyrmazdan güýç artdyrmaga mümkinçilik berýär.Bu, TOV-247PLUS-4-HCC paketini ulanyp, 14mm aralyk aralygy we 5,4 mm arassalamak bilen, 2000V naprýa .eniýe naprýa .eniýesi bilen bazardaky ilkinji diskret kremniy karbid enjamy.Bu enjamlarda pes kommutasiýa ýitgileri bar we gün simli inwertorlar, energiýa saklaýyş ulgamlary we elektrik ulagy zarýad bermek ýaly programmalar üçin amatly.
CoolSiC MOSFET 2000V önüm seriýasy 1500V DC çenli ýokary woltly DC awtobus ulgamlary üçin amatlydyr.1700V SiC MOSFET bilen deňeşdirilende, bu enjam 1500V DC ulgamlary üçin ýeterlik artykmaç wolt marginini üpjün edýär.CoolSiC MOSFET 4,5V çäk naprýa .eniýesini hödürleýär we gaty gatnaw üçin berk beden diodlary bilen enjamlaşdyrylandyr..XT birikdiriş tehnologiýasy bilen bu komponentler ajaýyp ýylylyk öndürijiligini we güýçli çyglylyga garşylygy hödürleýär.
2000V CoolSiC MOSFET-den başga-da, Infineon ýakyn wagtda 2024-nji ýylyň üçünji çärýeginde we 2024-nji ýylyň soňky çärýeginde TO-247PLUS 4 pinli we TO-247-2 paketlerde gaplanan goşmaça CoolSiC diodlaryny çykarar.Bu diodlar gün ulanylyşy üçin aýratyn amatlydyr.Gabat gelýän derweze sürüjisiniň önüm kombinasiýalary hem bar.
“CoolSiC MOSFET 2000V” önüm seriýasy indi bazara çykýar.Mundan başga-da, Infineon laýyk baha beriş tagtalaryny hödürleýär: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Döredijiler bu tagtany 2000V derejesinde bahalandyrylan ähli CoolSiC MOSFET we diodlara, şeýle hem goşa impulsly ýa-da üznüksiz PWM operasiýasy arkaly EiceDRIVER ykjam bir kanally izolýasiýa derwezesiniň sürüjisi 1ED31xx önüm seriýasyna baha bermek üçin takyk umumy synag platformasy hökmünde ulanyp bilerler.
“Power Cube Semi” -niň baş tehnologiýa bölüminiň başlygy Gung Şin-so: “1700V SiC MOSFET-lerini öndürmek we köpçülikleýin öndürmek boýunça bar bolan tejribämizi 2300V çenli giňeldip bildik.
Iş wagty: Apr-08-2024