SiC wafli kremniy karbidden ýasalan ýarymgeçirijilerdir.Bu material 1893-nji ýylda işlenip düzüldi we dürli goşundylar üçin amatly.Esasanam Şottki diodlary, birleşýän barýer Şottki diodlary, wyklýuçateller we metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan effektli tranzistorlar üçin amatly.Hardokary gatylygy sebäpli, elektroniki komponentler üçin ajaýyp saýlawdyr.
Häzirki wagtda SiC wafli iki esasy görnüşi bar.Birinjisi, ýekeje kremniy karbid wafli bolan ýalpyldawuk wafli.Highokary arassa SiC kristallaryndan ýasalan we diametri 100mm ýa-da 150mm bolup biler.Powerokary güýçli elektron enjamlarynda ulanylýar.Ikinji görnüşi epitaksial kristal kremniy karbid wafli.Wafli bu görnüş, kremniý karbid kristallarynyň bir gatlagyny goşmak arkaly ýasalýar.Bu usul materialyň galyňlygyna takyk gözegçilik etmegi talap edýär we N görnüşli epitaksiýa diýilýär.
Indiki görnüşi beta kremniý karbiddir.Beta SiC 1700 gradusdan ýokary temperaturada öndürilýär.Alfa karbidler iň köp ýaýran we wurtzite meňzeş altyburç kristal gurluşyna eýe.Beta görnüşi göwher bilen meňzeş we käbir programmalarda ulanylýar.Elektrik ulagynyň güýji ýarym taýýar önümler üçin elmydama ilkinji saýlaw boldy.Häzirki wagtda bu täze materialyň üstünde birnäçe üçünji tarap kremniy karbid wafli üpjün edijileri işleýär.
ZMSH SiC wafli ýarymgeçiriji materiallardyr.Köp programmalar üçin oňaýly ýokary hilli ýarymgeçiriji material.ZMSH kremniy karbid wafli dürli elektron enjamlary üçin örän peýdaly materialdyr.ZMSH ýokary hilli SiC wafli we substratlaryň giň toplumyny üpjün edýär.N görnüşli we ýarym izolýasiýa görnüşinde bar.
2 --- Silikon Karbid: Wafleriň täze eýýamyna tarap
Silikon karbidiň fiziki aýratynlyklary we aýratynlyklary
Silikon karbid, göwher ýaly altyburçly gaplanan gurluşy ulanyp, ýörite kristal gurluşyna eýe.Bu gurluş kremniy karbidine ajaýyp ýylylyk geçirijiligine we ýokary temperatura çydamlylygyna mümkinçilik berýär.Adaty kremniy materiallar bilen deňeşdirilende, kremniy karbid has uly zolakly boşlugy üpjün edýär, bu has ýokary elektron zolakly aralygy üpjün edýär, netijede ýokary elektron hereketi we syzyş akymy pes bolýar.Mundan başga-da, kremniy karbid has ýokary elektron doýma tizligine we materialyň pes garşylygyna eýe bolup, ýokary güýçli programmalar üçin has gowy öndürijilik üpjün edýär.
Silikon karbid wafli ulanylyşy we geljegi
Kuwwatly elektronika programmalary
Silikon karbid wafli, elektronika pudagynda giň ulanylyş perspektiwasyna eýedir.Elektronyň ýokary hereketi we ajaýyp ýylylyk geçirijiligi sebäpli, SIC wafli elektrik ulaglary we gün inwertorlary üçin güýç modullary ýaly ýokary güýçli dykyzlykly kommutasiýa enjamlaryny öndürmek üçin ulanylyp bilner.Silikon karbid wafli ýokary temperatura durnuklylygy, bu enjamlara has ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy üpjün edip, ýokary temperatura şertlerinde işlemäge mümkinçilik berýär.
Optoelektroniki programmalar
Optoelektron enjamlary ulgamynda kremniy karbid wafli özboluşly artykmaçlyklaryny görkezýär.Silikon karbid materialy, giň fotonon energiýasyny we optoelektron enjamlarynda pes ýagtylygy ýitirmäge mümkinçilik berýän giň zolakly boşluk aýratynlyklaryna eýedir.Silikon karbid wafli ýokary tizlikli aragatnaşyk enjamlaryny, fotodetektorlary we lazerleri taýýarlamak üçin ulanylyp bilner.Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we pes kristal kemçilik dykyzlygy ýokary hilli optoelektron enjamlaryny taýýarlamak üçin amatly edýär.
Outlook
Performanceokary öndürijilikli elektron enjamlaryna bolan islegiň artmagy bilen, kremniy karbid wafli ajaýyp häsiýetleri we giň ulanylyş mümkinçiligi bolan material hökmünde geljegi uly.Taýýarlyk tehnologiýasynyň yzygiderli kämilleşdirilmegi we çykdajylaryň arzanlamagy bilen kremniý karbid wafli täjirçilik taýdan ulanylar.Öňümizdäki birnäçe ýylda kremniy karbid wafli ýuwaş-ýuwaşdan bazara girer we ýokary güýç, ýokary ýygylyk we ýokary temperatura goşundylary üçin esasy saýlama bolar diýlip garaşylýar.
3 --- SiC wafli bazary we tehnologiýa tendensiýalaryny çuňňur seljermek
Silikon karbid (SiC) wafli bazaryň sürüjilerini çuňňur seljermek
Silikon karbid (SiC) wafli bazarynyň ösmegine birnäçe möhüm faktorlar täsir edýär we bu faktorlaryň bazara edýän täsirini çuňňur seljermek möhümdir.Ine, bazaryň esasy hereketlendirijileriniň käbiri:
Energiýany tygşytlamak we daşky gurşawy goramak: Silikon karbid materiallarynyň ýokary öndürijiligi we pes energiýa sarp ediş aýratynlyklary ony energiýa tygşytlamak we daşky gurşawy goramak pudagynda meşhur edýär.Elektrik ulaglaryna, gün inwertorlaryna we beýleki energiýa öwrüji enjamlara bolan isleg, kremniý karbid wafli bazaryň ösmegine itergi berýär, sebäbi energiýa galyndylaryny azaltmaga kömek edýär.
“Power Electronics” programmalary: Silikon karbid elektrik elektronik programmalarynda has ýokarydyr we ýokary basyşda we ýokary temperatura şertlerinde elektrik elektronikasynda ulanylyp bilner.Gaýtadan dikeldilýän energiýanyň ýaýramagy we elektrik energiýasynyň geçişiniň ösmegi bilen, elektronika bazaryndaky kremniy karbid waflerine bolan isleg artýar.
SiC geljekde önümçilik tehnologiýasynyň ösüş tendensiýasyny jikme-jik seljerýär
Köpçülikleýin önümçilik we çykdajylary azaltmak: Geljekki SiC wafli önümçiligi köpçülikleýin önümçilige we çykdajylary azaltmaga has köp üns berer.Bu öndürijiligi ýokarlandyrmak we önümçilik çykdajylaryny azaltmak üçin himiki buglary çökdürmek (CVD) we fiziki bug çökdürmek (PVD) ýaly ösen ösüş usullaryny öz içine alýar.Mundan başga-da, akylly we awtomatiki önümçilik prosesleriniň kabul edilmegi netijeliligi hasam ýokarlandyrar diýlip garaşylýar.
Täze wafli ululygy we gurluşy: SiC wafli ululygy we gurluşy geljekde dürli programmalaryň isleglerini kanagatlandyrmak üçin üýtgäp biler.Has köp dizaýn çeýeligi we öndürijilik opsiýalaryny üpjün etmek üçin has uly diametrli wafli, birmeňzeş gurluşlary ýa-da köp gatly wafli öz içine alyp biler.
Energiýa tygşytlylygy we ýaşyl önümçilik: Geljekde SiC wafli öndürmek energiýa netijeliligine we ýaşyl önümçilige has uly ähmiýet berer.Gaýtadan dikeldilýän energiýa, ýaşyl materiallar, galyndylary gaýtadan işlemek we az uglerod öndürmek bilen işleýän zawodlar önümçiligiň tendensiýasyna öwrüler.
Iş wagty: -20anwar-19-2024