Epitaksial gatlak
-
Safir Epi gatlakly wafer substratynda 200 mm 8 dýuým GaN
-
RF Akustik Enjamlar üçin Ýokary Öndürijilikli Geterogen Substrat (LNOSiC)
-
4-inçlik aýnadaky GaN: JGS1, JGS2, BF33 we Adaty Kwarts ýaly özleşdirip bolýan aýna opsiýalary
-
AlN-on-NPSS wafer: Ýokary temperatura, ýokary kuwwatlylyk we RF ulanylyşlary üçin jylaňlanmadyk sapfir substratyndaky ýokary öndürijilikli alýumin nitrid gatlagy
-
Özleşdirilen GaN-on-SiC epitaksial plitalary (100mm, 150mm) – Birnäçe SiC substrat opsiýalary (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-on-Diamond Wafers 4 дюйм 6 дюйм Jemi epi galyňlygy (mikron) 0.6 ~ 2.5 ýa-da ýokary ýygylykly ulanyşlar üçin özleşdirilen
-
Lazerli lukmançylyk bejergisi üçin GaAs ýokary kuwwatly epitaksial wafer substraty galliý arsenid wafer güýji lazer tolkun uzynlygy 905nm
-
InGaAs epitaksial wafer substraty PD massiwi fotodetektor massiwlerini LiDAR üçin ulanyp bolýar
-
2 дюйм 3 дюйм 4 дюйм InP epitaksial wafer substraty APD ýagtylyk detektory, süýümli optiki aragatnaşyk ýa-da LiDAR üçin
-
6inch SiC Epitaxiy wafer N/P görnüşi özleşdirilen görnüşde kabul edilýär
-
MOS ýa-da SBD üçin 4 дюйм SiC Epi wafer
-
Mikroelektronika we radio ýygylygy üçin üç gatlakly kremniý izolýator substraty SOI plastinasy