Epitaksial gatlak
-
Safir Epi gatlakly wafli substratda 200mm 8inch GaN
-
Aýna 4-inçdäki GaN: JGS1, JGS2, BF33 we adaty kwars ýaly aýna görnüşleri
-
AlN-on-NPSS Wafer: Temokary temperatura, ýokary kuwwatly we RF programmalary üçin polat edilmedik ýakut substratynda ýokary öndürijilikli alýumin nitrit gatlagy
-
Silikon wafli boýunça Gallium Nitride 4inch 6inch tikilen Si substrat ugrukdyrylyşy, çydamlylygy we N görnüşli / P görnüşli görnüşleri
-
Custöriteleşdirilen GaN-on-SiC epitaksial wafli (100mm, 150mm) - Birnäçe SiC substrat görnüşi (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P)
-
GaN-on-Diamond Wafers 4inch 6inch Jemi epi galyňlygy (mikron) 0,6 ~ 2,5 ýa-da ýokary ýygylykly programmalar üçin ýöriteleşdirilen
-
InGaAs epitaksial wafli substraty PD Array fotodetektor massiwleri LiDAR üçin ulanylyp bilner
-
Süýüm optiki aragatnaşyk ýa-da LiDAR üçin 2inç 3inç 4inç InP epitaksial wafli substrat APD ýagtylyk detektory
-
LaA ýokary güýçli epitaksial wafli substrat gallium arsenid wafli lazer tolkun uzynlygy 905nm lazer bejergisi üçin
-
Silikon-on-izolýator substrat SOI wafli mikroelektronika we radio ýygylygy üçin üç gatlak
-
Silikon 8 dýuým we 6 dýuým SOI (Silikon-On-izolýator) wafli boýunça SOI wafli izolýatory
-
6inch SiC Epitaxiy wafer N / P görnüşi özbaşdak kabul edilýär