2 дюйм 3 дюйм 4 дюйм InP epitaksial wafer substraty APD ýagtylyk detektory, süýümli optiki aragatnaşyk ýa-da LiDAR üçin

Gysgaça düşündiriş:

InP epitaksial substrat APD öndürmek üçin esasy material bolup, adatça epitaksial ösüş tehnologiýasy arkaly substrata ýerleşdirilen ýarymgeçiriji materialdyr. Köp ulanylýan materiallara ajaýyp fotoelektrik häsiýetlere eýe bolan kremniý (Si), galliý arsenid (GaAs), galliý nitridi (GaN) we ş.m. girýär. APD fotodetektory anyklaýyş signalyny güýçlendirmek üçin uçgun fotoelektrik effektini ulanýan ýörite fotodetektor görnüşidir. APD-e fotonlar düşende, elektron-deşik jübütleri döreýär. Bu daşaýjylaryň elektrik meýdanynyň täsiri astynda tizlenmegi has köp daşaýjylaryň, "uçgun effektiniň" emele gelmegine getirip biler, bu bolsa çykyş toguny ep-esli güýçlendirýär.
MOCvD arkaly ösdürilip ýetişdirilen epitaksial plitalar uçgun fotodeteksiýa diodlarynyň ulanylyşynyň esasy ugurlarydyr. Absorbsiýa gatlagy fon lehimlemesi <5E14 bolan U-InGaAs materialyndan taýýarlanyldy. Funksional gatlak InP ýa-da InAlAslayer ulanyp biler. InP epitaksial substrat APD öndürmek üçin esasy material bolup, optiki detektoryň işini kesgitleýär. APD fotodetektory aragatnaşyk, duýuş we suratlandyryş ulgamlarynda giňden ulanylýan ýokary duýgurlykly fotodetektoryň bir görnüşidir.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

InP lazer epitaksial listiniň esasy aýratynlyklaryna şular girýär

1. Zolak aralygynyň häsiýetnamalary: InP dar zolak aralygyna eýedir, bu bolsa uzyn tolkunly infragyzyl şöhleleri anyklamak üçin, esasanam 1,3μm-den 1,5μm-e çenli tolkun uzynlygy aralygynda amatlydyr.
2. Optiki görkeziji: InP epitaksial plýonkasy dürli tolkun uzynlyklarynda ýagtylyk güýji we daşarky kwant netijeliligi ýaly gowy optik görkezijilere eýedir. Mysal üçin, 480 nm-de ýagtylyk güýji we daşarky kwant netijeliligi degişlilikde 11,2% we 98,8% -e deňdir.
3. Daşaýjy dinamikasy: InP nanopartikullary (NP) epitaksial ösüş döwründe iki esse eksponensial dargama häsiýetini görkezýär. Çalt dargama wagty InGaAs gatlagyna daşaýjynyň inýeksiýasy bilen baglanyşykly, haýal dargama wagty bolsa InP NP-lerinde daşaýjynyň rekombinasiýasyna baglydyr.
4. Ýokary temperatura häsiýetnamalary: AlGaInAs/InP kwantum guýusynyň materialy ýokary temperaturada ajaýyp öndürijilige eýedir, bu bolsa akym syzmagynyň öňüni netijeli alyp we lazeriň ýokary temperatura häsiýetlerini gowulandyryp biler.
5. Önümçilik prosesi: InP epitaksial listleri, adatça, ýokary hilli plýonkalary almak üçin substratda molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE) ýa-da metal-organik himiki bug çökündisi (MOCVD) tehnologiýasy arkaly ösdürilip ýetişdirilýär.
Bu aýratynlyklar InP lazer epitaksial plastinkalarynyň optiki süýümli aragatnaşykda, kwant açar paýlanyşynda we uzakdan optiki anyklaýyşda möhüm ulanylyşyny üpjün edýär.

InP lazer epitaksial tabletkalarynyň esasy ulanylyş ugurlary:

1. Fotonika: InP lazerleri we detektorlary optiki aragatnaşykda, maglumat merkezlerinde, infragyzyl suratlarda, biometrikada, 3D duýuşda we LiDAR-da giňden ulanylýar.

2. Telekommunikasiýalar: InP materiallary kremniý esasly uzyn tolkunly lazerleriň giň möçberli integrasiýasynda, esasanam optiki süýümli aragatnaşykda möhüm ulanylyşa eýedir.

3. Infragyzyl lazerler: InP esasly kwantum guýulary lazerleriniň orta infragyzyl zolakda (meselem, 4-38 mikron) ulanylyşlary, şol sanda gaz duýujylygy, partlaýjy maddalary anyklamak we infragyzyl suratlandyrmak.

4. Kremniý fotonika: Geterogen integrasiýa tehnologiýasy arkaly InP lazeri köpugurly kremniý optoelektron integrasiýa platformasyny döretmek üçin kremniý esasly substrata geçirilýär.

5. Ýokary öndürijilikli lazerler: InP materiallary 1,5 mikron tolkun uzynlygy bolan InGaAsP-InP tranzistor lazerleri ýaly ýokary öndürijilikli lazerleri öndürmek üçin ulanylýar.

XKH optiki aragatnaşyk, sensorlar, 4G/5G baza stansiýalary we ş.m. ýaly dürli ulanylyşlary öz içine alýan dürli gurluşly we galyňlykly InP epitaksial waferlerini hödürleýär. XKH-nyň önümleri ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin ösen MOCVD enjamlary arkaly öndürilýär. Logistika babatda XKH halkara çeşme kanallarynyň giň görnüşine eýedir, sargytlaryň sanyny çeýe dolandyryp bilýär we inçelmek, segmentleşdirmek ýaly goşmaça gymmatly hyzmatlary hödürleýär. Netijeli eltip berme prosesleri wagtynda eltip bermegi üpjün edýär we müşderileriň hil we eltip berme wagty boýunça talaplaryny kanagatlandyrýar. Gelenden soň, müşderiler önümiň rahat ulanylmaga berilmegini üpjün etmek üçin toplumlaýyn tehniki goldaw we satuwdan soňky hyzmat alyp bilerler.