Safir Epi gatlakly wafli substratda 200mm 8inch GaN
Önümiň tanyşdyrylyşy
8 dýuýmlyk GaN-on-Safir substraty, sapfir substratynda ösen Gallium Nitride (GaN) gatlagyndan düzülen ýokary hilli ýarymgeçiriji materialdyr.Bu material ajaýyp elektron transport aýratynlyklaryny hödürleýär we ýokary güýçli we ýokary ýygylykly ýarymgeçiriji enjamlary ýasamak üçin amatlydyr.
Önümçilik usuly
Önümçilik prosesi, metal-organiki himiki bug buglanyşy (MOCVD) ýa-da molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE) ýaly ösen usullary ulanyp, sapfir substratynda GaN gatlagynyň epitaksial ösmegini öz içine alýar.Depolasiýa ýokary hrustal hilini we filmiň birmeňzeşligini üpjün etmek üçin gözegçilik edilýän şertlerde amala aşyrylýar.
Goýmalar
8 dýuýmlyk “GaN-on-Sapphire” substraty mikrotolkun aragatnaşygy, radar ulgamlary, simsiz tehnologiýa we optoelektronika ýaly dürli ugurlarda giň amaly tapýar.Adaty programmalaryň käbiri:
1. RF güýçlendiriji
2. LED yşyklandyryş pudagy
3. Simsiz ulgam aragatnaşyk enjamlary
4. temperatureokary temperaturaly gurşaw üçin elektron enjamlar
5. Optoelektron enjamlary
Haryt aýratynlyklary
Ölçegi: Substratyň ululygy 8 dýuým (200 mm).
- faceerüsti hil: surfaceer ýokary derejede tekizlenýär we aýna ýaly ajaýyp hil görkezýär.
- Galyňlygy: GaN gatlagynyň galyňlygy aýratyn talaplara esaslanyp düzülip bilner.
- Gaplamak: Substrat tranzit wagtynda zeper ýetmeginiň öňüni almak üçin anti-statik materiallara gaplanýar.
- ugrukdyryş tekizligi: Substrat, enjam ýasalýan mahaly wafli deňleşdirmekde we işlemekde kömek etmek üçin belli bir ugry bar.
- Beýleki parametrler: Galyňlygyň, garşylygyň we dopant konsentrasiýasynyň aýratynlyklary müşderiniň talaplaryna laýyklykda düzülip bilner.
Iň ýokary material aýratynlyklary we köpugurly goşundylary bilen 8 dýuýmlyk GaN-on-Safir substraty dürli pudaklarda ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlaryň ösmegi üçin ygtybarly saýlawdyr.
“GaN-On-Sapphire” -den başga-da, güýç enjamlary programmalary ulgamynda hem hödürläp bileris, önüm maşgalasyna 8 dýuýmlyk AlGaN / GaN-on-Si epitaksial wafli we 8 dýuýmlyk P-cap AlGaN / GaN-on-Si epitaksiýasy girýär wafli.Şol bir wagtyň özünde, mikrotolkun meýdanynda öz ösen 8 dýuýmlyk GaN epitaksi tehnologiýasyny ulanmagy täzeledik we ýokary öndürijilik bilen uly göwrümli, arzan bahaly 8 dýuým AlGaN / GAN-on-HR Si epitaks wafli taýýarladyk. we adaty 8 dýuým enjamy gaýtadan işlemek bilen utgaşýar.Silikon esasly galiý nitridinden başga-da, müşderileriň kremniý esasly galiý nitrid epitaksial materiallaryna bolan isleglerini kanagatlandyrmak üçin AlGaN / GaN-on-SiC epitaksial wafli önümimiz bar.
Jikme-jik diagramma
