Safir Epi gatlakly wafli 100 mm 4inch GaN Gallium nitrid epitaksial wafli
GaN gök LED kwant guýusynyň ösüş prosesi.Jikme-jik proses akymy aşakdaky ýaly
(1) temperatureokary temperaturaly çörek bişirmek, ýakut substraty wodorod atmosferasynda ilki bilen 1050 to çenli gyzdyrylýar, maksat substratyň üstüni arassalamak;
(2) Substratyň temperaturasy 510 drops aşak düşende, 30nm galyňlygyndaky pes temperaturaly GaN / AlN bufer gatlagy sapfir substratynyň üstünde goýulýar;
.
(4) Trimetil alýumininiň we trimetil galiniň reaksiýa gazy, 0,15um galyňlygy bolan kremniý doply N görnüşli A⒑ yklymlaryny taýýarlamak üçin ulanyldy;
.
.
(7) P-görnüşli GaN Sibuýan filmi, azot atmosferasynda 700 at derejesinde gyzdyryldy;
(8) N görnüşli G staziniň üstüni açmak üçin P görnüşli G staziniň ýüzüne çykmak;
(9) Ni-Au kontakt plitalarynyň p-GaNI üstündäki bugarmagy, ll-GaN üstündäki △ / Al kontakt plitalarynyň bugarmagy elektrodlary emele getirýär.
Aýratynlyklary
| Haryt | GaN-TCU-C100 | GaN-TCN-C100 |
| Ölçegleri | e 100 mm ± 0,1 mm | |
| Galyňlyk | 4.5 ± 0,5 um düzülip bilner | |
| Ugrukdyrma | C-uçar (0001) ± 0,5 ° | |
| Geçirijiniň görnüşi | N görnüşli (Açylmadyk) | N görnüşli (Si-doped) |
| Çydamlylyk (300K) | <0,5 Q ・ sm | <0.05 Q ・ sm |
| Daşaýjy konsentrasiýasy | <5x1017sm-3 | > 1x1018sm-3 |
| Hereket | ~ 300 sm2/ Vs | ~ 200 sm2/ Vs |
| Dislokasiýa dykyzlygy | 5x10-dan az8sm-2(XRD-iň FWHM-leri bilen hasaplanýar) | |
| Substrat gurluşy | Safirde GaN (Standard: SSP Opsiýa: DSP) | |
| Ulanylýan ýer meýdany | > 90% | |
| Bukja | Azot atmosferasynda 100 synp otagynda, 25 sany kassetalarda ýa-da ýekeje wafli gaplarda gaplanýar. | |
Jikme-jik diagramma
