MOS ýa-da SBD Önümçilik Barlaglary we Dummy derejesi üçin 6inch 150mm Silikon Karbid SiC Wafers 4H-N görnüşi

MOS ýa-da SBD önümçilik gözlegleri we Dummy derejeli aýratyn surat üçin 6inch 150mm Silikon Karbid SiC Wafers 4H-N görnüşi

Gysga düşündiriş:

6 dýuým kremniý karbid ýeke kristal substrat ajaýyp fiziki we himiki aýratynlyklary bolan ýokary öndürijilikli materialdyr. Highokary arassa kremniy karbid ýeke kristal materialdan öndürilen, ýokary ýylylyk geçirijiligini, mehaniki durnuklylygyny we ýokary temperatura garşylygyny görkezýär. Takyk önümçilik prosesleri we ýokary hilli materiallar bilen ýasalan bu substrat, dürli ugurlarda ýokary öndürijilikli elektron enjamlaryny ýasamak üçin ileri tutulýan material boldy.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Programma meýdanlary

6 dýuým kremniý karbid ýeke kristal substrat köp pudaklarda möhüm rol oýnaýar. Ilki bilen, ýarymgeçiriji pudagynda güýç tranzistorlary, integral zynjyrlar we güýç modullary ýaly ýokary güýçli elektron enjamlaryny öndürmek üçin giňden ulanylýar. Highokary ýylylyk geçirijiligi we ýokary temperatura garşylygy ýylylygyň has gowy ýaýramagyna mümkinçilik döredýär, netijede netijelilik we ygtybarlylyk ýokarlanýar. Ikinjiden, täze materiallary we enjamlary ösdürmek üçin kremniy karbid wafli gözleg ugurlarynda möhümdir. Mundan başga-da, kremniý karbid wafli optoelektronika, şol sanda yşyklandyryjylar we lazer diodlary öndürmekde giň amaly tapýar.

Haryt aýratynlyklary

6 dýuým kremniý karbid ýeke kristal substratyň diametri 6 dýuým (takmynan 152,4 mm). Surfaceeriň gödekligi Ra <0,5 nm, galyňlygy 600 ± 25 μm. Substrat, müşderiniň talaplaryna esaslanyp, N görnüşli ýa-da P görnüşli geçirijilik bilen düzülip bilner. Mundan başga-da, basyşa we titremä garşy durmaga ukyply ajaýyp mehaniki durnuklylygy görkezýär.

Diametri		150 ± 2.0mm （6inç）
Galyňlyk		350 μm ± 25μm
Ugrukdyrma		Okda 000 <0001> ± 0,5 °		Öçürilen ok ： 4.0 ° 1120 ± 0,5 °
Politip		4H
Çydamlylyk (Ω · sm)	4H-N	0.015 ~ 0.028 Ω · cm / 0.015 ~ 0.025ohm · sm
	4 / 6H-SI	> 1E5
Esasy tekiz ugry		{10-10} .0 5.0 °
Esasy tekiz uzynlyk (mm)		47,5 mm ± 2,5 mm
Gyrasy		Çamfer
TTV / Bow / Warp (um)		≤15 / ≤40 / ≤60
AFM Front (Si-face)		Polýak Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm (10mm * 10mm)	≤5μm (10mm * 10mm)		≤10μm (10mm * 10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Mämişi gabyk / çukurlar / çatryklar / hapalanmalar / tegmiller		Hiç	Hiç		Hiç
görkezýär		Hiç	Hiç		Hiç

6 dýuým kremniý karbid ýeke kristal substrat ýarymgeçiriji, gözleg we andtoelektronika pudaklarynda giňden ulanylýan ýokary öndürijilikli materialdyr. Ajaýyp ýylylyk geçirijiligini, mehaniki durnuklylygy we ýokary temperatura garşylygy hödürleýär, ýokary güýçli elektron enjamlaryny ýasamak we täze material gözlegleri üçin amatly edýär. Müşderiniň dürli isleglerini kanagatlandyrmak üçin dürli spesifikasiýalary we özleşdirme opsiýalaryny hödürleýäris.Silikon karbid wafli barada has giňişleýin maglumat üçin bize ýüz tutuň!