MOS ýa-da SBD önümçilik barlaglary we nusgalyk dereje üçin 6 дюйм 150 mm Silikon Karbid SiC Wafers 4H-N görnüşli

MOS ýa-da SBD önümçilik barlaglary we nusgalyk derejeli 6 dýuýmly 150 mm Silikon karbidli SiC waferler 4H-N görnüşli. Görkezilen surat.

Gysgaça düşündiriş:

6 dýuýmlyk kremniý karbidiniň monokristal substraty ajaýyp fiziki we himiki häsiýetlere eýe bolan ýokary öndürijilikli materialdyr. Ýokary arassa kremniý karbidiniň monokristal materialyndan öndürilen bu substrat ýokary derejeli ýylylyk geçirijiligini, mehaniki durnuklylygyny we ýokary temperatura garşylygyny görkezýär. Takyk önümçilik prosesleri we ýokary hilli materiallar bilen ýasalan bu substrat dürli ugurlarda ýokary netijeli elektron enjamlary öndürmek üçin iň gowy materiala öwrüldi.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Ulanyş meýdanlary

6 dýuýmlyk kremniý karbidiniň bir kristally substraty köp pudaklarda möhüm rol oýnaýar. Birinjiden, ol ýarymgeçiriji senagatynda güýçli tranzistorlar, integral mikrosxemalar we güýç modullary ýaly ýokary kuwwatly elektron enjamlary öndürmek üçin giňden ulanylýar. Onuň ýokary ýylylyk geçirijiligi we ýokary temperatura garşylygy ýylylygyň has gowy ýaýramagyna mümkinçilik berýär, netijede netijeliligi we ygtybarlylygy ýokarlanýar. Ikinjiden, kremniý karbidiniň plitalary täze materiallary we enjamlary işläp düzmek üçin ylmy-barlag pudaklarynda möhümdir. Mundan başga-da, kremniý karbidiniň plastinkasy optoelektronika ulgamynda, şol sanda LED-leri we lazer diodlaryny öndürmekde giňden ulanylýar.

Önümiň aýratynlyklary

6 dýuýmlyk kremniý karbidiniň bir kristall substratynyň diametri 6 dýuým (takmynan 152,4 mm). Ýüziniň nagyşlygy Ra < 0,5 nm, galyňlygy bolsa 600 ± 25 μm. Substrat müşderiniň talaplaryna esaslanyp, N-tipli ýa-da P-tipli geçirijilik bilen sazlanyp bilner. Mundan başga-da, ol basyşa we titremelere çydap bilýän ajaýyp mehaniki durnuklylygy görkezýär.

Diametr		150±2.0mm（6inç）
Galyňlygy		350 μm±25μm
Ugurlanma		Ok boýunça： <0001>±0.5°		Okdan daşarda：4.0° 1120±0.5° tarap
Köptip		4H
Garşylyk (Ω·sm)	4H-N	0.015 ~ 0.028 Ω · sm / 0.015 ~ 0.025ohm · sm
	4/6H-SI	>1E5
Esasy tekiz ugur		{10-10}±5.0°
Esasy tekiz uzynlyk (mm)		47.5 mm±2.5 mm
Gyra		Paxça
TTV/Bow /Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM öň tarapy (Si-face)		Polşa Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm (10mm * 10mm)	≤5μm (10mm * 10mm)		≤10μm (10mm * 10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Apelsin gabygy/çukurjyklar/ýaryklar/hapalanma/lekeler/çyzyklanmalar		Hiç hili	Hiç hili		Hiç hili
boşluklar		Hiç hili	Hiç hili		Hiç hili

6 dýuýmlyk kremniý karbidiniň bir kristally substraty ýarymgeçirijilerde, ylmy-barlag işlerinde, optoelektronika senagatynda giňden ulanylýan ýokary öndürijilikli materialdyr. Ol ajaýyp ýylylyk geçirijiligini, mehaniki durnuklylygy we ýokary temperatura garşylygyny üpjün edýär, bu bolsa ony ýokary kuwwatly elektron enjamlaryny öndürmek we täze materiallary öwrenmek üçin amatly edýär. Müşderileriň dürli talaplaryny kanagatlandyrmak üçin dürli tehniki aýratynlyklary we sazlamak opsiýalaryny hödürleýäris.Kremniý karbid plitalary barada has giňişleýin maglumat almak üçin biziň bilen habarlaşyň!