Safir Epi gatlakly wafli boýunça 50,8mm 2inch GaN

Safirde 50.8mm 2inch GaN Epi gatlakly wafli Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Üçünji nesil ýarymgeçiriji material hökmünde galliý nitrid ýokary temperatura garşylygy, ýokary sazlaşyklylygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi we giň zolakly boşlugy ýaly artykmaçlyklara eýedir. Dürli substrat materiallaryna görä, galiý nitrid epitaksial listleri dört kategoriýa bölmek bolar: galiý nitridi esasly galiý nitridi, kremniý karbidi esasly galiý nitridi, sapfir esasly galiý nitridi we kremniý esasly galiý nitridi. Silikon esasly galliý nitrid epitaksial list, pes önümçilik bahasy we ýetişen önümçilik tehnologiýasy bilen iň köp ulanylýan önüm.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Galiý nitrid GaN epitaksial sahypasyny ulanmak

Galiý nitridiň öndürijiligine esaslanyp, galiý nitrid epitaksial çipleri esasan ýokary güýç, ýokary ýygylyk we pes woltly programmalar üçin amatlydyr.

Onda öz beýanyny tapdy:

1) bandokary zolakly: bandokary zolakly galiý nitrid enjamlarynyň naprýa .eniýe derejesini ýokarlandyrýar we 5G aragatnaşyk bazasy, harby radar we beýleki meýdanlar üçin has amatly bolan galiý arsenid enjamlaryndan has ýokary güýç çykaryp biler;

2) konwersiýanyň ýokary netijeliligi: galiý nitrit kommutasiýa kuwwatly elektron enjamlarynyň garşylygy, kremniý enjamlaryndan 3 ululyk pesdir, bu açyk ýitgini ep-esli azaldyp biler;

3) termokary ýylylyk geçirijiligi: galliý nitritiň ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary güýçli, ýokary temperaturaly we enjamlaryň beýleki meýdanlaryny öndürmek üçin amatly ýylylyk paýlanyşyna eýe bolýar;

4) Bölünýän elektrik meýdanynyň güýji: icarymgeçiriji prosesi, material panjara laýyk gelmezligi we beýleki faktorlar sebäpli galliý nitridiň bölünip çykýan elektrik meýdany kremniý nitridiň güýjüne ýakyn bolsa-da, galiý nitrid enjamlarynyň naprýa .eniýe çydamlylygy adatça 1000V töweregi we ygtybarly ulanmak naprýa .eniýesi adatça 650V-den pesdir.

Haryt	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Ölçegleri	e 50,8mm ± 0,1mm
Galyňlyk	4,5 ± 0,5 um		4.5 ± 0.5um
Ugrukdyrma	C-uçar (0001) ± 0,5 °
Geçirijiniň görnüşi	N görnüşli (Açylmadyk)	N görnüşli (Si-doped)	P görnüşi (Mg-doped)
Çydamlylyk (3O0K)	<0,5 Q ・ sm	<0.05 Q ・ sm	~ 10 Q ・ sm
Daşaýjy konsentrasiýasy	<5x10¹⁷sm^-3	> 1x10¹⁸sm^-3	> 6x1016 sm^-3
Hereket	~ 300 sm²/ Vs	~ 200 sm²/ Vs	~ 10 sm²/ Vs
Dislokasiýa dykyzlygy	5x10-dan az⁸sm^-2(XRD-iň FWHM-leri bilen hasaplanýar)
Substrat gurluşy	Safirde GaN (Standard: SSP Opsiýa: DSP)
Ulanylýan ýer meýdany	> 90%
Bukja	Azot atmosferasynda 100 klas arassa otag gurşawynda, 25 sany kassetalarda ýa-da ýekeje wafli gaplarda gaplanýar.