Safir Epi gatlakly wafer substratynda 200 mm 8 dýuým GaN
Önümiň tanyşdyrylyşy
8 dýuýmlyk GaN-on-Sapphire substraty, sapfir substratynyň üstünde ösdürilip ýetişdirilen Galliý Nitridi (GaN) gatlagyndan düzülen ýokary hilli ýarymgeçiriji materialdyr. Bu material ajaýyp elektron daşaýjy häsiýetleri hödürleýär we ýokary kuwwatly we ýokary ýygylykly ýarymgeçiriji enjamlary öndürmek üçin idealdyr.
Önümçilik usuly
Önümçilik prosesi metal-organik himiki bug çökündisi (MOCVD) ýa-da molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE) ýaly öňdebaryjy usullary ulanyp, sapfir substratynda GaN gatlagynyň epitaksial ösüşini öz içine alýar. Çökündi kristallaryň ýokary hilini we plýonkanyň birmeňzeşligini üpjün etmek üçin gözegçilikli şertlerde amala aşyrylýar.
Programmalar
8 dýuýmlyk GaN-on-Sapphire substraty mikrotolkunly aragatnaşyk, radar ulgamlary, simsiz tehnologiýa we optoelektronika ýaly dürli ugurlarda giňden ulanylýar. Umumy ulanylyşlaryň käbiri:
1. RF güýç güýçlendirijileri
2. LED yşyklandyryş senagaty
3. Simsiz tor aragatnaşyk enjamlary
4. Ýokary temperaturaly gurşawlar üçin elektron enjamlar
5. Optoelektron enjamlar
Önümiň aýratynlyklary
-Ölçegleri: Substratyň ölçegi diametri 8 dýuým (200 mm).
- Ýüziň hili: Ýüzi ýokary derejede tekizlige çenli jylaňlandyrylan we aýna ýaly ajaýyp hili görkezýär.
- Galyňlygy: GaN gatlagynyň galyňlygy belli bir talaplara esaslanyp sazlanyp bilner.
- Gaplama: Daşamak wagtynda zyýan ýetmezligi üçin substrat antistatik materiallara üns bilen gaplanýar.
- Ugrukdyryjy tekizlik: Enjamyň öndürilişi prosesinde waferleri deňleşdirmäge we işletmäge kömek etmek üçin substratyň belli bir ugurly tekizligi bar.
- Beýleki parametrler: Galyňlygyň, garşylygyň we garyndynyň konsentrasiýasynyň aýratynlyklary müşderiniň talaplaryna laýyklykda sazlanyp bilner.
Ýokary derejeli material häsiýetleri we köpugurly ulanylyşy bilen, 8 dýuýmlyk GaN-on-Sapphire substraty dürli pudaklarda ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlary işläp düzmek üçin ygtybarly saýlawdyr.
GaN-On-Sapphire-den başga-da, biz elektrik enjamlarynyň ulanylyş ulgamynda hem teklip edip bileris, önüm maşgalasyna 8 dýuýmlyk AlGaN/GaN-on-Si epitaksial waferler we 8 dýuýmlyk P-gaply AlGaN/GaN-on-Si epitaksial waferler girýär. Şol bir wagtyň özünde, biz mikrotolkunly peç ulgamynda öz ösen 8 dýuýmlyk GaN epitaksial tehnologiýasyny ulanmakda täzelikler girizdik we ýokary öndürijiligi uly ölçegli, arzan we standart 8 dýuýmlyk enjam işleme bilen utgaşykly birleşdirýän 8 dýuýmlyk AlGaN/GAN-on-HR Si epitaksial waferini işläp düzdik. Kremniý esasly galliý nitridinden başga-da, müşderileriň kremniý esasly galliý nitrid epitaksial materiallaryna bolan isleglerini kanagatlandyrmak üçin AlGaN/GaN-on-SiC epitaksial waferleriniň önüm liniýasy hem bar.
Jikme-jik diagramma
