English

2 dýuýmlyk SiC Wafers 6H ýa-da 4H Ýarym izolýasiýaly SiC substratlary Diametri 50.8mm

2 dýuýmlyk SiC Wafers 6H ýa-da 4H Ýarym izolýasiýaly SiC substratlary Diametri 50.8mm Görkezilen surat
  • 2 dýuýmlyk SiC Wafers 6H ýa-da 4H Ýarym izolýasiýaly SiC substratlary Diametri 50.8mm
  • 2 dýuýmlyk SiC Wafers 6H ýa-da 4H Ýarym izolýasiýaly SiC substratlary Diametri 50.8mm
  • 2 dýuýmlyk SiC Wafers 6H ýa-da 4H Ýarym izolýasiýaly SiC substratlary Diametri 50.8mm

Gysgaça düşündiriş:

Kremniý karbidi (SiC) IV-IV toparlaryň ikilik birleşmesidir, elementleriň döwürleýin tablisasynyň IV toparyndaky ýeke-täk durnukly gaty birleşmedir, möhüm ýarymgeçirijidir. SiC ajaýyp termal, mehaniki, himiki we elektrik häsiýetlerine eýedir, bu bolsa ony ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly elektron enjamlary ýasamak üçin iň gowy materiallaryň biri edýär.


Aýratynlyklar

Kremniý karbid substratynyň ulanylyşy

Kremniý karbid substratyny garşylyklylygyna görä geçirijilikli we ýarym izolýasiýaly görnüşlere bölüp bolýar. Geçirijilikli kremniý karbid enjamlary esasan elektrik ulaglarynda, fotowoltaik energiýa öndürmekde, demir ýol ulaglarynda, maglumat merkezlerinde, zarýad bermekde we beýleki infrastrukturalarda ulanylýar. Elektrik ulaglary senagaty geçirijilikli kremniý karbid substratlaryna uly isleg bildirýär we häzirki wagtda Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng we beýleki täze energiýa ulag kompaniýalary kremniý karbid diskret enjamlaryny ýa-da modullaryny ulanmagy meýilleşdirýärler.

Ýarym izolýasiýaly kremniý karbid enjamlary, esasan, 5G aragatnaşyklarynda, ulag aragatnaşyklarynda, milli goranyş ulgamlarynda, maglumat geçirmekde, awiakosmosda we beýleki ugurlarda ulanylýar. Ýarym izolýasiýaly kremniý karbid substratynda galliý nitridi epitaksial gatlagyny ösdürmek arkaly kremniý esasly galliý nitridi epitaksial plastinka mikrotolkunly RF enjamlaryna öwrülip bilner, olar esasan RF ulgamynda ulanylýar, mysal üçin, 5G aragatnaşykda güýç güýçlendirijileri we milli goranyşda radio detektorlary.

Kremniý karbid substrat önümleriniň önümçiligi enjamlary işläp düzmek, çig mal sintezi, kristal ösdürip ýetişdirmek, kristallary kesmek, waferleri gaýtadan işlemek, arassalamak we synagdan geçirmek we başga-da köp sanly ugurlary öz içine alýar. Çig mal babatda Songşan Bor senagaty bazar üçin kremniý karbid çig mallaryny üpjün edýär we az möçberde satuw gazandy. Kremniý karbidi bilen görkezilýän üçünji nesil ýarymgeçiriji materiallar häzirki zaman senagatynda möhüm rol oýnaýar, täze energiýa ulaglarynyň we fotowoltaik ulanylyşlaryň aralaşmagynyň çaltlaşmagy bilen, kremniý karbid substratyna bolan isleg öwrüliş nokadyny döretjek bolýar.

Jikme-jik diagramma

2 dýuýmlyk SiC Wafers 6H (1)
2 dýuýmlyk SiC Wafers 6H (2)
  • Öňki:
  • Indiki:

    • Baglanyşykly önümler

    Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň
    Gözlemek üçin Enter düwmesine basyň ýa-da ýapmak üçin ESC düwmesine basyň