Silikon Epi gatlakly wafli boýunça 150mm 200mm 6inch 8inch GaN Gallium nitrit epitaksial wafli

Gysga düşündiriş:

6 dýuýmlyk GaN Epi gatlakly wafli, kremniniň aşaky gatlagynda ösdürilip ýetişdirilen galiý nitridiniň (GaN) gatlaklaryndan ybarat ýokary hilli ýarymgeçiriji materialdyr. Material ajaýyp elektron transport aýratynlyklaryna eýedir we ýokary güýçli we ýokary ýygylykly ýarymgeçiriji enjamlary öndürmek üçin amatlydyr.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Önümçilik usuly

Önümçilik prosesi, metal-organiki himiki bug çökdürilmegi (MOCVD) ýa-da molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE) ýaly ösen usullary ulanyp, ýakut substratda GaN gatlaklaryny ösdürmegi öz içine alýar. Depolama prosesi ýokary kristal hilini we birmeňzeş filmi üpjün etmek üçin gözegçilik edilýän şertlerde amala aşyrylýar.

6inch GaN-On-Safir programmalary: 6 dýuým sapfir substrat çipleri mikrotolkun aragatnaşyklarynda, radar ulgamlarynda, simsiz tehnologiýa we optoelektronikada giňden ulanylýar.

Käbir umumy programmalar öz içine alýar

1. Rf güýçlendiriji

2. LED yşyklandyryş pudagy

3. Simsiz tor aragatnaşyk enjamlary

4. temperatureokary temperaturaly gurşawda elektron enjamlar

5. Optoelektron enjamlary

Haryt aýratynlyklary

- Ölçegi: Substratyň diametri 6 dýuým (takmynan 150 mm).

- faceerüsti hil: Ajaýyp aýnanyň hilini üpjün etmek üçin üstü nepisleşdirildi.

- Galyňlygy: GaN gatlagynyň galyňlygyny aýratyn talaplara laýyklykda düzüp bolýar.

- Gaplamak: Daşaýyş wagtynda zeper ýetmeginiň öňüni almak üçin substrat anti-statik materiallar bilen gaplanýar.

- ingerleşiş gyralary: Substratyň enjam taýýarlanylanda deňleşmegini we işlemegini aňsatlaşdyrýan belli bir gyralary bar.

- Beýleki parametrler: Inçe, garşylyk we doping konsentrasiýasy ýaly aýratyn parametrler müşderiniň talaplaryna laýyklykda sazlanyp bilner.

Iň ýokary material aýratynlyklary we dürli goşundylary bilen 6 dýuým sapfir substrat wafli dürli pudaklarda ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlary ösdürmek üçin ygtybarly saýlawdyr.

Substrat	6 ”1mm <111> p görnüşli Si	6 ”1mm <111> p görnüşli Si
Epi ThickAvg	~ 5um	~ 7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Aý	+/- 45um	+/- 45um
Döwmek	<5mm	<5mm
Dik BV	> 1000V	> 1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30nm	20-30nm
Insitu SiN Cap	5-60nm	5-60nm
2DEG kons.	~ 10¹³cm^-2	~ 10¹³cm^-2
Hereket	~ 2000 sm²/ Vs (<2%)	~ 2000 sm²/ Vs (<2%)
Rsh	<330ohm / kw (<2%)	<330ohm / kw (<2%)