12 dýuým SIK substrat kremniy karbidiň esasy derejeli diametri 300mm uly ululygy 4H-N powerokary kuwwatly enjamyň ýylylyk ýaýramagy üçin amatly

12 dýuým SIC substrat kremniy karbidiň esasy derejeli diametri 300mm uly ululygy 4H-N powerokary kuwwatly enjamyň ýylylyk ýaýramagy üçin amatly surat

Gysga düşündiriş:

12 dýuým kremniý karbid substraty (SiC substrat), kremniý karbidiň ýekeje kristalyndan ýasalan uly göwrümli, ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji material substratydyr. Silikon karbid (SiC) ajaýyp elektrik, ýylylyk we mehaniki aýratynlyklary bolan giň zolakly boşluk ýarymgeçiriji material bolup, ýokary güýç, ýokary ýygylyk we ýokary temperatura şertlerinde elektron enjamlaryny öndürmekde giňden ulanylýar. 12 dýuým (300mm) substrat, önümçiligiň netijeliligini ep-esli ýokarlandyryp we çykdajylary azaldyp bilýän kremniy karbid tehnologiýasynyň häzirki ösen spesifikasiýasydyr.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklary

Haryt aýratynlyklary

1. Highokary ýylylyk geçirijiligi: kremniý karbidiň ýylylyk geçirijiligi ýokary güýçli enjamyň ýylylygynyň ýaýramagy üçin kremniniňkiden 3 esse köpdür.

3. Giň zolakly zolak: ýokary zolakly we ýokary ýygylykly programmalar üçin amatly zolak 3.26eV (4H-SiC).

4. hardokary gatylyk: Mohs gatylygy 9.2, göwherden soň ikinji, ajaýyp aşaga garşylyk we mehaniki güýç.

5. Himiki durnuklylyk: güýçli poslama garşylyk, ýokary temperaturada we ýowuz gurşawda durnukly öndürijilik.

6. Uly ululygy: 12 dýuým (300mm) substrat, önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrmak, birligiň bahasyny azaltmak.

7. Az kemçilik dykyzlygy: pes kemçilik dykyzlygyny we ýokary yzygiderliligini üpjün etmek üçin ýokary hilli ýeke kristal ösüş tehnologiýasy.

Önümiň esasy amaly ugry

1. Elektrik enjamlary:

Mosfets: Elektrik ulaglarynda, senagat hereketlendirijilerinde we güýç öwrüjilerinde ulanylýar.

Diodlar: Schottky diodlary (SBD) ýaly täsirli düzediş we elektrik üpjünçiligini üýtgetmek üçin ulanylýar.

2. Rf enjamlary:

Rf güýçlendiriji: 5G aragatnaşyk esasy stansiýalarynda we hemra aragatnaşygynda ulanylýar.

Mikrotolkun enjamlary: Radar we simsiz aragatnaşyk ulgamlary üçin amatly.

3. Täze energiýa ulaglary:

Elektrik hereketlendiriji ulgamlar: elektrikli ulaglar üçin hereketlendirijiler we inwertorlar.

Zarýad beriş üýşmesi: Çalt zarýad beriş enjamlary üçin güýç moduly.

4. Senagat goşundylary:

Volokary woltly inwertor: senagat hereketlendirijisine gözegçilik we energiýa dolandyryşy üçin.

Akylly set: HVDC geçiriş we güýç elektronikasy transformatorlary üçin.

5. Aerokosmos:

Temperatureokary temperatura elektronikasy: howa giňişliginiň enjamlarynyň ýokary temperatura gurşawy üçin amatly.

6. Gözleg ugry:

Giň zolakly ýarymgeçiriji gözleg: täze ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary ösdürmek üçin.

12 dýuýmlyk kremniy karbid substraty, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary bölüniş meýdançasynyň güýji we giň zolakly boşluk ýaly ajaýyp häsiýetleri bolan ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji material substratdyr. Elektrik elektronikasynda, radio ýygylyk enjamlarynda, täze energiýa ulaglarynda, senagat gözegçiliginde we howa giňişliginde giňden ulanylýar we netijeli we ýokary güýçli elektron enjamlarynyň indiki nesliniň ösmegine itergi berýän möhüm materialdyr.

Silikon karbid substratlary häzirki wagtda AR äýnegi ýaly sarp ediş elektronikasynda gönüden-göni programmalaryň azdygyna garamazdan, kuwwatlylygy netijeli dolandyrmak we miniatýurlaşdyrylan elektronika potensialy geljekki AR / VR enjamlary üçin ýeňil, ýokary öndürijilikli elektrik üpjünçilik çözgütlerini goldap biler. Häzirki wagtda kremniý karbid substratynyň esasy ösüşi täze energiýa ulaglary, aragatnaşyk infrastrukturasy we senagat awtomatizasiýasy ýaly senagat meýdanlarynda jemlenýär we ýarymgeçiriji pudagynyň has netijeli we ygtybarly ugurda ösmegine kömek edýär.

XKH ýokary hilli 12 "SIC substratlary hemmetaraplaýyn tehniki goldaw we hyzmatlar bilen üpjün etmegi maksat edinýär:

1. Custöriteleşdirilen önümçilik: Müşderä görä dürli garşylyk, kristal ugrukdyryş we ýerüsti bejeriş substraty üpjün edilmeli.

2. Amaly optimizasiýa: Müşderilere önümiň öndürijiligini gowulandyrmak üçin epitaksial ösüşi, enjam öndürmek we beýleki amallary tehniki goldaw bilen üpjün ediň.

3. Synag we kepilnama: Substratyň senagat standartlaryna laýyk gelmegini üpjün etmek üçin berk kemçilikleri ýüze çykarmak we hil kepilnamasy bilen üpjün etmek.

4. Gözleg we hyzmatdaşlyk: Tehnologiki innowasiýalary höweslendirmek üçin müşderiler bilen täze kremniy karbid enjamlaryny bilelikde ösdüriň.

Maglumatlar diagrammasy

1 2 dýuým Silikon Karbid (SiC) substrat spesifikasiýasy
Baha		ZeroMPD Önümçiligi Bahasy (Z derejesi)	Standart önümçilik Bahasy (P Grade)		Dummy Grade (D synp)
Diametri		3 0 0 mm ~ 305mm
Galyňlyk	4H-N	750μm ± 15 μm	750μm ± 25 μm
	4H-SI	750μm ± 15 μm	750μm ± 25 μm
Wafer ugry		Öçürilen ok: 4H-N üçin 4.0 ° <1120> ± 0,5 °, Okda: <0001> ± 0,5 ° 4H-SI üçin
Mikrop turbanyň dykyzlygy	4H-N	≤0.4cm-2	C4cm-2		C25cm-2
	4H-SI	C5cm-2	C10cm-2		C25cm-2
Çydamlylyk	4H-N	0.015 ~ 0.024 Ω · sm			0.015 ~ 0.028 Ω · sm
	4H-SI	≥1E10 Ω · sm			≥1E5 Ω · sm
Esasy kwartira		{10-10} .0 5.0 °
Esasy tekizlik uzynlygy	4H-N	N / A.
	4H-SI	Notch
Gyradan çykarmak		3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 μm / ≤55 μm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
Gödeklik		Polýak Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar ýarylýar Intokary intensiwlik bilen alty plastinka Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri Wizual uglerod goşulmalary Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary		Hiç Toplum meýdany ≤0.05% Hiç Toplum meýdany ≤0.05% Hiç			Jemi uzynlygy ≤ 20 mm, ýeke uzynlygy≤2 mm Toplum meýdany ≤0.1% Toplum meýdany ≤3% Toplum meýdany ≤3% Jemi uzynlygy≤1 × wafli diametri
Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri		Hiç biri ≥0.2mm ini we çuňlugy rugsat bermedi			7 sany rugsat berildi, hersi mm1 mm
(TSD) Nurbatlaryň ýerleşdirilmegi		00500 sm-2		N / A.
(BPD) Esasy uçaryň ýerleşişi		0001000 sm-2		N / A.
Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü hapalanmagy		Hiç
Gaplamak		Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner
Bellikler:
1 Kemçilikleriň çäkleri, gyradan çykarylýan ýerden başga ähli wafli ýüzüne degişlidir. 2 Dyzlary diňe Si ýüzünde barlamaly. 3 Bölüniş maglumatlary diňe KOH-dan ýasalan wafli.

XKH uly göwrümde, pes kemçiliklerde we ýokary yzygiderlilikde 12 dýuým kremniy karbid substratlarynyň öňe gidişligini öňe sürmek üçin gözleg we ösüşe maýa goýmagy dowam etdirer, XKH bolsa sarp ediş elektronikasy (AR / VR enjamlary üçin güýç modullary) we kwant hasaplamasy ýaly ösýän ýerlerde gözleglerini dowam etdirer. Çykdajylary azaltmak we kuwwatyny artdyrmak bilen, XKH ýarymgeçiriji pudagyna gülläp ösüş getirer.