Safir Epi gatlakly wafli 100 mm 4inch GaN Gallium nitrid epitaksial wafli

Gysga düşündiriş:

Galiý nitrid epitaksial list, giň zolakly boşluk ýarymgeçiriji epitaksial materiallaryň üçünji nesliniň adaty wekili bolup, giň zolakly boşluk, ýokary bölüniş meýdanynyň güýji, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektron doýma tizligi, güýçli radiasiýa garşylygy we ýokary himiki durnuklylygy.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

GaN gök LED kwant guýusynyň ösüş prosesi. Jikme-jik proses akymy aşakdaky ýaly

(1) temperatureokary temperaturaly çörek, sapfir substraty wodorod atmosferasynda ilki bilen 1050 to çenli gyzdyrylýar, maksat substratyň üstüni arassalamak;

(2) Substratyň temperaturasy 510 to-a düşende, 30nm galyňlygyndaky pes temperaturaly GaN / AlN bufer gatlagy sapfir substratynyň üstünde goýulýar;

(4) Trimetil alýumininiň we trimetil galiniň reaksiýa gazy, 0,15um galyňlygy bolan kremniý doply N görnüşli A⒑ yklymlaryny taýýarlamak üçin ulanyldy;

(7) Qokary hilli P görnüşli GaN Sibuýan filmi, azot atmosferasynda 700 at derejesinde gyzdyryldy;

(8) N görnüşli G staziniň üstüni açmak üçin P görnüşli G staziniň üstünde çişmek;

(9) Ni-Au kontakt plitalarynyň p-GaNI üstündäki bugarmagy, ll-GaN üstündäki △ / Al kontakt plitalarynyň bugarmagy elektrodlary emele getirýär.

Aýratynlyklary

Haryt	GaN-TCU-C100	GaN-TCN-C100
Ölçegleri	e 100 mm ± 0,1 mm
Galyňlyk	4.5 ± 0,5 um düzülip bilner
Ugrukdyrma	C-uçar (0001) ± 0,5 °
Geçirijiniň görnüşi	N görnüşli (Açylmadyk)	N görnüşli (Si-doped)
Çydamlylyk (300K)	<0,5 Q ・ sm	<0.05 Q ・ sm
Daşaýjy konsentrasiýasy	<5x10¹⁷sm^-3	> 1x10¹⁸sm^-3
Hereket	~ 300 sm²/ Vs	~ 200 sm²/ Vs
Dislokasiýa dykyzlygy	5x10-dan az⁸sm^-2(XRD-iň FWHM-leri bilen hasaplanýar)
Substrat gurluşy	Safirde GaN (Standard: SSP Opsiýa: DSP)
Ulanylýan ýer meýdany	> 90%
Bukja	Azot atmosferasynda 100 klas arassa otag gurşawynda, 25 sany kassetalarda ýa-da ýekeje wafli gaplarda gaplanýar.