SiO2 inçe plýonkaly termal oksid kremniý wafer 4 дюйм 6 дюйм 8 дюйм 12 дюйм
Wafer gutusynyň tanyşdyrylyşy
Oksidlenen kremniý waferlerini öndürmegiň esasy prosesi adatça aşakdaky ädimleri öz içine alýar: monokristal kremniýi ösdürmek, waferlere kesmek, jylalamak, arassalamak we oksidlemek.
Monokristal kremniýiň ösüşi: Ilki bilen, monokristal kremniý Çozhralski usuly ýa-da Float-zona usuly ýaly usullar arkaly ýokary temperaturada ösdürilip ýetişdirilýär. Bu usul ýokary arassalyk we tor bitewiligi bilen kremniýiň ýeke kristallaryny taýýarlamaga mümkinçilik berýär.
Käselemek: Ösdürilen monokristal kremniý adatça silindrik görnüşde bolýar we käselemek üçin inçe waferlere kesilmelidir. Kesiş adatça almaz kesiji bilen amala aşyrylýar.
Jilalamak: Kesilen plastinkanyň ýüzi deň däl bolup biler we tekiz ýüz almak üçin himiki-mehaniki jilalamak gerek bolýar.
Arassalamak: Jyralanan plastinka hapaçylyklary we tozany aýyrmak üçin arassalanýar.
Oksidleşdiriji: Ahyrsoňy, kremniý plitalary elektrik häsiýetlerini we mehaniki güýjüni gowulandyrmak, şeýle hem integral mikrosxemalarda izolýasiýa gatlagy hökmünde hyzmat etmek üçin kremniý dioksidiniň gorag gatlagyny emele getirmek maksady bilen oksidleşdiriji işleme üçin ýokary temperaturaly peje goýulýar.
Oksidlenen kremniý plitalarynyň esasy ulanylyşyna integral mikrosxemalaryň önümçiligi, gün batareýalarynyň önümçiligi we beýleki elektron enjamlaryň önümçiligi girýär. Kremniý oksid plitalary ajaýyp mehaniki häsiýetleri, ölçegli we himiki durnuklylygy, ýokary temperaturada we ýokary basyşda işlemek ukyby, şeýle hem gowy izolýasiýa we optiki häsiýetleri sebäpli ýarymgeçiriji materiallar pudagynda giňden ulanylýar.
Onuň artykmaçlyklary doly kristal gurluşyny, arassa himiki düzümini, takyk ölçeglerini, gowy mehaniki häsiýetlerini we ş.m. öz içine alýar. Bu aýratynlyklar kremniý oksidi plitalaryny ýokary öndürijilikli integral mikrosxemalary we beýleki mikroelektron enjamlary öndürmek üçin has amatly edýär.
Jikme-jik diagramma
