SiO2 Inçe film termiki oksidi Silikon wafli 4inch 6inch 8inch 12inch

Okislenen kremniý wafli öndürmegiň esasy prosesi, adatça, aşakdaky ädimleri öz içine alýar: monokristally kremniniň ösmegi, wafli kesmek, ýuwmak, arassalamak we okislenmek.

Monokristally kremniniň ösüşi: Birinjiden, monokristally kremniý ýokary temperaturada Çzochralski usuly ýa-da Float-zona usuly bilen ösdürilýär. Bu usul ýokary arassalygy we panjara bitewiligi bilen kremniniň ýeke kristallaryny taýýarlamaga mümkinçilik berýär.

Bahalandyrma: Ulaldylan monokristally kremniý adatça silindr görnüşinde bolýar we wafli substrat hökmünde ulanmak üçin inçe wafli bilen kesilmeli. Kesmek, adatça göwher kesiji bilen edilýär.

Ishinguwmak: Kesilen wafliň üstü deň däl bolup biler we tekiz ýer almak üçin himiki-mehaniki ýalpyldawuklygy talap edýär.

Arassalamak: Kirlenen wafli hapalary we tozany aýyrmak üçin arassalanýar.

Okislenme: Netijede, kremniý wafli, elektrik häsiýetlerini we mehaniki güýjüni gowulandyrmak, şeýle hem integral zynjyrlarda izolýasiýa gatlagy bolup hyzmat etmek üçin kremniniň dioksidiniň gorag gatlagyny emele getirmek üçin ýokary temperaturaly ojakda goýulýar.

Okislenen kremniý wafli esasy ulanylyşy integral zynjyrlary öndürmek, gün öýjüklerini öndürmek we beýleki elektron enjamlaryny öndürmek. Silikon oksidi wafli, ýarymgeçiriji materiallar ulgamynda ajaýyp mehaniki aýratynlyklary, ölçegli we himiki durnuklylygy, ýokary temperaturada we ýokary basyşlarda işlemek ukyby, şeýle hem gowy izolýasiýa we optiki häsiýetleri sebäpli giňden ulanylýar.

Onuň artykmaçlyklary doly kristal gurluşy, arassa himiki düzümi, takyk ölçegleri, oňat mehaniki häsiýetleri we ş.m. öz içine alýar, bu aýratynlyklar ýokary öndürijilikli integral zynjyrlary we beýleki mikroelektron enjamlaryny öndürmek üçin kremniý oksidi wafli aýratyn amatly edýär.