English

Kuwwat enjamlary üçin SiC epitaksial wafli - 4H-SiC, N görnüşli, pes kemçilikli dykyzlyk

Kuwwat enjamlary üçin SiC epitaksial wafli - 4H-SiC, N görnüşli, pes kemçilikli dykyzlyk aýratyn surat
  • Kuwwat enjamlary üçin SiC epitaksial wafli - 4H-SiC, N görnüşli, pes kemçilikli dykyzlyk
  • Kuwwat enjamlary üçin SiC epitaksial wafli - 4H-SiC, N görnüşli, pes kemçilikli dykyzlyk
  • Kuwwat enjamlary üçin SiC epitaksial wafli - 4H-SiC, N görnüşli, pes kemçilikli dykyzlyk

Gysga düşündiriş:

SiC Epitaxial Wafer häzirki zaman ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlaryň özenidir, esasanam ýokary güýçli, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly amallar üçin niýetlenen. Silikon karbid epitaksial wafli üçin gysga, SiC epitaksial wafli köp sanly SiC substratynyň üstünde ösen ýokary hilli, inçe SiC epitaksial gatlagyndan durýar. “SiC Epitaxial Wafer” tehnologiýasynyň ulanylyşy adaty kremniý esasly wafli bilen deňeşdirilende ýokary fiziki we elektroniki aýratynlyklary sebäpli elektrik ulaglarynda, akylly setlerde, täzelenip bilýän energiýa ulgamlarynda we howa giňişliginde çalt giňelýär.


Aýratynlyklary

Jikme-jik diagramma

SiC Epitaxial Wafer-4
SiC Epitaxial Wafer-6 - 副本

Giriş

SiC Epitaxial Wafer häzirki zaman ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlaryň özenidir, esasanam ýokary güýçli, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly amallar üçin niýetlenen. Silikon karbid epitaksial wafli üçin gysga, SiC epitaksial wafli köp sanly SiC substratynyň üstünde ösen ýokary hilli, inçe SiC epitaksial gatlagyndan durýar. “SiC Epitaxial Wafer” tehnologiýasynyň ulanylyşy adaty kremniý esasly wafli bilen deňeşdirilende ýokary fiziki we elektroniki aýratynlyklary sebäpli elektrik ulaglarynda, akylly setlerde, täzelenip bilýän energiýa ulgamlarynda we howa giňişliginde çalt giňelýär.

“SiC Epitaxial Wafer” -iň önümçilik ýörelgeleri

“SiC Epitaxial Wafer” döretmek üçin ýokary derejede gözegçilik edilýän himiki bug çökdürilmegi (CVD) prosesi talap edilýär. Epitaksial gatlak adatça 1500 ° C-den ýokary temperaturalarda silan (SiH₄), propan (C₃H₈) we wodorod (H₂) ýaly gazlary ulanyp, monokristally SiC substratda ösdürilýär. Bu ýokary temperaturaly epitaksial ösüş, kristallaryň deňleşmegini we epitaksial gatlak bilen substratyň arasyndaky minimal kemçilikleri üpjün edýär.

Bu proses birnäçe möhüm tapgyry öz içine alýar:

  1. Substrat taýýarlygy: Esasy SiC wafli arassalanýar we atom tekizligi üçin ýuwulýar.

  2. CVD ösüşi: Highokary arassa reaktorda gazlar substratda bir kristal SiC gatlagyny goýmak üçin reaksiýa berýär.

  3. Doping dolandyryşy: Islenýän elektrik aýratynlyklaryna ýetmek üçin epitaksiýa wagtynda N görnüşli ýa-da P görnüşli doping girizilýär.

  4. Barlag we metrologiýa: Gatlak galyňlygyny, doping konsentrasiýasyny we kemçilik dykyzlygyny barlamak üçin optiki mikroskopiýa, AFM we rentgen difraksiýasy ulanylýar.

Her SiC Epitaxial Wafer, galyňlygyň birmeňzeşliginde, ýeriň tekizliginde we çydamlylygynda berk çydamlylygy saklamak üçin berk gözegçilikde saklanýar. Bu parametrleri gowy sazlamak ukyby ýokary woltly MOSFET-ler, Şottki diodlary we beýleki güýç enjamlary üçin zerurdyr.

Spesifikasiýa

Parametr Spesifikasiýa
Kategoriýalar Materiallar ylym, ýeke kristal substratlar
Politip 4H
Doping N görnüşi
Diametri 101 mm
Diametri çydamlylygy ± 5%
Galyňlyk 0,35 mm
Galyň çydamlylyk ± 5%
Esasy tekizlik uzynlygy 22 mm (± 10%)
TTV (Galyňlygyň umumy üýtgemegi) ≤10 µm
Warp ≤25 µm
FWHM ≤30 Ark-sek
Surface Finish Rq ≤0.35 nm

SiC Epitaxial Wafer programmalary

SiC Epitaxial Wafer önümleri birnäçe pudakda aýrylmazdyr:

  • Elektrik ulaglary (EV): SiC Epitaxial Wafer esasly enjamlar güýç güýjüniň netijeliligini ýokarlandyrýar we agramyny peseldýär.

  • Täzelenýän energiýa: Gün we ýel energiýa ulgamlary üçin inwertorlarda ulanylýar.

  • Senagat elektrik üpjünçiligi: Pes ýitgiler bilen ýokary ýygylykly, ýokary temperaturaly kommutasiýa mümkinçiligini beriň.

  • Aerokosmos we goranmak: Ygtybarly ýarymgeçirijileri talap edýän kyn şertler üçin amatly.

  • 5G esasy stansiýalar: SiC Epitaxial Wafer komponentleri, RF programmalary üçin has ýokary dykyzlygy goldaýar.

SiC Epitaxial Wafer, kremniý wafli bilen deňeşdirilende ykjam dizaýnlary, has çalt kommutasiýa we has ýokary energiýa öwrülişini üpjün edýär.

SiC Epitaxial Wafer-iň artykmaçlyklary

SiC Epitaxial Wafer tehnologiýasy möhüm peýdalary hödürleýär:

  1. Breakary naprýa .eniýe naprýa .eniýesi: Si wafli bilen deňeşdirilende 10 esse ýokary naprýa .eniýelere çydam edýär.

  2. Malylylyk geçirijiligi: SiC Epitaxial Wafer enjamlaryň has sowuk we ygtybarly işlemegine mümkinçilik berýän ýylylygy has çalt ýaýradýar.

  3. Switokary geçiş tizligi: Has pes kommutasiýa ýitgileri has ýokary netijeliligi we miniatýurizasiýany üpjün edýär.

  4. Giň zolak: Has ýokary woltlarda we temperaturalarda durnuklylygy üpjün edýär.

  5. Maddy berklik: SiC himiki taýdan inert we mehaniki taýdan güýçli, amaly talap etmek üçin ideal.

Bu artykmaçlyklar, SiC Epitaxial Wafer-i indiki nesil ýarymgeçirijiler üçin saýlama materialy edýär.

Sorag-jogap: SiC epitaksial wafli

1-nji sorag: SiC wafli bilen SiC epitaksial wafli arasynda näme tapawut bar?
SiC wafli esasy substraty aňladýar, SiC Epitaxial Wafer bolsa enjam ýasamakda ulanylýan ýörite ösen doply gatlagy öz içine alýar.

2-nji sorag: SiC Epitaxial Wafer gatlaklary üçin haýsy galyňlyklar bar?
Epitaksial gatlaklar, adatça, talaplara baglylykda birnäçe mikrometrden 100 mk-dan ýokary bolýar.

3-nji sorag: SiC Epitaxial Wafer ýokary temperatura şertleri üçin amatlymy?
Hawa, “SiC Epitaxial Wafer” 600 ° C-den ýokary şertlerde işläp, kremniden ep-esli ýokary bolup biler.

4-nji sorag: SiC Epitaxial Wafer-de kemçilik dykyzlygy näme üçin möhüm?
Pes kemçilik dykyzlygy, esasanam ýokary woltly programmalar üçin enjamyň işleýşini we öndürijiligini ýokarlandyrýar.

5-nji sorag: N görnüşli we P görnüşli SiC Epitaxial Wafers ikisi hem barmy?
Hawa, iki görnüşi hem epitaksial prosesde takyk dopant gaz gözegçiligi arkaly öndürilýär.

6-njy sorag: SiC Epitaxial Wafer üçin haýsy wafli ululyklary standart?
Adaty diametrler 2 dýuým, 4 dýuým, 6 dýuým we ýokary göwrümli önümçilik üçin barha 8 dýuým.

7-nji sorag: SiC Epitaxial Wafer bahasyna we netijeliligine nähili täsir edýär?
Ilkibaşda kremniden has gymmat bolsa-da, SiC Epitaxial Wafer uzak möhletleýin çykdajylaryň umumy netijeliligini ýokarlandyryp, ulgamyň göwrümini we güýjüni ýitirýär.

  • Öňki:
  • Indiki:

    • Degişli önümler

    Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň
    Gözlemek üçin enter-e basyň ýa-da ýapmak üçin ESC basyň