Önümler
-
200 mm SiC substrat maket 4H-N 8inç SiC wafer
-
SiO2 inçe plýonkaly termal oksid kremniý wafer 4 дюйм 6 дюйм 8 дюйм 12 дюйм
-
Safir gümmezi şeffaf Ýokary gatylyk 9.0 aşynmaga we ýokary basyşa çydamly
-
Mikroelektronika we radio ýygylygy üçin üç gatlakly kremniý izolýator substraty SOI plastinasy
-
150x150mm Wafer Daşaýjy Kwadrat Daşamak Gutusy
-
Kremniý dioksidi wafer SiO2 wafer galyňlygy jylaňlanan, esasy we synag derejesi
-
Paraiba Gök laboratoriýada öndürilen çig genstone YAG Material Lake ýaşyl
-
Ýagtylandyrylan Essensiýa – Spektral Duýgurlygy Güýçlendirmek üçin Öňdebaryjy LSO(Ce) Kristaly
-
Floresan sary gymmatbaha daş materialy Sary luag gaýtadan işlenilip bilner
-
CE+ YAG lazer kristally ittriý alýumin granat Cr YAG
-
Enjamlar üçin CVD SiC örtükli SiC keramiki tabak grafit plitasy
-
Ýakut toplary ýokary gatylyk 9.0, 0.30MM-den 5.0MM-e çenli sapfir podşipnigi