LED çipleri üçin nagyşly sapfir substraty PSS 2 дюйм 4 дюйм 6 дюйм ICP gurak aşındyryş ulanylyp bilner

Gysgaça düşündiriş:

Nagyşly sapfir substraty (PSS) litografiýa we aşındyrma tehnikalary arkaly mikro we nano gurluşlaryň emele getirilýän substratydyr. Ol esasan LED (ýagtylyk çykarýan diod) önümçiliginde ýüz nagyş dizaýny arkaly ýagtylyk çykarmagyň netijeliligini ýokarlandyrmak, şeýlelik bilen LED-iň ýagtylygyny we işini gowulandyrmak üçin ulanylýar.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Esasy häsiýetnama

1. Materialyň häsiýetnamalary: Substrat materialy ýokary berklige, ýokary gyzgynlyga çydamlylyga we himiki durnuklylyga eýe bolan bir kristal sapfir (Al₂O₃) bolup durýar.

2. Ýüziň gurluşy: Ýüz fotolitografiýa we konuslar, piramidalar ýa-da altyburçluk massiwler ýaly döwürleýin mikro-nano gurluşlara oýulyp şekillendirilmegi arkaly emele gelýär.

3. Optiki öndürijilik: Ýüziň nagyş dizaýny arkaly, serhetde ýagtylygyň umumy şöhlelenmesi azaldylýar we ýagtylygy çykarmagyň netijeliligi ýokarlanýar.

4. Termal iş görkezijisi: Safir substraty ajaýyp termal geçirijilige eýedir, ýokary kuwwatly LED ulgamlary üçin amatlydyr.

5. Ölçeg aýratynlyklary: Umumy ölçegler 2 dýuým (50.8 mm), 4 dýuým (100 mm) we 6 dýuým (150 mm).

Esasy ulanylyş ugurlary

1. LED önümçiligi:
Ýagtylyk çykarmagyň netijeliliginiň ýokarlanmagy: PSS nagyş dizaýny arkaly ýagtylyk ýitgisini azaldýar, LED-leriň ýagtylygyny we ýagtylyk netijeliligini ep-esli ýokarlandyrýar.

Epitaksial ösüş hiliniň gowulanmagy: Nagyşly gurluş GaN epitaksial gatlaklary üçin has gowy ösüş binýadyny üpjün edýär we LED-iň işini gowulandyrýar.

2. Lazer diody (LD):
Ýokary kuwwatly lazerler: PSS-iň ýokary ýylylyk geçirijiligi we durnuklylygy ýokary kuwwatly lazer diodlary üçin amatly bolup, ýylylyk ýaýratma işini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.

Pes bosaga tok: Epitaksial ösüşi optimizirläň, lazer diodynyň bosaga tokuny azaldyň we netijeliligi ýokarlandyryň.

3. Fotodetektor:
Ýokary duýgurlyk: PSS-iň ýokary ýagtylyk geçirijiligi we pes kemçilik dykyzlygy fotodetektoryň duýgurlygyny we jogap tizligini ýokarlandyrýar.

Giň spektrli jogap: ultramelewşeden görünýän diapazona çenli fotoelektrik deteksiýa üçin amatly.

4. Güýçli elektronika:
Ýokary woltly garşylyk: Sapphire-iň ýokary izolýasiýa we termal durnuklylygy ýokary woltly güýç enjamlary üçin amatlydyr.

Netijeli ýylylyk ýaýradylmagy: Ýokary ýylylyk geçirijiligi elektrik enjamlarynyň ýylylyk ýaýradylyşyny gowulandyrýar we hyzmat möhletini uzaldýar.

5. RF enjamlary:
Ýokary ýygylykly iş görkezijisi: PSS-iň pes dielektrik ýitgisi we ýokary termal durnuklylygy ýokary ýygylykly RF enjamlary üçin amatlydyr.

Pes ses: Ýokary tekizlik we pes kemçilik dykyzlygy enjamyň sesini azaldýar we signalyň hilini gowulandyrýar.

6. Biosensorlar:
Ýokary duýgurlyk anyklaýyş: PSS-iň ýokary ýagtylyk geçirijiligi we himiki durnuklylygy ýokary duýgurlykly biosensorlar üçin amatlydyr.

Biogaýtaşyklylyk: Safiriň biogaýtaşyklygy ony lukmançylyk we biodeteksiýa ulanylyşlary üçin amatly edýär.
GaN epitaksial materialy bilen nagyşly sapfir substraty (PSS):

Nagyşly sapfir substraty (PSS) GaN (galliý nitridi) epitaksial ösüşi üçin ideal substratdyr. Sapfiriň torlu konstantasy GaN-a ýakyndyr, bu bolsa torlu deňsizlikleri we epitaksial ösüşdäki kemçilikleri azaldyp biler. PSS ýüzüniň mikro-nano gurluşy diňe bir ýagtylyk çykarmagyň netijeliligini ýokarlandyrman, eýsem GaN epitaksial gatlagynyň kristal hilini hem gowulandyrýar, şeýlelik bilen LED-iň işini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.

Tehniki parametrler

Haryt	Nagyşly Safir Substraty (2 ~ 6 dýuým)
Diametr	50.8 ± 0.1 mm	100.0 ± 0.2 mm	150.0 ± 0.3 mm
Galyňlygy	430 ± 25μm	650 ± 25μm	1000 ± 25μm
Ýüziň ugry	C-tekizlik (0001) M-okuna tarap burçdan daşary (10-10) 0.2 ± 0.1°
	C-tekizlik (0001) A okuna tarap burçdan daşary (11-20) 0 ± 0.1°
Esasy Tekizlik Ugury	A-tekizlik (11-20) ± 1.0°
Esasy tekiz uzynlyk	16.0 ± 1.0 mm	30.0 ± 1.0 mm	47.5 ± 2.0 mm
R-tekizlik	Sagat 9-da
Öň tarapyň örtügi	Nagyşly
Arka ýüziň bezegi	SSP: Inçe üwülen, Ra=0.8-1.2um; DSP: Epi bilen jylanan, Ra<0.3nm
Lazer belgisi	Arka tarap
TTV	≤8μm	≤10μm	≤20μm
ÝAÝ	≤10μm	≤15μm	≤25μm
WARP	≤12μm	≤20μm	≤30μm
Gyra çykarylyşy	≤2 mm
Nusganyň aýratynlyklary	Şekil gurluşy	Gümmez, Konus, Piramida
	Nusga beýikligi	1.6 ~ 1.8μm
	Nagyş diametri	2.75~2.85μm
	Nagyş giňişligi	0.1~0.3μm

XKH müşderilere LED, displeý we optoelektronika ulgamynda netijeli innowasiýalara ýetmäge kömek etmek üçin tehniki goldaw we satuwdan soňky hyzmat bilen ýokary hilli, özleşdirilen nagyşly sapfir substratlaryny (PSS) hödürlemekde ýöriteleşýär.

1. Ýokary hilli PSS üpjünçiligi: LED, displeý we optoelektron enjamlaryň zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin dürli ölçeglerde (2", 4", 6) nagyşly sapfir substratlary.

2. Özleşdirilen dizaýn: Yşyk çykarmagyň netijeliligini optimizirlemek üçin müşderiniň isleglerine laýyklykda ýüzleý mikro-nano gurluşyny (konus, piramida ýa-da altyburçluk massiw ýaly) özleşdiriň.

3. Tehniki goldaw: Müşderilere önümiň işini gowulandyrmaga kömek etmek üçin PSS programma dizaýnyny, prosesleri optimizirlemegi we tehniki maslahat bermegi üpjün ediň.

4. Epitaksial ösüş goldawy: Epitaksial gatlagyň ýokary hilli ösüşini üpjün etmek üçin GaN epitaksial materialy bilen utgaşdyrylan PSS berilýär.

5. Synag we sertifikatlaşdyrma: Önümleriň senagat standartlaryna laýyk gelýändigine göz ýetirmek üçin PSS hil barlag hasabatyny beriň.