InGaAs epitaksial wafli substraty PD Array fotodetektor massiwleri LiDAR üçin ulanylyp bilner

InGaAs epitaksial wafli substraty PD Array fotodetektor massiwleri LiDAR Aýratyn Surat üçin ulanylyp bilner

Gysga düşündiriş:

InGaAs epitaksial film, belli bir substratda epitaksial ösüş tehnologiýasy netijesinde emele gelen indiý gallium arsenine (InGaAs) ýekeje kristal inçe film materialyny aňladýar. Adaty InGaAs epitaksial substratlar indiý fosfid (InP) we galiý arsenidi (GaAs). Bu substrat materiallar gowy kristal hiline we ýylylyk durnuklylygyna eýe, bu InGaAs epitaksial gatlaklarynyň ösmegi üçin ajaýyp substraty üpjün edip biler.
PD Array (Photodetector Array), bir wagtyň özünde birnäçe optiki signallary tapmaga ukyply birnäçe fotodetektorlaryň toplumy. MOCVD-den ösdürilip ýetişdirilen epitaksial sahypa esasan fotodeteksiýa diodlarynda ulanylýar, siňdiriş gatlagy U-InGaA-lardan, fon doping <5E14, ýaýradylan Zn müşderi ýa-da Epihouse tarapyndan tamamlanyp bilner. Epitaksial planşetler PL, XRD we ECV ölçegleri bilen derňeldi.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

InGaAs lazer epitaksial sahypasynyň esasy aýratynlyklary

1. Paneliň gabat gelmegi: InGaAs epitaksial gatlagy bilen InP ýa-da GaAs substratynyň arasynda gowy panjara laýyklygy gazanyp bolýar, şeýlelik bilen epitaksial gatlagyň kemçilik dykyzlygyny peseldýär we enjamyň işleýşini gowulandyrýar.
2. Düzülip bilinýän zolak boşlugy: InGaAs materialynyň zolak boşlugy InGaAs epitaksial sahypasynyň optoelektron enjamlarynda giňden ulanylmagyna mümkinçilik berýän In we Ga komponentleriniň paýyny sazlamak arkaly gazanylyp bilner.
3. Photosokary duýgurlyk: InGaAs epitaksial film ýagtylyga ýokary duýgurlyga eýe bolup, ony fotoelektrik kesgitlemek, optiki aragatnaşyk we beýleki täsin artykmaçlyklar pudagynda edýär.
4.

InGaAs lazer epitaksial planşetleriniň esasy goşundylary

4. Lukmançylyk şekillendirişi: Tapmak we şekillendirmek üçin lukmançylyk şekillendiriş enjamlarynda (KT, MRI we ş.m.).

5. Sensor ulgamy: daşky gurşawa gözegçilik we gaz kesgitlemekde bir wagtyň özünde birnäçe parametrlere gözegçilik edilip bilner.

6. Senagat awtomatizasiýasy: önümçilik liniýasyndaky obýektleriň ýagdaýyna we hiline gözegçilik etmek üçin maşyn görmek ulgamlarynda ulanylýar.

Geljekde InGaAs epitaksial substratyň maddy aýratynlyklary, fotoelektrik öwrülişiniň netijeliligini ýokarlandyrmak we ses derejesiniň peselmegi ýaly gowulaşmagy dowam etdirer. Bu, “InGaAs” epitaksial substratyny optoelektron enjamlarynda has giňden ulanar we öndürijiligi has ajaýyp bolar. Şol bir wagtyň özünde, has uly bazaryň zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin çykdajylary azaltmak we netijeliligi ýokarlandyrmak üçin taýýarlyk işleri yzygiderli optimizirlener.

Umuman aýdanyňda, InGaAs epitaksial substrat özboluşly aýratynlyklary we giň ulanylyş mümkinçilikleri bilen ýarymgeçiriji materiallar pudagynda möhüm orny eýeleýär.

XKH, optoelektron enjamlary, lazerler we gün öýjükleri üçin köp sanly programmany öz içine alýan dürli gurluşlary we galyňlygy bolan InGaAs epitaksial listlerini özleşdirmegi hödürleýär. XKH önümleri ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin ösen MOCVD enjamlary bilen öndürilýär. Logistika nukdaýnazaryndan, XKH sargytlaryň sanyny çeýe dolandyryp bilýän we arassalamak we segmentasiýa ýaly goşmaça hyzmatlary berip bilýän halkara çeşme kanallarynyň giň toparyna eýedir. Netijeli gowşuryş amallary wagtynda eltilmegini üpjün edýär we hil we gowşuryş wagtlary üçin müşderileriň talaplaryny kanagatlandyrýar.