InGaAs epitaksial wafer substraty PD massiwi fotodetektor massiwlerini LiDAR üçin ulanyp bolýar

Gysgaça düşündiriş:

InGaAs epitaksial plýonkasy belli bir substratda epitaksial ösüş tehnologiýasy arkaly emele getirilýän indiý galliý arsenigi (InGaAs) bir kristally inçe plýonka materialyny aňladýar. InGaAs epitaksial substratlarynyň umumy görnüşleri indiý fosfidi (InP) we galliý arsenidi (GaAs). Bu substrat materiallary gowy kristal hiline we termal durnuklylygyna eýedir, bu bolsa InGaAs epitaksial gatlaklarynyň ösmegi üçin ajaýyp substrat bolup biler.
PD Massiwi (Fotodetektor Massiwi) bir wagtyň özünde birnäçe optiki signallary anyklamaga ukyply köp sanly fotodetektorlaryň massiwidir. MOCVD-den ösdürilip ýetişdirilen epitaksial list esasan fotodetektor diodlarynda ulanylýar, siňdiriş gatlagy U-InGaAs-dan ybarat, fon goşundysy <5E14 we ýaýran Zn müşderi ýa-da Epihouse tarapyndan doldurylyp bilner. Epitaksial tabletkalar PL, XRD we ECV ölçegleri arkaly seljerildi.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

InGaAs lazer epitaksial listiniň esasy aýratynlyklaryna şular girýär

1. Torça deňleşdirme: InGaAs epitaksial gatlagy bilen InP ýa-da GaAs substratynyň arasynda gowy torça deňleşdirmesi gazanylyp bilner, şeýdip epitaksial gatlagyň kemçilik dykyzlygyny azaldýar we enjamyň işini gowulandyrýar.
2. Sazlanyp bilinýän zolak aralygy: InGaAs materialynyň zolak aralygyny In we Ga komponentleriniň paýyny sazlamak arkaly gazanyp bolýar, bu bolsa InGaAs epitaksial listiniň optoelektron enjamlarda giň ulanyş mümkinçiliklerine eýe bolmagyna sebäp bolýar.
3. Ýokary fotosensitiwlik: InGaAs epitaksial plýonkasy ýagtylyga ýokary duýgurlyga eýedir, bu bolsa ony fotoelektrik deteksiýa, optiki aragatnaşyk we beýleki özboluşly artykmaçlyklar ulgamynda öňdebaryjy edýär.
4. Ýokary temperatura durnuklylygy: InGaAs/InP epitaksial gurluşy ajaýyp ýokary temperatura durnuklylygyna eýedir we ýokary temperaturada enjamyň durnukly işini saklap bilýär.

InGaAs lazer epitaksial tabletkalarynyň esasy ulanylyş ugurlary:

1. Optoelektron enjamlar: InGaAs epitaksial tabletkalary optiki aragatnaşykda, gijeki görüşde we beýleki ugurlarda giň ulanylyşa eýe bolan fotodiodlary, fotodetektorlary we beýleki optoelektron enjamlary öndürmek üçin ulanylyp bilner.

2. Lazerler: InGaAs epitaksial listleri, esasanam optiki süýümli aragatnaşykda, senagat gaýtadan işlemekde we beýleki ugurlarda möhüm rol oýnaýan uzyn tolkunly lazerleri öndürmek üçin hem ulanylyp bilner.

3. Gün batareýalary: InGaAs materialynyň giň zolak aralygyny sazlamak diapazony bar, bu bolsa termal fotowoltaik batareýalaryň talap edýän zolak aralygy talaplaryna laýyk gelip bilýär, şonuň üçin InGaAs epitaksial listiniň hem gün batareýalary ulgamynda belli bir ulanyş mümkinçiligi bar.

4. Lukmançylyk suratlandyrmasy: Lukmançylyk suratlandyrma enjamlarynda (meselem, KT, MRT we ş.m.), anyklamak we suratlandyrmak üçin.

5. Sensor ulgamy: daşky gurşawyň gözegçiliginde we gazy anyklamakda bir wagtyň özünde birnäçe parametrlere gözegçilik edilip bilner.

6. Senagat awtomatlaşdyrmasy: önümçilik liniýasyndaky obýektleriň ýagdaýyny we hilini gözegçilikde saklamak üçin maşyn göriş ulgamlarynda ulanylýar.

Geljekde InGaAs epitaksial substratynyň material häsiýetleri, şol sanda fotoelektrik öwrüliş netijeliliginiň ýokarlanmagy we ses derejesiniň peselmegi bilen gowulandyrylar. Bu bolsa InGaAs epitaksial substratynyň optoelektron enjamlarda has giňden ulanylmagyna we iş görkezijileriniň has ajaýyp bolmagyna sebäp bolar. Şol bir wagtyň özünde, uly bazaryň isleglerini kanagatlandyrmak üçin çykdajylary azaltmak we netijeliligi ýokarlandyrmak maksady bilen taýýarlamak prosesi hem yzygiderli optimizirlener.

Umuman, InGaAs epitaksial substraty özüne mahsus aýratynlyklary we giň ulanylyş mümkinçilikleri bilen ýarymgeçiriji materiallar ulgamynda möhüm orun eýeleýär.

XKH optoelektron enjamlar, lazerler we gün batareýalary üçin dürli ulanylyşlary öz içine alýan dürli gurluşly we galyň InGaAs epitaksial listleriniň özleşdirilmegini hödürleýär. XKH-nyň önümleri ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin ösen MOCVD enjamlary bilen öndürilýär. Logistika babatda XKH-nyň sargytlaryň sanyny çeýe işläp bilýän we kämilleşdirme we segmentasiýa ýaly goşmaça gymmatly hyzmatlary hödürleýän giň halkara çeşme kanallary bar. Netijeli eltip berme prosesleri wagtynda eltip bermegi üpjün edýär we müşderileriň hil we eltip berme wagtlary boýunça talaplaryny kanagatlandyrýar.