12 дюйм Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP
Jikme-jik diagramma
Sapfir bilen tanyşdyryş
Safir wafer ýokary arassa sintetiki alýumin oksidinden (Al₂O₃) ýasalan monokristal substrat materialdyr. Uly sapfir kristallary Kyropoulos (KY) ýa-da ýylylyk alyş-çalyş usuly (HEM) ýaly öňdebaryjy usullar arkaly ösdürilip ýetişdirilýär we soňra kesmek, ugur almak, üwemek we takyk jylamak arkaly işlenip düzülýär. Ajaýyp fiziki, optiki we himiki häsiýetleri sebäpli sapfir wafer ýarymgeçirijiler, optoelektronika we ýokary derejeli sarp ediş elektronikasy pudaklarynda ornuny tutmajak rol oýnaýar.
Safir sinteziniň esasy usullary
| Metod | Prinsip | Artykmaçlyklar | Esasy ulanylyşlar |
|---|---|---|---|
| Verneuil usuly(Olun Birleşmesi) | Ýokary arassa Al₂O₃ poroşogy oksiwodorod alawynda eredilýär, damjalar tohumyň üstünde gatlak-gatlak gatylaşýar | Arzan baha, ýokary netijelilik, deňeşdirme boýunça ýönekeý proses | Gem hilli sapfirler, irki optiki materiallar |
| Çozralski usuly (ÇZ) | Al₂O₃ tigelde eredilýär we kristaly ösdürmek üçin tohum kristaly ýuwaşlyk bilen ýokary çekilýär | Gowy bitewilige eýe bolan deňeşdirme boýunça uly kristallary öndürýär | Lazer kristallary, optik penjireler |
| Kiropoulos usuly (KY) | Gözegçilik edilýän haýal sowadyş kristalyň tigeliň içinde ýuwaş-ýuwaşdan ösmegine mümkinçilik berýär | Uly ölçegli, pes stresli kristallary (onlarça kilogram ýa-da ondan köp) ösdürip ýetişdirmäge ukyply | LED substratlary, smartfon ekranlary, optiki komponentler |
| HEM usuly(Ýylylyk alyş-çalşygy) | Sowamak tigeliň ýokarsyndan başlaýar, kristallar tohumdan aşak ösýär | Birmeňzeş hilli örän uly kristallary (ýüzlerçe kilograma çenli) öndürýär | Uly optiki penjireler, aerokosmos, harby optika |
Kristal ugry
| Ugur / Tekizlik | Miller indeksi | Aýratynlyklar | Esasy ulanylyşlar |
|---|---|---|---|
| C-tekizlik | (0001) | c okuna perpendikulýar, polýar ýüz, atomlar deň derejede ýerleşýär | LED, lazer diodlary, GaN epitaksial substratlar (iň köp ulanylýan) |
| A-uçar | (11-20) | c okuna parallel, polýar däl ýüz, polýarizasiýa täsirleriniň öňüni alýar | Polýar däl GaN epitaksiýasy, optoelektron enjamlary |
| M-tekizlik | (10-10) | c okuna parallel, polýar däl, ýokary simmetriýa | Ýokary öndürijilikli GaN epitaksiýasy, optoelektron enjamlary |
| R-tekizlik | (1-102) | C okuna meýilli, ajaýyp optiki häsiýetler | Optiki penjireler, infragyzyl detektorlar, lazer bölekleri |
Safir Wafer Spesifikasiýalary (Sazlanyp bilner)
| Haryt | 1 dýuýmlyk C-tekizlik (0001) 430μm Safir Waferleri | |
| Kristal materiallary | 99,999%, Ýokary arassalyk, monokristal Al2O3 | |
| Dereje | Prime, Epi-Ready | |
| Ýüziň ugry | C-tekizlik (0001) | |
| C-tekizligiň M okuna tarap burçdan çykmagy 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametr | 25.4 mm +/- 0.1 mm | |
| Galyňlygy | 430 μm +/- 25 μm | |
| Bir tarapy jilalanan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (SSP) | Arka ýüzi | Inçe topraklama, Ra = 0.8 μm - 1.2 μm |
| Iki taraply jilolandyrylan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (DSP) | Arka ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| TTV | < 5 μm | |
| ÝAÝ | < 5 μm | |
| WARP | < 5 μm | |
| Arassalamak / Gaplamak | 100-nji synp arassa otaglary arassalamak we wakuum gaplamak, | |
| Bir kasset gaplamasynda ýa-da bir bölek gaplamasynda 25 bölek. | ||
| Haryt | 2 dýuýmlyk C-tekizlik (0001) 430μm Safir Waferleri | |
| Kristal materiallary | 99,999%, Ýokary arassalyk, monokristal Al2O3 | |
| Dereje | Prime, Epi-Ready | |
| Ýüziň ugry | C-tekizlik (0001) | |
| C-tekizligiň M okuna tarap burçdan çykmagy 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametr | 50.8 mm +/- 0.1 mm | |
| Galyňlygy | 430 μm +/- 25 μm | |
| Esasy Tekizlik Ugury | A-tekizlik (11-20) +/- 0.2° | |
| Esasy tekiz uzynlyk | 16.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Bir tarapy jilalanan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (SSP) | Arka ýüzi | Inçe topraklama, Ra = 0.8 μm - 1.2 μm |
| Iki taraply jilolandyrylan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (DSP) | Arka ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| TTV | < 10 μm | |
| ÝAÝ | < 10 μm | |
| WARP | < 10 μm | |
| Arassalamak / Gaplamak | 100-nji synp arassa otaglary arassalamak we wakuum gaplamak, | |
| Bir kasset gaplamasynda ýa-da bir bölek gaplamasynda 25 bölek. | ||
| Haryt | 3 dýuýmlyk C-tekislik (0001) 500μm Safir Waferleri | |
| Kristal materiallary | 99,999%, Ýokary arassalyk, monokristal Al2O3 | |
| Dereje | Prime, Epi-Ready | |
| Ýüziň ugry | C-tekizlik (0001) | |
| C-tekizligiň M okuna tarap burçdan çykmagy 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametr | 76.2 mm +/- 0.1 mm | |
| Galyňlygy | 500 μm +/- 25 μm | |
| Esasy Tekizlik Ugury | A-tekizlik (11-20) +/- 0.2° | |
| Esasy tekiz uzynlyk | 22.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Bir tarapy jilalanan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (SSP) | Arka ýüzi | Inçe topraklama, Ra = 0.8 μm - 1.2 μm |
| Iki taraply jilolandyrylan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (DSP) | Arka ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| TTV | < 15 μm | |
| ÝAÝ | < 15 μm | |
| WARP | < 15 μm | |
| Arassalamak / Gaplamak | 100-nji synp arassa otaglary arassalamak we wakuum gaplamak, | |
| Bir kasset gaplamasynda ýa-da bir bölek gaplamasynda 25 bölek. | ||
| Haryt | 4 dýuýmly C-tekislik (0001) 650μm Safir Waferleri | |
| Kristal materiallary | 99,999%, Ýokary arassalyk, monokristal Al2O3 | |
| Dereje | Prime, Epi-Ready | |
| Ýüziň ugry | C-tekizlik (0001) | |
| C-tekizligiň M okuna tarap burçdan çykmagy 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametr | 100.0 mm +/- 0.1 mm | |
| Galyňlygy | 650 μm +/- 25 μm | |
| Esasy Tekizlik Ugury | A-tekizlik (11-20) +/- 0.2° | |
| Esasy tekiz uzynlyk | 30.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Bir tarapy jilalanan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (SSP) | Arka ýüzi | Inçe topraklama, Ra = 0.8 μm - 1.2 μm |
| Iki taraply jilolandyrylan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (DSP) | Arka ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| TTV | < 20 μm | |
| ÝAÝ | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Arassalamak / Gaplamak | 100-nji synp arassa otaglary arassalamak we wakuum gaplamak, | |
| Bir kasset gaplamasynda ýa-da bir bölek gaplamasynda 25 bölek. | ||
| Haryt | 6 dýuýmlyk C-tekislik (0001) 1300μm Safir Waferleri | |
| Kristal materiallary | 99,999%, Ýokary arassalyk, monokristal Al2O3 | |
| Dereje | Prime, Epi-Ready | |
| Ýüziň ugry | C-tekizlik (0001) | |
| C-tekizligiň M okuna tarap burçdan çykmagy 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametr | 150.0 mm +/- 0.2 mm | |
| Galyňlygy | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Esasy Tekizlik Ugury | A-tekizlik (11-20) +/- 0.2° | |
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Bir tarapy jilalanan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (SSP) | Arka ýüzi | Inçe topraklama, Ra = 0.8 μm - 1.2 μm |
| Iki taraply jilolandyrylan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (DSP) | Arka ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| TTV | < 25 μm | |
| ÝAÝ | < 25 μm | |
| WARP | < 25 μm | |
| Arassalamak / Gaplamak | 100-nji synp arassa otaglary arassalamak we wakuum gaplamak, | |
| Bir kasset gaplamasynda ýa-da bir bölek gaplamasynda 25 bölek. | ||
| Haryt | 8 dýuýmlyk C-tekislik (0001) 1300μm Safir Waferleri | |
| Kristal materiallary | 99,999%, Ýokary arassalyk, monokristal Al2O3 | |
| Dereje | Prime, Epi-Ready | |
| Ýüziň ugry | C-tekizlik (0001) | |
| C-tekizligiň M okuna tarap burçdan çykmagy 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametr | 200.0 mm +/- 0.2 mm | |
| Galyňlygy | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Bir tarapy jilalanan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (SSP) | Arka ýüzi | Inçe topraklama, Ra = 0.8 μm - 1.2 μm |
| Iki taraply jilolandyrylan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (DSP) | Arka ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| TTV | < 30 μm | |
| ÝAÝ | < 30 μm | |
| WARP | < 30 μm | |
| Arassalamak / Gaplamak | 100-nji synp arassa otaglary arassalamak we wakuum gaplamak, | |
| Bir bölekli gaplama. | ||
| Haryt | 12 dýuýmlyk C-tekislik (0001) 1300μm Safir Waferleri | |
| Kristal materiallary | 99,999%, Ýokary arassalyk, monokristal Al2O3 | |
| Dereje | Prime, Epi-Ready | |
| Ýüziň ugry | C-tekizlik (0001) | |
| C-tekizligiň M okuna tarap burçdan çykmagy 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diametr | 300.0 mm +/- 0.2 mm | |
| Galyňlygy | 3000 μm +/- 25 μm | |
| Bir tarapy jilalanan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (SSP) | Arka ýüzi | Inçe topraklama, Ra = 0.8 μm - 1.2 μm |
| Iki taraply jilolandyrylan | Öň ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| (DSP) | Arka ýüzi | Epi-jilalanan, Ra < 0.2 nm (AFM boýunça) |
| TTV | < 30 μm | |
| ÝAÝ | < 30 μm | |
| WARP | < 30 μm | |
Safir Wafer Öndüriş Prosesi
-
Kristal ösüşi
-
Kyropoulos (KY) usulyny ulanyp, ýöriteleşdirilen kristal ösüş peçlerinde sapfir bulkalaryny (100–400 kg) ösdürip ýetişdiriň.
-
-
Külçe deşmek we şekillendirmek
-
Burawlaýjy barrel ulanyp, bulgury diametri 2–6 dýuým we uzynlygy 50–200 mm bolan silindrik külçelere öwüriň.
-
-
Ilkinji Tawlama
-
Içki dartgynlylygy aýyrmak üçin külçeleri kemçiliklere barlaň we ilkinji ýokary temperaturada ýumşadyş işini ýerine ýetiriň.
-
-
Kristal ugry
-
Safir külçesiniň takyk ugruny (meselem, C-tekizlik, A-tekizlik, R-tekizlik) ugur görkeziji gurallary arkaly kesgitläň.
-
-
Köp simli arra kesmek
-
Köp simli kesiji enjamlary ulanyp, külçäni gerek bolan galyňlyga görä inçe waferlere bölüň.
-
-
Ilkinji barlag we ikinji gezek ýumşatmak
-
Kesilen plitalary (galyňlygyny, tekizligini, ýüzdäki kemçiliklerini) barlaň.
-
Kristalyň hilini has-da gowulandyrmak üçin gerek bolsa, gaýtadan ýumşadyp görüň.
-
-
Fahmerleme, üwütmek we CMP jylamak
-
Aýna görnüşli ýüzleri gazanmak üçin ýöriteleşdirilen enjamlar bilen fahş etmek, ýüzi jylamak we himiki mehaniki jylamak (CMP) işlerini ýerine ýetiriň.
-
-
Arassaçylyk
-
Bölejikleri we hapa maddalary aýyrmak üçin arassa otag şertlerinde ultra arassa suw we himiki maddalar ulanyp, waflileri gowy arassalaň.
-
-
Optiki we fiziki barlag
-
Geçirijiligi anyklamak we optik maglumatlary ýazga almak.
-
TTV (Umumy galyňlygyň üýtgemegi), ýaý, öwrüm, ugur takyklygy we ýüziň tekizligi ýaly wafer parametrlerini ölçeň.
-
-
Örtük (Isleg boýunça)
-
Müşderiniň talaplaryna laýyklykda örtükleri (meselem, AR örtükleri, gorag gatlaklary) çalyň.
-
Soňky barlag we gaplama
-
Arassa otagda 100% hil barlagyny geçiriň.
-
Waferleri 100-nji synp arassa şertlerde kasseta gutularyna salyň we ibermezden öň olary wakuum bilen ýapyň.
Safir waferleriniň ulanylyş ugurlary
Ajaýyp berkligi, ajaýyp optik geçirijiligi, ajaýyp ýylylyk görkezijileri we elektrik izolýasiýasy bilen sapfir plitalary dürli pudaklarda giňden ulanylýar. Olaryň ulanylyşy diňe bir däp bolan LED we optoelektronika senagatlaryny öz içine almaýar, eýsem ýarymgeçirijilere, sarp ediş elektronikasyna, ösen awiakosmos we goranyş ulgamlaryna hem giňelýär.
1. Ýarymgeçirijiler we optoelektronika
LED substratlary
Safir plitalary galliý nitridiniň (GaN) epitaksial ösüşi üçin esasy substratlar bolup, gök LED-lerde, ak LED-lerde we Mini/Micro LED tehnologiýalarynda giňden ulanylýar.
Lazer diodlary (LD)
GaN esasly lazer diodlary üçin substratlar hökmünde sapfir plitalary ýokary kuwwatly, uzak ömürli lazer enjamlarynyň işlenip düzülmegine goldaw berýär.
Fotodetektorlar
Ultrafiolet we infragyzyl fotodetektorlarda sapfir plitalary köplenç açyk penjireler we izolýasiýa substratlary hökmünde ulanylýar.
2. Ýarymgeçiriji enjamlar
RFIC (Radio ýygylykly integral mikrosxemalar)
Ajaýyp elektrik izolýasiýasy sebäpli sapfir plitalary ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly mikrotolkunly enjamlar üçin ideal substratlardyr.
Safirde kremniý (SoS) tehnologiýasy
SoS tehnologiýasyny ulanmak arkaly parazit kuwwatyny ep-esli azaltmak, zynjyryň işini ýokarlandyrmak mümkin. Bu RF aragatnaşyklarynda we aerokosmik elektronikada giňden ulanylýar.
3. Optiki ulanylyşlar
Infragyzyl Optik Penjireler
200 nm–5000 nm tolkun uzynlygy aralygynda ýokary geçirijilik ukyby bilen sapfir infragyzyl detektorlarda we infragyzyl ýol görkeziji ulgamlarynda giňden ulanylýar.
Ýokary kuwwatly lazer penjireleri
Safiriň gatylygy we termal garşylygy ony ýokary kuwwatly lazer ulgamlarynda gorag penjireleri we linzalary üçin ajaýyp materiala öwürýär.
4. Sarp ediji elektronikasy
Kamera linzalarynyň örtükleri
Safiriň ýokary berkligi smartfon we kamera linzalary üçin dyrnaklara garşy durnuklylygy üpjün edýär.
Barmak yzy sensorlary
Safir waferleri barmak yzlaryny tanamakda takyklygy we ygtybarlylygy ýokarlandyrýan berk, açyk örtükler hökmünde hyzmat edip biler.
Akylly sagatlar we Premium displeýler
Safir ekranlary dyrnaklara garşylyk görkezmek ukybyny ýokary optiki aýdyňlyk bilen utgaşdyrýar, bu bolsa olary ýokary derejeli elektron önümlerde meşhur edýär.
5. Aerokosmos we goranmak
Raketa infragyzyl gümmezleri
Safir penjireleri ýokary temperatura, ýokary tizlik şertlerinde açyk we durnukly bolup galýar.
Aerokosmik Optik Ulgamlar
Olar ýokary berklikli optiki penjirelerde we ekstremal şertler üçin niýetlenen gözegçilik enjamlarynda ulanylýar.
Beýleki umumy sapfir önümleri
Optik önümler
-
Safir Optik Penjireler
-
Lazerlerde, spektrometrlerde, infragyzyl suratlandyryş ulgamlarynda we sensor penjirelerinde ulanylýar.
-
Geçiriş aralygy:UV 150 nm-den orta IR 5.5 μm-e çenli.
-
-
Safir linzalary
-
Ýokary kuwwatly lazer ulgamlarynda we aerokosmik optikada ulanylýar.
-
Göwüs, içbükeýin ýa-da silindrik linzalar görnüşinde öndürilip bilner.
-
-
Safir prizmalary
-
Optiki ölçeg gurallarynda we takyk suratlandyryş ulgamlarynda ulanylýar.
-
Aerokosmos we goranyş
-
Safir gümmezleri
-
Raketalarda, pilotsuz uçarlarda we uçarlarda infragyzyl gözleýjileri goraň.
-
-
Safir gorag örtükleri
-
Ýokary tizlikli howa akymynyň täsirine we agyr gurşawlara çydamly.
-
Önümiň gaplamasy
XINKEHUI barada
“Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.” şereketiniň biridir.Hytaýda iň uly optiki we ýarymgeçiriji üpjün ediji, 2002-nji ýylda esaslandyryldy. XKH akademiki alymlara listler we beýleki ýarymgeçirijiler bilen baglanyşykly ylmy materiallar we hyzmatlar bilen üpjün etmek üçin döredildi. Ýarymgeçiriji materiallar biziň esasy işimizdir, toparymyz tehniki taýdan esaslanýar, döredilen gününden bäri XKH öňdebaryjy elektron materiallary, esasanam dürli listler / substrat ulgamynda ylmy-barlag işlerine we işläp düzmegine çuňňur gatnaşýar.
Hyzmatdaşlar
Şanhaý Zhimingsin ajaýyp ýarymgeçiriji material tehnologiýasy bilen dünýäniň öňdebaryjy kompaniýalarynyň we meşhur akademiki edaralarynyň ygtybarly hyzmatdaşyna öwrüldi. Innowasiýa we ajaýyplyk babatdaky yzygiderliligi bilen Zhimingsin Schott Glass, Corning we Seoul Semiconductor ýaly pudak liderleri bilen çuňňur hyzmatdaşlyk gatnaşyklaryny ýola goýdy. Bu hyzmatdaşlyklar diňe bir önümlerimiziň tehniki derejesini ýokarlandyrmak bilen çäklenmän, eýsem elektrik elektronikasy, optoelektron enjamlar we ýarymgeçiriji enjamlar pudaklarynda tehnologik ösüşi hem öňe sürdi.
Tanymal kompaniýalar bilen hyzmatdaşlykdan başga-da, Zhimingxin Garward uniwersiteti, London uniwersitet kolleji (UCL) we Hýuston uniwersiteti ýaly dünýäniň öňdebaryjy uniwersitetleri bilen uzak möhletli ylmy hyzmatdaşlyk gatnaşyklaryny hem ýola goýdy. Bu hyzmatdaşlyklar arkaly Zhimingxin diňe bir akademiki ulgamdaky ylmy barlag taslamalaryna tehniki goldaw bermek bilen çäklenmän, eýsem täze materiallaryň we tehnologik innowasiýalaryň işlenip düzülmegine hem gatnaşýar we ýarymgeçirijiler senagatynyň öň hatarynda bolmagymyzy üpjün edýär.
Bu dünýä belli kompaniýalar we akademiki edaralar bilen ýakyn hyzmatdaşlyk arkaly “Şanhaý Çžimingsin” tehnologiýa innowasiýalaryny we ösüşini öňe sürmegini dowam etdirýär, dünýä bazarynyň artýan isleglerini kanagatlandyrmak üçin dünýä derejesindäki önümleri we çözgütleri hödürleýär.
