8 dýuým SiC kremniy karbid wafli 4H-N görnüşi 0,5 mm önümçilik derejeli gözleg derejesi adaty ýalpyldawuk substrat

Gysga düşündiriş:

Silikon karbid (SiC), kremniy karbid diýlip hem atlandyrylýar, SiC himiki formulasy bilen kremnini we uglerody öz içine alýan ýarymgeçiriji. SiC ýokary temperaturada ýa-da ýokary basyşda ýa-da ikisinde-de işleýän ýarymgeçiriji elektron enjamlarynda ulanylýar. SiC möhüm LED komponentleriniň biridir, GaN enjamlaryny ösdürip ýetişdirmek üçin umumy substratdyr we ýokary güýçli yşyklandyryjylar üçin ýylylyk geçiriji hökmünde hem ulanylyp bilner.
8 dýuým kremniý karbid substraty, ýokary bölüniş meýdanynyň güýji, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektron doýma tizligi we ş.m. aýratynlyklaryna eýe bolan we ýokary temperaturaly, ýokary woltly we ýokary güýçli elektron enjamlaryny öndürmek üçin amatly ýarymgeçiriji materiallaryň üçünji nesliniň möhüm bölegidir. Esasy amaly meýdanlaryna elektrik ulaglary, demir ýol tranziti, ýokary woltly elektrik geçiriji we öwrülişik, fotoelektrik, 5G aragatnaşyk, energiýa saklaýyş, howa we howa ýadro hasaplaýyş güýji maglumat merkezleri girýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklary

8 dýuým kremniý karbid substraty 4H-N görnüşiniň esasy aýratynlyklary:

1.
2. Kristal görnüş gatnaşygy: 4H-SiC kristal görnüş gatnaşygy 100% -e ýetýär.
3. Çydamlylygy: 0.014 ~ 0.028 Ω · sm, ýa-da 0.015-0.025 Ω · sm aralygynda has durnukly.
4. faceerüsti çişlik: CMP Si Face Ra≤0.12nm.
5. Galyňlygy: Adatça 500.0 ± 25μm ýa-da 350.0 ± 25μm.
6. Çekiş burçy: galyňlygyna baglylykda A1 / A2 üçin 25 ± 5 ° ýa-da 30 ± 5 °.
7. Dislokasiýanyň umumy dykyzlygy: ≤3000 / cm².
8. metalerüsti metal hapalanmagy: ≤1E + 11 atom / sm².
9. Egilmek we gaplama sahypasy: degişlilikde ≤ 20μm we ≤2μm.
Bu aýratynlyklar, ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly we ýokary güýçli elektron enjamlaryny öndürmekde 8 dýuým kremniy karbid substratlaryny möhüm ähmiýete eýe edýär.

8inç kremniy karbid wafli birnäçe amaly bar.

1. Kuwwat enjamlary: SiC wafli güýç MOSFET (metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan effektli tranzistorlar), Şottki diodlary we güýç integrasiýa modullary ýaly güýçli elektron enjamlaryny öndürmekde giňden ulanylýar. Cokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesi we SiC-iň ýokary elektron hereketi sebäpli bu enjamlar ýokary temperaturada, ýokary woltly we ýokary ýygylykly şertlerde netijeli, ýokary öndürijilikli kuwwata öwrülip biler.

3. Radio ýygylygy (RF) Enjamlary: SiC çipleri RF güýç güýçlendirijileri, ýokary ýygylykly wyklýuçateller, RF datçikleri we ş.m. ýaly RF enjamlaryny öndürmek üçin hem ulanylýar. SiC-iň ýokary ýylylyk durnuklylygy, ýokary ýygylyk aýratynlyklary we pes ýitgileri simsiz aragatnaşyk we radar ulgamlary ýaly RF programmalary üçin ideal edýär.

4. -okary temperaturaly elektronika: termokary ýylylyk durnuklylygy we temperatura çeýeligi sebäpli SiC wafli, ýokary temperaturaly güýç elektronikasy, datçikler we dolandyryjylar ýaly ýokary temperaturaly şertlerde işlemek üçin döredilen elektron önümleri öndürmek üçin ulanylýar.

8 dýuým kremniý karbid substraty 4H-N görnüşiniň esasy amaly ýollary, esasanam awtoulag elektronikasy, gün energiýasy, ýel energiýasy öndürmek, elektrik lokomotiwleri, serwerler, öý enjamlary we elektrik ulaglary ýaly ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly we ýokary güýçli elektron enjamlaryny öndürmegi öz içine alýar. Mundan başga-da, SiC MOSFETs we Schottky diodlary ýaly enjamlar ýygylyklary çalyşmakda, gysga utgaşdyrylan synaglarda we inwertor programmalarynda ajaýyp öndürijilik görkezip, elektrik elektronikasynda ulanmaga itergi berdi.

XKH müşderiniň talaplaryna laýyklykda dürli galyňlyk bilen düzülip bilner. Dürli ýerüsti çişlik we ýalpyldawuk bejergiler bar. Dopingiň dürli görnüşleri (azot doping ýaly) goldanýar. XKH, müşderileriň ulanylyşdaky kynçylyklary çözüp biljekdigini üpjün etmek üçin tehniki goldaw we maslahat hyzmatlaryny berip biler. 8 dýuým kremniý karbid substraty, çykdajylary azaltmak we kuwwatyny ýokarlandyrmak taýdan möhüm artykmaçlyklara eýedir, bu 6 dýuým substrat bilen deňeşdirilende birlik çipiniň bahasyny takmynan 50% azaldyp biler. Mundan başga-da, 8 dýuým substratyň galyňlygynyň ýokarlanmagy, işlenende geometrik gyşarmalary azaltmaga we şeýlelik bilen hasyllylygy ýokarlandyrmaga kömek edýär.