8 dýuýmlyk SiC kremniý karbid wafer 4H-N görnüşli 0.5mm önümçilik derejeli ylmy derejeli ýörite jylaňlanan substrat

8 dýuýmlyk SiC kremniý karbid wafer 4H-N görnüşli 0.5mm önümçilik derejesindäki ylmy derejeli ýörite jylaňlanan substrat Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

Kremniý karbidi (SiC), şeýle hem kremniý karbidi diýlip atlandyrylýar, SiC himiki formulasy bolan kremniý we uglerody öz içine alýan ýarymgeçirijidir. SiC ýokary temperaturada ýa-da ýokary basyşda ýa-da ikisinde-de işleýän ýarymgeçiriji elektron enjamlarda ulanylýar. SiC şeýle hem möhüm LED bölekleriniň biridir, ol GaN enjamlaryny ösdürmek üçin umumy substratdyr we ýokary kuwwatly LED-ler üçin ýylylyk saklaýjy hökmünde hem ulanylyp bilner.
8 dýuýmlyk kremniý karbid substraty üçünji nesil ýarymgeçiriji materiallaryň möhüm bölegi bolup, ýokary dargama meýdanynyň güýji, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektron doýgunlygynyň sürüş tizligi we ş.m. aýratynlyklaryna eýedir we ýokary temperaturaly, ýokary woltly we ýokary kuwwatly elektron enjamlary ýasamak üçin amatlydyr. Onuň esasy ulanylyş ugurlaryna elektrik ulaglary, demir ýol ulaglary, ýokary woltly elektrik geçirijiligi we özgertmesi, fotowoltaika, 5G aragatnaşygy, energiýa saklaýyş, howa-kosmos we emeli intellekt esasy hasaplaýyş güýç maglumat merkezleri girýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

8 dýuýmlyk kremniý karbid substratynyň 4H-N görnüşiniň esasy aýratynlyklary aşakdakylary öz içine alýar:

1. Mikrotubulalaryň dykyzlygy: ≤ 0.1/sm² ýa-da ondan pes, mysal üçin, käbir önümlerde mikrotubulalaryň dykyzlygy 0.05/sm²-den az derejede peselýär.
2. Kristal görnüşiniň gatnaşygy: 4H-SiC kristal görnüşiniň gatnaşygy 100% -e ýetýär.
3. Garşylyklylyk: 0.014~0.028 Ω·sm ýa-da 0.015-0.025 Ω·sm aralygynda has durnukly.
4. Ýüziň büdür-büdürligi: CMP Si Face Ra≤0.12nm.
5. Galyňlygy: Adatça 500.0±25μm ýa-da 350.0±25μm.
6. Fahşa burçy: galyňlygyna baglylykda A1/A2 üçin 25±5° ýa-da 30±5°.
7. Umumy dislokasiýa dykyzlygy: ≤3000/sm².
8. Metallyň ýüzleý hapalanmagy: ≤1E+11 atom/sm².
9. Egilme we egilme: degişlilikde ≤ 20μm we ≤2μm.
Bu häsiýetler 8 dýuýmlyk kremniý karbid substratlarynyň ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly elektron enjamlaryň önümçiliginde möhüm ulanyş gymmatyna eýe bolmagyny üpjün edýär.

8 dýuýmlyk kremniý karbid plastili birnäçe ulanylyşa eýedir.

1. Güýç enjamlary: SiC plitalary güýçli MOSFET-ler (metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan täsirli tranzistorlar), Şottki diodlary we güýç integrasiýa modullary ýaly güýçli elektron enjamlaryny öndürmekde giňden ulanylýar. SiC-iň ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary dargama woltažy we ýokary elektron hereketliligi sebäpli bu enjamlar ýokary temperaturaly, ýokary woltly we ýokary ýygylykly gurşawlarda netijeli, ýokary öndürijilikli güýç öwrülmesini gazanyp bilýärler.

2. Optoelektron enjamlar: SiC plitalary fotodetektorlary, lazer diodlaryny, ultramelewşe çeşmelerini we ş.m. öndürmek üçin ulanylýan optoelektron enjamlarda möhüm rol oýnaýar. Kremniý karbidiniň ajaýyp optiki we elektron häsiýetleri ony, esasanam ýokary temperatura, ýokary ýygylyklar we ýokary güýç derejelerini talap edýän ulanylyşlarda, saýlama materiala öwürýär.

3. Radio ýygylykly (RF) enjamlar: SiC çipleri şeýle hem RF güýçlendirijileri, ýokary ýygylykly açarlar, RF datçikleri we başgalar ýaly RF enjamlaryny öndürmek üçin ulanylýar. SiC-iň ýokary termal durnuklylygy, ýokary ýygylykly häsiýetnamalary we pes ýitgileri ony simsiz aragatnaşyk we radar ulgamlary ýaly RF ulanylyşlary üçin ideal edýär.

4. Ýokary temperaturaly elektronika: Ýokary termal durnuklylygy we temperatura elastikligi sebäpli, SiC plitalary ýokary temperaturaly gurşawlarda işlemek üçin niýetlenen elektron önümleri, şol sanda ýokary temperaturaly elektrik elektronikasyny, datçikleri we kontrollerleri öndürmek üçin ulanylýar.

8 dýuýmlyk kremniý karbid substraty 4H-N görnüşli esasy ulanylyş ýollaryna ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly elektron enjamlaryň önümçiligi, esasanam awtoulag elektronikasy, gün energiýasy, ýel energiýasyny öndürmek, elektrik lokomotiwleri, serwerler, öý enjamlary we elektrik ulaglary pudaklarynda girýär. Mundan başga-da, SiC MOSFET-leri we Şottki diodlary ýaly enjamlar çalşyryş ýygylyklarynda, gysga zynjyrly tejribelerde we inwertor ulanylyşlarynda ajaýyp netijeleri görkezdiler we bu olaryň elektrik elektronikasynda ulanylmagyny öňe sürýär.

XKH müşderiniň talaplaryna laýyklykda dürli galyňlyklar bilen sazlanyp bilner. Dürli ýüzleý gödeklik we jylaňlama bejergileri bar. Dürli görnüşli lehimleme (meselem, azot lehimleme) goldanylýar. XKH müşderileriň ulanyş prosesinde meseleleri çözüp bilmegini üpjün etmek üçin tehniki goldaw we maslahat hyzmatlaryny hödürläp biler. 8 dýuýmlyk kremniý karbid substraty çykdajylary azaltmak we kuwwaty artdyrmak babatda uly artykmaçlyklara eýedir, bu bolsa birligiň çipiniň bahasyny 6 dýuýmlyk substrat bilen deňeşdirilende takmynan 50% azaltmaga mümkinçilik berýär. Mundan başga-da, 8 dýuýmlyk substratyň galyňlygynyň ýokarlanmagy işleniş wagtynda geometriki üýtgeşmeleri we gyralaryň egriligini azaltmaga kömek edýär, şeýlelik bilen hasyllylygy ýokarlandyrýar.