6 Inç 4H SEMI görnüşi SiC birleşdirilen substrat Galyňlygy 500μm TTV≤5μm MOS derejesi

6 Inç 4H SEMI görnüşi SiC birleşdirilen substrat Galyňlygy 500μm TTV≤5μm MOS derejeli Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

5G aragatnaşyk we radar tehnologiýasynyň çalt ösmegi bilen 6 dýuým ýarym izolýasiýa SiC birleşýän substraty ýokary ýygylykly enjam öndürmek üçin esasy material boldy. Adaty GaAs substratlary bilen deňeşdirilende, bu substrat ýokary garşylygy saklaýar (> 10⁸ Ω · sm), ýylylyk geçirijiligini 5x-den gowrak ýokarlandyrýar, millimetr-tolkun enjamlarynda ýylylygyň ýaýramagynyň kynçylyklaryny netijeli çözýär. 5G smartfonlary we hemra aragatnaşyk terminallary ýaly gündelik enjamlaryň içindäki güýç güýçlendirijileri bu substratda gurlan bolsa gerek. Hususy “bufer gatlagy doping öwezini dolmak” tehnologiýasyndan peýdalanyp, mikrop turbanyň dykyzlygyny 0,5 / sm²-den peseldip, 0,05 dB / mm ultra pes mikrotolkun ýitgisini gazandyk.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Tehniki parametrler

Harytlar	Spesifikasiýa	Harytlar	Spesifikasiýa
Diametri	150 ± 0,2 mm	Öň (Si-face) gödeklik	Ra≤0.2 nm (5μm × 5μm)
Politip	4H	Gyrasy çip, dyrnaçak, döwmek (wizual gözden geçirmek)	Hiç
Çydamlylyk	≥1E8 Ω · sm	TTV	≤5 μm
Geçiriş gatlagy Galyňlyk	≥0.4 μm	Warp	≤35 μm
Boş (2mm> D> 0,5mm)	≤5 ea / Wafer	Galyňlyk	500 ± 25 μm

Esasy aýratynlyklary

1. Adatdan daşary ýokary ýygylyk öndürijiligi
6 dýuým ýarym izolýasiýa SiC birleşýän substraty, Ka-bandda (26.5-40 GGs) dielektrik hemişelik üýtgemegini üpjün edip, fazanyň yzygiderliligini 40% ýokarlandyryp, derejeli dielektrik gatlak dizaýnyny ulanýar. Bu substraty ulanyp, T / R modullarynda netijeliligiň 15% ýokarlanmagy we 20% pes energiýa sarp edilişi.

2. Öňe gidiş ýylylyk dolandyryşy
Üýtgeşik "ýylylyk köprüsi" birleşýän gurluşy, 400 W / m · K gapdal ýylylyk geçirijiligini üpjün edýär. 28 GGs 5G esasy stansiýa PA modullarynda, çatryk temperaturasy 24 sagat üznüksiz işlemekden soň bary-ýogy 28 ° C ýokarlanýar - adaty çözgütlerden 50 ° C pes.

3. Iň ýokary wafli hili
Optimallaşdyrylan Fiziki buglary daşamak (PVT) usuly bilen, ýerleşiş dykyzlygy <500 / cm² we Jemi galyňlygyň üýtgemegi (TTV) <3 μm.
4. Önümçilik üçin amatly gaýtadan işlemek
6 dýuým ýarym izolýasiýa SiC kompozit substraty üçin ýörite işlenip düzülen lazer bilen örtmek prosesimiz, epitaksiýadan öň iki ululykdaky ýeriň dykyzlygyny peseldýär.

Esasy programmalar

1. 5G Esasy stansiýanyň esasy komponentleri
Massive MIMO antenna massiwlerinde, 6 dýuým ýarym izolýasiýa SiC birleşdirilen substratlardaky GaN HEMT enjamlary 200W çykyş güýjüne we> 65% netijeliligine ýetýär. 3,5 GGs meýdan synaglary gurşaw radiusynyň 30% ýokarlanandygyny görkezdi.

2. Sputnik aragatnaşyk ulgamlary
Bu substraty ulanýan pes Earther orbitasy (LEO) hemra geçirijileri, Q-bandda (40 GGs) 8 dB ýokary EIRP görkezýär, agramy 40% azalýar. “SpaceX Starlink” terminallary ony köpçülikleýin öndürmek üçin kabul etdi.

3. Harby radar ulgamlary
Bu substratdaky tapgyrlaýyn radar T / R modullary 6-18 GGs geçirijilik giňligine we 1,2 dB pes ses derejesine ýetýär, irki duýduryş radar ulgamlarynda kesgitleme aralygyny 50 km giňeldýär.

4. Awtoulag millimetri-tolkun radary
Bu substraty ulanýan 79 GGs awtoulag radar çipleri, L4 awtonom hereketlendiriş talaplaryna laýyk burç çözgüdini 0,5 ° çenli ýokarlandyrýar.

6 dýuým ýarym izolýasiýa SiC birleşýän substratlary üçin giňişleýin ýöriteleşdirilen hyzmat çözgüdini hödürleýäris. Maddy parametrleri özleşdirmek nukdaýnazaryndan, 10⁶10¹⁰ Ω · sm aralykda garşylygy takyk sazlamagy goldaýarys. Esasanam harby goşundylar üçin> 10⁹ Ω · sm ululykdaky ýokary garşylyk görnüşini hödürläp bileris. Bir wagtyň özünde 200μm, 350μm we 500μm üç galyňlyk spesifikasiýasyny hödürleýär, çydamlylygy ± 10μm aralygynda berk gözegçilikde saklanýar, ýokary ýygylykly enjamlardan ýokary güýçli programmalara çenli dürli talaplara laýyk gelýär.

Surfaceerüsti bejeriş amallary nukdaýnazaryndan iki sany professional çözgüt hödürleýäris: Himiki mehaniki polishing (CMP), iň talap edilýän epitaksial ösüş talaplaryna laýyk gelýän Ra <0.15nm bilen atom derejesindäki ýer tekizligini gazanyp biler; Çalt önümçilik talaplary üçin epitaksial taýýar ýerüsti bejeriş tehnologiýasy, Sq <0.3nm we galyndy oksidiniň galyňlygy <1nm bilen ultra tekiz ýüzleri üpjün edip biler, bu bolsa müşderiniň soňundaky öňüni alyş işini ep-esli aňsatlaşdyrar.

XKH 6 dýuým ýarym izolýasiýa SiC birleşýän substratlary üçin giňişleýin ýöriteleşdirilen çözgütler bilen üpjün edýär

1. Material parametrleri özleşdirmek
10⁶-10¹⁰ Ω · sm aralygynda takyk garşylyk sazlamasyny hödürleýäris, ýöriteleşdirilen aşa ýokary garşylykly wariantlar> 10⁹ Ω · sm harby / howa giňişliginde ulanylýar.

2. Galyňlygyň aýratynlyklary
Üç standartlaşdyrylan galyňlyk warianty:

· 200μm (ýokary ýygylykly enjamlar üçin optimallaşdyrylan)

· 350μm (standart spesifikasiýa)

· 500μm (ýokary güýçli programmalar üçin niýetlenendir)
· Varihli wariantlar thick 10μm berk galyňlyga çydamlylygy saklaýar.

3. faceerüsti bejeriş tehnologiýalary

Himiki mehaniki polishing (CMP): RF we elektrik enjamlary üçin epitaksial ösüş talaplaryna laýyk gelýän Ra <0.15nm bilen atom derejesindäki ýer tekizligine ýetýär.

4. Epi-taýýar ýerüsti gaýtadan işlemek

· Sq <0.3nm gödekligi bilen ultra-tekiz ýüzleri berýär

· Nativeerli oksidiň galyňlygyny <1nm çenli dolandyrýar

· Müşderi desgalarynda deslapky gaýtadan işlemegiň 3 ädimini ýok edýär