3inch 76.2mm 4H-Semi SiC substrat wafli Silikon Karbid emiarym kemsidiji SiC wafli

3 dýuým 4H ýarym izolýasiýa edilen SiC (kremniy karbid) substrat wafli köplenç ulanylýan ýarymgeçiriji materialdyr. 4H tetraheksedral kristal gurluşyny görkezýär. Insarym izolýasiýa substratyň ýokary garşylyk aýratynlyklaryna eýedigini we häzirki akymdan belli bir derejede izolirlenip biljekdigini aňladýar.

Şeýle substrat wafli aşakdaky aýratynlyklara eýedir: ýokary ýylylyk geçirijiligi, pes geçirijilik ýitgisi, ýokary temperatura garşylygy we ajaýyp mehaniki we himiki durnuklylygy. Silikon karbidiň giň energiýa boşlugy we ýokary temperatura we ýokary elektrik meýdan şertlerine çydap bilýändigi sebäpli, 4H-SiC ýarym izolýasiýa wafli elektrik elektronikasynda we radio ýygylygy (RF) enjamlarynda giňden ulanylýar.

4H-SiC ýarym izolýasiýa wafli esasy programmalary:

1 - Kuwwatly elektronika: 4H-SiC wafli MOSFET (metal oksid ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistorlary), IGBT (izolýasiýa derwezesi iki taraplaýyn tranzistorlar) we Şottki diodlary ýaly güýç kommutasiýa enjamlaryny öndürmek üçin ulanylyp bilner. Bu enjamlar ýokary woltly we ýokary temperaturaly şertlerde pes geçirijilik we kommutasiýa ýitgilerine eýe bolup, has ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy hödürleýär.

2 - Radio ýygylygy (RF) Enjamlar: 4H-SiC ýarym izolýasiýa wafli ýokary güýç, ýokary ýygylykly RF güýç güýçlendirijileri, çip rezistorlary, süzgüçler we beýleki enjamlary öndürmek üçin ulanylyp bilner. Silikon karbid, has uly elektron doýma tizligi we ýokary ýylylyk geçirijiligi sebäpli has ýokary ýygylykly öndürijilige we ýylylyk durnuklylygyna eýe.

3 - Optoelektron enjamlary: 4H-SiC ýarym izolýasiýa wafli ýokary güýçli lazer diodlaryny, UV ýagtylyk detektorlaryny we optoelektron integral zynjyrlary öndürmek üçin ulanylyp bilner.

Bazar ugry nukdaýnazaryndan, elektrik elektronikasynyň, RF we optoelektronikanyň ösýän meýdanlary bilen 4H-SiC ýarym izolýasiýa waflerine bolan isleg artýar. Munuň sebäbi kremniy karbidiň energiýa tygşytlylygy, elektrik ulaglary, täzelenip bilýän energiýa we aragatnaşyk ýaly köp sanly amaly barlygy bilen baglanyşykly. Geljekde 4H-SiC ýarym izolýasiýa wafli bazary geljegi uly bolup galýar we dürli programmalarda adaty kremniy materiallaryny çalşar diýlip garaşylýar.