2 dýuýmlyk kremniý karbid wafer 6H-N görnüşli esasy derejeli ylmy-barlag derejesindäki maneken derejesi 330μm 430μm galyňlyk

2 dýuýmlyk kremniý karbid wafer 6H-N görnüşli esasy derejeli ylmy-barlag derejesindäki maket derejesi 330μm 430μm galyňlygy Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

Kremniý karbidiniň köp dürli polimorflary bar we 6H kremniý karbidi 200-e golaý polimorflaryň biri. 6H kremniý karbidi täjirçilik maksatlary üçin silikon karbidleriniň iň köp duş gelýän üýtgeşmeleridir. 6H kremniý karbidi plitalary örän möhümdir. Olar ýarymgeçirijiler hökmünde ulanylyp bilner. Ol berkligi we materialyň arzanlygy sebäpli kesiji diskler ýaly abraziw we kesiji gurallarda giňden ulanylýar. Ol häzirki zaman kompozit beden sowutlarynda we ok geçirmeýän ýeleklerde ulanylýar. Şeýle hem, ol awtoulag senagatynda tormoz disklerini öndürmek üçin ulanylýar. Iri döküm zawodlarynda ereýän metallary tigellerde saklamak üçin ulanylýar. Onuň elektrik we elektron ulgamlarynda ulanylyşy şeýle meşhur welin, hiç hili jedel talap etmeýär. Mundan başga-da, ol elektrikli elektron enjamlarda, LED-lerde, astronomiýada, inçe filamentli pirometriýada, zergärçilikde, grafen we polat önümçiliginde, şeýle hem katalizator hökmünde ulanylýar. Biz tapawutly hilli we haýran galdyryjy 99.99% bolan 6H kremniý karbidi plitalaryny hödürleýäris.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Kremniý karbid plitalarynyň aýratynlyklary aşakdakylardyr:

1. Kremniý karbidi (SiC) plastinkasy ajaýyp elektrik häsiýetlerine we ajaýyp termal häsiýetlere eýedir. Kremniý karbidi (SiC) plastinkasy pes termal giňelme häsiýetine eýedir.

2. Kremniý karbidi (SiC) wafer ýokary berklik häsiýetlerine eýedir. Kremniý karbidi (SiC) wafer ýokary temperaturada gowy işleýär.

3. Kremniý karbidi (SiC) plastinkasy korroziýa, eroziýa we oksidlenme garşy ýokary durnuklylyga eýedir. Mundan başga-da, kremniý karbidi (SiC) plastinkasy almazlardan ýa-da kub sirkoniýadan has ýalpyldawukdyr.

4. Has gowy radiasiýa garşylygy: SIC waferleri has güýçli radiasiýa garşylygyna eýedir, bu bolsa olary radiasiýa gurşawynda ulanmaga amatly edýär. Mysallar hökmünde kosmos gämilerini we ýadro desgalaryny görkezmek bolar.
5. Ýokary gatylyk: SIC waflileri kremniýden has gaty, bu bolsa waflileriň işleniş wagtynda berkligini ýokarlandyrýar.

6. Pes dielektrik hemişelik: SIC plastinkalarynyň dielektrik hemişelikligi kremniýiňkiden pes, bu bolsa enjamdaky parazit kuwwatyny azaltmaga we ýokary ýygylykly iş görkezijilerini gowulandyrmaga kömek edýär.

Silikon karbid plastili birnäçe ulanylyşa eýedir

SiC diodlar, güýçli tranzistorlar we ýokary kuwwatly mikrotolkunly enjamlar ýaly örän ýokary woltly we ýokary kuwwatly enjamlary öndürmek üçin ulanylýar. Adaty Si-enjamlar bilen deňeşdirilende, SiC esasyndaky güýçli enjamlar has çalt geçiş tizligine, ýokary woltlylyga, pes parazit garşylyklara, kiçi ölçeglere we ýokary temperatura ukyby sebäpli az sowadyş talaplaryna eýedir.
Kremniý karbidi (SiC-6H) - 6H plastinkasy ýokary elektron häsiýetlerine eýe bolsa-da, kremniý karbidi (SiC-6H) - 6H plastinkasy iň aňsat taýýarlanylýar we iň gowy öwrenilýär.
1. Güýçli Elektronika: Kremniý Karbid Plastinkalary elektrik ulaglary, gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary we senagat enjamlary ýaly dürli ugurlarda ulanylýan Güýçli Elektronika önümçiliginde ulanylýar. Kremniý Karbidiniň ýokary ýylylyk geçirijiligi we pes energiýa ýitgisi ony bu maksatlar üçin ideal materiala öwürýär.
2. LED Yşyklandyryş: Kremniý Karbid Plastinkalary LED yşyklandyryşynyň önümçiliginde ulanylýar. Kremniý Karbidiň ýokary berkligi däp bolan yşyklandyryş çeşmelerine garanyňda has berk we uzak wagtlap işleýän LED-leri öndürmäge mümkinçilik berýär.
3. Ýarymgeçiriji enjamlar: Kremniý karbid plitalary telekommunikasiýa, kompýuter we sarp ediji elektronikasy ýaly dürli ugurlarda ulanylýan ýarymgeçiriji enjamlaryň önümçiliginde ulanylýar. Kremniý karbidiniň ýokary ýylylyk geçirijiligi we pes energiýa ýitgisi ony bu maksatlar üçin ideal materiala öwürýär.
4. Gün batareýalary: Kremniý karbid plitalary Gün batareýalarynyň önümçiliginde ulanylýar. Kremniý karbidiniň ýokary berkligi däp bolan Gün batareýalaryna garanyňda has berk we uzak wagtlap işleýän Gün batareýalaryny öndürmäge mümkinçilik berýär.
Umuman alanyňda, ZMSH kremniý karbid waferi dürli ugurlarda ulanylyp bilinýän köpugurly we ýokary hilli önümdir. Onuň ýokary ýylylyk geçirijiligi, pes güýç ýitgisi we ýokary berkligi ony ýokary temperaturaly we ýokary kuwwatly elektron enjamlar üçin ideal materiala öwürýär. ≤50 um ýaý/göwrüm, ≤1.2 nm ýüziň gödekligi we ýokary/pes garşylykly garşylyk bilen, kremniý karbid waferi tekiz we tekiz ýüz talap edýän islendik ulanylyş üçin ygtybarly we netijeli saýlawdyr.
SiC Substrat önümimiz iň gowy öndürijiligi we müşderi kanagatlanmagyny üpjün etmek üçin toplumlaýyn tehniki goldaw we hyzmatlar bilen üpjün edilýär.
Biziň hünärmenler toparymyz önümi saýlamakda, gurnamakda we näsazlyklary çözmekde kömek bermäge taýýar.
Müşderilerimize maýa goýumlaryny iň ýokary derejä çykarmaga kömek etmek üçin önümlerimizi ulanmak we tehniki hyzmat etmek boýunça okuw we bilim berýäris.
Mundan başga-da, müşderilerimiziň hemişe iň täze tehnologiýalara elýeterli bolmagyny üpjün etmek üçin biz önümiň yzygiderli täzelenmelerini we gowulandyrmalaryny hödürleýäris.