2inç kremniy karbid wafli 6H-N görnüşli premýer derejeli gözleg derejesi Dummy synpy 330μm 430μm galyňlygy

2inç kremniy karbid wafli 6H-N görnüşli “Prime” synp derejesi “Dummy” synpy 330μm 430μm galyňlygy aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Silikon karbidiň dürli polimorflary bar we 6H kremniy karbid 200-e golaý polimorfyň biridir. 6H kremniy karbid, täjirçilik bähbitleri üçin silikon karbidleriň iň köp ýaýran üýtgeşmeleri. 6H kremniy karbid wafli möhüm ähmiýete eýe. Olary ýarymgeçiriji hökmünde ulanyp bolar. Çydamlylygy we materialyň arzanlygy sebäpli diskleri kesmek ýaly abraziw we kesiji gurallarda giňden ulanylýar. Döwrebap birleşdirilen beden ýaraglarynda we ok geçirmeýän ýeleklerde ulanylýar. Şeýle hem tormoz diskleri öndürmek üçin ulanylýan awtoulag pudagynda ulanylýar. Uly guýma önümlerinde, ereýän metallary çüýlerde saklamak üçin ulanylýar. Elektrik we elektroniki programmalarda ulanylmagy şeýle bir meşhur welin, hiç hili jedel talap etmeýär. Mundan başga-da, güýçli elektron enjamlarynda, yşyk-diodly indikatorlarda, astronomiýada, inçe süzgüçli pirometriýada, şaý-seplerde, grafen we polat önümçiliginde we katalizator hökmünde ulanylýar. Aýratyn hili we geň galdyryjy 99,99% bolan 6H kremniy karbid wafli hödürleýäris.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Silikon karbid wafli aýratynlyklary:

1.Silikon karbid (SiC) wafli ajaýyp elektrik aýratynlyklaryna we ajaýyp ýylylyk aýratynlyklaryna eýedir. Silikon karbid (SiC) wafli ýylylyk giňelmesine eýe.

2.Silikon karbid (SiC) wafli has berklik aýratynlyklaryna eýedir. Silikon karbid (SiC) wafli ýokary temperaturada gowy işleýär.

3.Silikon karbid (SiC) wafli poslama, eroziýa we okislenmä ýokary garşylygy bar. Mundan başga-da, kremniy karbid (SiC) wafli göwherden ýa-da kub zirkondan has ýalpyldawukdyr.

4. Has gowy radiasiýa garşylygy: SIK wafli has güýçli radiasiýa garşylygy bolup, olary radiasiýa gurşawynda ulanmak üçin amatly edýär. Mysal üçin kosmiki gämiler we ýadro desgalary bar.
5. Has berkligi: SIK wafli kremniden has kyn, bu gaýtadan işlemek wagtynda wafleriň berkligini ýokarlandyrýar.

6. Aşaky dielektrik hemişelik: SIK wafli dielektrik hemişelik kremniniňkiden pesdir, bu enjamdaky parazit kuwwatyny azaltmaga we ýokary ýygylykly öndürijiligi ýokarlandyrmaga kömek edýär.

Silikon karbid wafli birnäçe amaly bar

SiC diodlar, güýç tranzistorlary we ýokary güýçli mikrotolkun enjamlary ýaly gaty ýokary woltly we ýokary güýçli enjamlary ýasamak üçin ulanylýar. Adaty Si-enjamlar bilen deňeşdirilende, SiC esasly kuwwatly enjamlar has ýokary woltly tizlige, pes parazit garşylygy, kiçi göwrümi, ýokary temperatura ukyby sebäpli az sowadyş tizligine eýe.
Silikon karbid (SiC-6H) - 6H wafli has ýokary elektroniki häsiýetlere eýe bolsa, kremniy karbid (SiC-6H) - 6H wafli iň aňsat taýýarlanýar we iň gowy öwrenilýär.
1.Power Elektronikasy: Silikon Karbid Wafleri, elektrik ulaglary, täzelenip bilýän energiýa ulgamlary we senagat enjamlary ýaly köp sanly programmada ulanylýan Power Electronics önümçiliginde ulanylýar. Silokary ýylylyk geçirijiligi we Silikon Karbidiň pes güýji ýitirilmegi ony bu programmalar üçin ideal material edýär.
2.LED yşyklandyryş: Silikon karbid wafli LED yşyklandyryş önümçiliginde ulanylýar. Silikon Karbidiň ýokary güýji, adaty yşyklandyryş çeşmelerinden has çydamly we uzak dowam edýän yşyk-diodly indikatorlary öndürmäge mümkinçilik berýär.
3. icarymgeçiriji enjamlar: Silikon karbid wafli, ýarymgeçiriji enjamlaryň önümçiliginde, telekommunikasiýa, hasaplaýyş we sarp ediş elektronikasy ýaly köp sanly programmada ulanylýar. Silokary ýylylyk geçirijiligi we Silikon Karbidiň pes güýji ýitirilmegi ony bu programmalar üçin ideal material edýär.
4. Gün öýjükleri: Gün öýjükleriniň önümçiliginde kremniy karbid wafli ulanylýar. Silikon Karbidiň ýokary güýji, adaty Gün öýjüklerine garanyňda has çydamly we uzak dowam edýän Gün öýjüklerini öndürmäge mümkinçilik berýär.
Umuman aýdanyňda, ZMSH Silikon Karbid Wafer, köp sanly programmada ulanylyp bilinýän köpugurly we ýokary hilli önümdir. Highokary ýylylyk geçirijiligi, pes güýji ýitirmek we ýokary güýç ony ýokary temperaturaly we ýokary güýçli elektron enjamlary üçin ideal material edýär. Bow50um ýaý / Warp, face1.2nm ýerüsti çişlik we ýokary / pes çydamlylyk bilen Silikon Karbid Waferi tekiz we tekiz ýer talap edýän islendik programma üçin ygtybarly we täsirli saýlawdyr.
SiC Substrate önümimiz, optimal öndürijiligi we müşderiniň kanagatlanmagyny üpjün etmek üçin giňişleýin tehniki goldaw we hyzmatlar bilen gelýär.
Hünärmenler toparymyz önümi saýlamakda, gurnamakda we näsazlyklary düzetmekde kömek edip biler.
Müşderilerimize maýa goýumlaryny has köpeltmek üçin önümlerimizi ulanmak we hyzmat etmek boýunça okuw we bilim hödürleýäris.
Mundan başga-da, müşderilerimiziň elmydama iň täze tehnologiýa elýeterliligini üpjün etmek üçin önümiň täzelenmelerini we gowulandyrmalaryny hödürleýäris.