2Inch 6H-N Silikon Karbid Substrat Sic Wafer goşa poladylan geçiriji premýer derejesi Grade

2Inch 6H-N Silikon Karbid Substrat Sic Wafer goşa ýalpyldawuk geçiriji geçiriji premýer derejesi

Gysga düşündiriş:

6H n görnüşli Silikon Karbid (SiC) bir kristal substrat ýokary güýçli, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly elektroniki programmalarda giňden ulanylýan möhüm ýarymgeçiriji materialdyr. Altyburçly kristal gurluşy bilen tanalýan 6H-N SiC giň zolakly we ýokary ýylylyk geçirijiligini hödürleýär we talap edilýän şertler üçin amatly edýär.
Bu materialyň ýokary döwülýän elektrik meýdany we elektron hereketi, adaty kremniden öndürilenlerden has ýokary woltlarda we temperaturalarda hereket edip bilýän MOSFET we IGBT ýaly täsirli güýçli elektron enjamlaryny ösdürmäge mümkinçilik berýär. Onuň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi, ýokary güýçli programmalarda öndürijiligi we ygtybarlylygy saklamak üçin möhüm ýylylygyň ýaýramagyny üpjün edýär.
Radioýygylyk (RF) goýmalarynda 6H-N SiC häsiýetleri has ýokary ýygylyklarda işlemäge ukyply enjamlaryň döredilmegini goldaýar. Himiki durnuklylygy we radiasiýa garşylygy ony howa we howa we goranyş pudaklary ýaly agyr şertlerde ulanmak üçin amatly edýär.
Mundan başga-da, 6H-N SiC substratlary ultramelewşe fotodetektorlar ýaly optoelektron enjamlar üçin aýrylmazdyr, giň zolakly UV ýagtylygyny anyklamaga mümkinçilik berýär. Bu häsiýetleriň utgaşmasy 6H n görnüşli SiC-ni häzirki zaman elektron we optoelektron tehnologiýalaryny ösdürmekde köpugurly we aýrylmaz material edýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Silikon karbid wafli aýratynlyklary:

· Önümiň ady: SiC Substrate
· Altyburçly gurluş: Täsin elektron aýratynlyklary.
· Electrokary elektron hereketi: ~ 600 sm² / V · s.
· Himiki durnuklylyk: Poslama garşy.
· Radiasiýa garşylygy: Gaty gurşaw üçin amatly.
· Pes içerki daşaýjy konsentrasiýasy: temperatureokary temperaturada täsirli.
· Çydamlylygy: Güýçli mehaniki aýratynlyklar.
· Optoelektroniki ukyp: UV ýagtylygyny täsirli kesgitlemek.

Silikon karbid wafli birnäçe amaly bar

SiC wafer programmalary:
SiC (Silikon Karbid) substratlary ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektrik meýdany güýji we giň zolakly üýtgeşik aýratynlyklary sebäpli dürli ýokary öndürijilikli programmalarda ulanylýar. Ine käbir programmalar:

1.Power Elektronikasy:
· Volokary woltly MOSFETler
· IGBT (izolýasiýa derwezesi iki polýar tranzistorlar)
· Şottki diodlary
· Güýç inwertorlary

2. -okary ýygylykly enjamlar:
· RF (Radio ýygylygy) güýçlendirijileri
· Mikrotolkun tranzistorlary
· Millimetr tolkun enjamlary

3. -okary temperaturaly elektronika:
· Gaty gurşaw üçin datçikler we zynjyrlar
· Aerokosmiki elektronika
· Awtoulag elektronikasy (mysal üçin, hereketlendiriji dolandyryş bölümleri)

4.Optoelektronika:
· Ultramelewşe (UV) fotodetektorlar
· Lightagtylyk diodlary (yşyklandyryjylar)
· Lazer diodlary

5. Täzelenip bilýän energiýa ulgamlary:
· Gün inwertorlary
· Windel turbinaly öwrüjiler
· Elektrik ulagynyň hereketlendirijileri

6.Senagat we goranmak:
· Radar ulgamlary
Sputnik aragatnaşygy
· Learadro reaktor gurallary

SiC wafli özleşdirmek

Aýratyn talaplaryňyza laýyk gelýän SiC substratynyň ululygyny düzüp bileris. Şeýle hem 10x10mm ýa-da 5x5 mm ululykdaky 4H-Semi HPSI SiC wafli hödürleýäris.
Bahasy kazyýet tarapyndan kesgitlenýär we gaplama jikme-jiklikleri islegiňize görä düzülip bilner.
Eltip bermek wagty 2-4 hepdäniň içinde. T / T arkaly tölegi kabul edýäris.
Zawodymyzda müşderileriň aýratyn talaplaryna laýyklykda dürli spesifikasiýalary, galyňlygy we şekilleri sazlap bilýän ösen önümçilik enjamlary we tehniki topary bar.