2 inç 6H-N kremniý karbid substraty Sic wafer goşa jylaňlanan geçirijilikli esasy derejeli Mos derejeli

2 дюйм 6H-N kremniý karbid substraty Sic wafer Goşa jylaňlanan geçirijilikli esasy derejeli Mos derejeli görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

6H n-tipli kremniý karbidi (SiC) monokristal substraty ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly elektron ulgamlarynda giňden ulanylýan möhüm ýarymgeçiriji materialdyr. Altyburçlukly kristal gurluşy bilen meşhur bolan 6H-N SiC giň zolak aralygyny we ýokary ýylylyk geçirijiligini hödürleýär, bu bolsa ony talapkär gurşawlar üçin amatly edýär.
Bu materialyň ýokary derejede dargaýan elektrik meýdany we elektronlaryň hereketliligi däp bolan kremniýden ýasalanlardan has ýokary naprýaženiýelerde we temperaturalarda işläp bilýän MOSFET we IGBT ýaly netijeli güýçli elektron enjamlaryň işlenip düzülmegine mümkinçilik berýär. Onuň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi ýokary kuwwatly ulanylyşlarda öndürijiligi we ygtybarlylygy saklamak üçin möhüm bolan netijeli ýylylyk ýaýramagyny üpjün edýär.
Radioýygylyk (RF) ulanylyşlarynda 6H-N SiC-niň häsiýetleri ýokary ýygylyklarda we netijeliligi ýokarlandyrylan enjamlaryň döredilmegini goldaýar. Onuň himiki durnuklylygy we radiasiýa garşylygy ony howa-kosmos we goranmak pudaklarynda ulanmak üçin amatly edýär.
Mundan başga-da, 6H-N SiC substratlary optoelektron enjamlar, mysal üçin, ultramelewşe fotodetektorlar üçin möhümdir, olaryň giň zolak aralygy ultramelewşe şöhlesini netijeli anyklamaga mümkinçilik berýär. Bu häsiýetleriň utgaşmasy 6H n-tipli SiC-ni häzirki zaman elektron we optoelektron tehnologiýalaryny ösdürmekde köpugurly we aýrylmaz materiala öwürýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Kremniý karbid plitalarynyň aýratynlyklary aşakdakylardyr:

· Önümiň ady: SiC substraty
· Altyburçluk gurluş: Özboluşly elektron häsiýetleri.
· Elektronlaryň ýokary hereketliligi: ~600 sm²/V·s.
· Himiki durnuklylyk: Korroziýa garşy durnukly.
· Radiasiýa garşylygy: Gaty güýçli gurşawlar üçin amatly.
· Pes içki daşaýjy konsentrasiýasy: Ýokary temperaturada netijeli.
· Çydamlylyk: Güýçli mehaniki häsiýetler.
· Optoelektronik Uwjundy: UV şöhlesini netijeli anyklamak.

Silikon karbid plastili birnäçe ulanylyşa eýedir

SiC wafer ulanylyşlary:
SiC (Silicon Carbide) substratlary ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektrik meýdanynyň güýji we giň zolak ýaly özboluşly häsiýetleri sebäpli dürli ýokary öndürijilikli ulanylyşlarda ulanylýar. Ine, käbir ulanylyşlary:

1. Güýçli elektronika:
·Ýokary woltly MOSFET-ler
·IGBT-ler (Izolýasiýa edilen derwezeli bipolýar tranzistorlar)
·Şottki diodlary
· Güýç inwertorlary

2. Ýokary ýygylykly enjamlar:
·RF (Radio ýygylykly) güýçlendirijileri
·Mikrotolkunly tranzistorlar
·Millimetr tolkunly enjamlar

3. Ýokary temperaturaly elektronika:
·Gaty güýçli gurşawlar üçin sensorlar we zynjyrlar
· Aerokosmos elektronikasy
·Awtoulag elektronikasy (meselem, hereketlendirijiniň dolandyryş bloklary)

4. Optoelektronika:
·Ultrafiolet (UV) fotodetektorlary
·Ýagtylyk çykarýan diodlar (LED)
·Lazer diodlary

5. Gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary:
·Gün energiýasy inwertorlary
·Ýel turbinalarynyň konwertorlary
·Elektrik ulaglarynyň hereketlendirijileri

6. Senagat we Goranmak:
·Radar ulgamlary
·Sputnik aragatnaşyk
·Ýadro reaktorynyň enjamlary

SiC waferiniň özelleşdirilmegi

Biz SiC substratynyň ölçeglerini siziň aýratyn talaplaryňyza laýyk getirmek üçin sazlap bileris. Şeýle hem, 10x10mm ýa-da 5x5mm ölçegli 4H-Semi HPSI SiC waferini hödürleýäris.
Bahasy gaplamanyň görnüşine görä kesgitlenýär we gaplamanyň jikme-jiklikleri islegiňize görä sazlanyp bilner.
Eltip bermek möhleti 2-4 hepde içinde. Tölegleri T/T arkaly kabul edýäris.
Fabrigimizde öňdebaryjy önümçilik enjamlary we tehniki topary bar, olar SiC waferiniň dürli aýratynlyklaryny, galyňlygyny we görnüşlerini müşderileriň aýratyn talaplaryna laýyklykda özleşdirip bilýärler.