Süýüm optiki aragatnaşyk ýa-da LiDAR üçin 2inç 3inç 4inç InP epitaksial wafli substrat APD ýagtylyk detektory

Süýüm optiki aragatnaşyk ýa-da LiDAR Aýratyn Surat

Gysga düşündiriş:

InP epitaksial substrat APD öndürmek üçin esasy materialdyr, adatça epitaksial ösüş tehnologiýasy bilen substratda goýlan ýarymgeçiriji materialdyr. Köplenç ulanylýan materiallara ajaýyp fotoelektrik aýratynlyklary bolan kremniý (Si), galiý arsenid (GaAs), galiý nitridi (GaN) we ş.m. degişlidir. APD fotodetektor, kesgitleýiş signalyny güýçlendirmek üçin göç fotoelektrik täsirini ulanýan fotodetektoryň aýratyn görnüşidir. APD-de fotonlar ýüze çykanda, elektron deşik jübütleri emele gelýär. Elektrik meýdanynyň täsiri astynda bu göterijileriň tizlenmegi, has köp göterijiniň emele gelmegine sebäp bolup biler, bu bolsa tok akymyny ep-esli güýçlendirýär.
MOCvD tarapyndan ösdürilip ýetişdirilen epitaksial wafli, göç fotodeksiýa diod programmalarynyň üns merkezinde. Siňdiriş gatlagy U-InGaAs materialy fon doping <5E14 bilen taýýarlandy. Funksiýa gatlagy InP ýa-da InAlAslayer ulanyp biler. InP epitaksial substrat, optiki detektoryň işleýşini kesgitleýän APD öndürmek üçin esasy materialdyr. APD fotodetektor aragatnaşyk, duýgurlyk we şekillendiriş meýdanlarynda giňden ulanylýan ýokary duýgur fotodetektordyr.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

InP lazer epitaksial sahypasynyň esasy aýratynlyklary şulary öz içine alýar

1. Zolak boşlugynyň aýratynlyklary: InP-de uzyn tolkun infragyzyl ýagtylygy kesgitlemek üçin, esasanam tolkun uzynlygy 1,3μm-den 1,5μm aralygynda dar zolakly boşluk bar.
2. Optiki öndürijilik: InP epitaksial film, dürli tolkun uzynlyklarynda ýagty güýç we daşarky kwant netijeliligi ýaly gowy optiki öndürijilige eýedir. Mysal üçin, 480 nm-de ýagty güýç we daşarky kwant netijeliligi degişlilikde 11,2% we 98,8%.
3. Daşaýjy dinamika: InP nanopartikullar (NP) epitaksial ösüş wagtynda goşa ekspensial çüýremek häsiýetini görkezýär. Çalt dargamak wagty, InGaAs gatlagyna daşaýjy sanjym bilen baglanyşykly, haýal çüýremek wagty InP NP-lerde daşaýjylaryň rekombinasiýasy bilen baglanyşykly.
4.
5. Önümçilik prosesi: InP epitaksial listler, adatça ýokary hilli filmlere ýetmek üçin molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE) ýa-da metal-organiki himiki bug buglaýyş (MOCVD) tehnologiýasy bilen ösdürilýär.
Bu aýratynlyklar, InP lazer epitaksial wafli optiki süýüm aragatnaşygynda, kwant açaryny paýlamakda we uzakdan optiki kesgitlemekde möhüm goşundylara eýe bolýar.

InP lazer epitaksial planşetleriniň esasy goşundylary

1. Fotonika: InP lazerler we detektorlar optiki aragatnaşykda, maglumat merkezlerinde, infragyzyl şekillendiriş, biometrika, 3D duýgur we LiDAR-da giňden ulanylýar.

2. Telekommunikasiýa: InP materiallary, esasanam optiki süýümli aragatnaşykda kremniý esasly uzyn tolkun uzynlykly lazerleriň uly göwrümli integrasiýasynda möhüm goşundylara eýedir.

3. Infragyzyl lazerler: Gaz duýgurlygy, partlaýjy kesgitleme we infragyzyl şekillendiriş ýaly orta infragyzyl zolakda (4-38 mikron ýaly) InP esasly kwant guýy lazerleriniň ulanylyşy.

5. performanceokary öndürijilik lazerleri: InP materiallary tolkun uzynlygy 1,5 mikron bolan InGaAsP-InP tranzistor lazerleri ýaly ýokary öndürijilikli lazerleri öndürmek üçin ulanylýar.

XKH optiki aragatnaşyk, datçikler, 4G / 5G esasy stansiýalar we ş.m. ýaly dürli programmalary öz içine alýan dürli gurluşlary we galyňlygy bolan ýöriteleşdirilen InP epitaksial wafli hödürleýär, XKH önümleri ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin ösen MOCVD enjamlary bilen öndürilýär. Logistika nukdaýnazaryndan XKH halkara çeşme kanallarynyň giň toparyna eýedir, sargytlaryň sanyny çeýe dolandyryp biler we inçe, segmentasiýa we ş.m. ýaly goşmaça hyzmatlary berip biler. Netijeli gowşuryş amallary wagtynda eltilmegini üpjün edýär we müşderileriň talaplaryny kanagatlandyrýar. hil we gowşuryş wagtlary. Gelenden soň, müşderiler önümiň oňat ulanylmagyny üpjün etmek üçin giňişleýin tehniki goldawy we satuwdan soňky hyzmaty alyp bilerler.