2 dýuýmlyk Sic kremniý karbid substraty 6H-N görnüşli 0.33mm 0.43mm iki taraplaýyn jylaňlama Ýokary ýylylyk geçirijiligi pes energiýa sarp edilişi

Gysgaça düşündiriş:

Kremniý karbidi (SiC) ajaýyp ýylylyk geçirijiligine we himiki durnuklylygyna eýe bolan giň zolakly ýarymgeçiriji materialdyr. Görnüşi6H-Nonuň kristal gurluşynyň altyburçluk (6H) bolandygyny görkezýär, “N” bolsa onuň adatça azoty lehimlemek arkaly gazanylýan N-tipli ýarymgeçiriji materialdygyny görkezýär.
Kremniý karbidi substraty ýokary basyş garşylygy, ýokary temperatura garşylygy, ýokary ýygylykly iş görkezijileri we ş.m. ýaly ajaýyp häsiýetlere eýedir. Kremniý önümleri bilen deňeşdirilende, kremniý substraty tarapyndan taýýarlanan enjam ýitgini 80% azaldyp we enjamyň ölçegini 90% azaldyp biler. Täze energiýa ulaglary babatda, kremniý karbidi täze energiýa ulaglaryna ýeňillik gazanmaga we ýitgileri azaltmaga, şeýle hem sürüş aralygyny artdyrmaga kömek edip biler; 5G aragatnaşyk ulgamynda degişli enjamlary öndürmek üçin ulanylyp bilner; Fotowoltaik energiýa öndürmekde konwersiýanyň netijeliligini ýokarlandyryp biler; Demir ýol ulaglary ulgamynda ýokary temperatura we ýokary basyş garşylyk häsiýetleri ulanylyp bilner.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

2 dýuýmlyk kremniý karbid waferiniň aýratynlyklary aşakdakylardyr

1. Gatylyk: Mohs gatylygy takmynan 9.2-dir.
2. Kristal gurluşy: altyburçluk tor gurluşy.
3. Ýokary ýylylyk geçirijiligi: SiC-niň ýylylyk geçirijiligi kremniýiňkiden has ýokary, bu bolsa ýylylygyň netijeli ýaýramagyna ýardam edýär.
4. Giň zolak aralygy: SiC-iň zolak aralygy takmynan 3.3 eV bolup, ýokary temperatura, ýokary ýygylyk we ýokary kuwwatly ulanyşlar üçin amatlydyr.
5. Bölünýän elektrik meýdany we elektron hereketliligi: Ýokary derejede bölünýän elektrik meýdany we elektron hereketliligi, MOSFET we IGBT ýaly netijeli elektrikli elektron enjamlar üçin amatly.
6. Himiki durnuklylyk we radiasiýa garşylygy: aerokosmos we milli goranyş ýaly berk gurşawlar üçin amatly. Ajaýyp himiki garşylyk, kislota, şel we beýleki himiki erginlere.
7. Ýokary mehaniki berklik: Ýokary temperatura we ýokary basyşly gurşawda ajaýyp mehaniki berklik.
Ol ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly elektron enjamlarda, mysal üçin, ultramelewşe fotodetektorlarda, fotowoltaik inwertorlarda, elektrik awtoulaglarynyň PCU-larynda we ş.m. giňden ulanylyp bilner.

2 dýuýmlyk kremniý karbid plastinkasynyň birnäçe ulanylyşy bar.

1. Güýçli elektron enjamlar: ýokary netijeli MOSFET, IGBT we beýleki enjamlary öndürmek üçin ulanylýar, güýç konwersiýalarynda we elektrik awtoulaglarynda giňden ulanylýar.

2.Rf enjamlary: Aragatnaşyk enjamlarynda SiC ýokary ýygylykly güýçlendirijilerde we RF güýç güýçlendirijilerinde ulanylyp bilner.

3. Fotoelektrik enjamlar: meselem, SIC esasly LED-ler, esasanam gök we ultramelewşe şöhlelerde.

4. Sensorlar: Ýokary temperatura we himiki garşylygy sebäpli, SiC substratlary ýokary temperatura sensorlaryny we beýleki sensor ulanylyşlaryny öndürmek üçin ulanylyp bilner.

5. Harby we howa-kosmos: ýokary temperatura çydamlylygy we ýokary berklik häsiýetleri sebäpli ekstremal şertlerde ulanmak üçin amatly.

6H-N 2-nji görnüşli "SIC substratynyň esasy ulanylyş ugurlaryna täze energiýa ulaglary, ýokary woltly geçiriji we özgertme stansiýalary, ak harytlar, ýokary tizlikli otlular, motorlar, fotowoltaik inwertor, impulsly energiýa üpjünçiligi we ş.m. girýär.

XKH müşderiniň talaplaryna laýyklykda dürli galyňlyklarda sazlanyp bilner. Dürli ýüzleý gödeklik we jylaňlama bejergileri bar. Dürli görnüşli goşundy (meselem, azot goşundysy) goldanylýar. Standart eltip berme wagty, sazlanmaga baglylykda 2-4 hepde. Substratyň howpsuzlygyny üpjün etmek üçin antistatik gaplama materiallaryny we antiseýsmik köpügi ulanyň. Dürli eltip berme wariantlary bar we müşderiler berlen yzarlaýyş belgisi arkaly logistika ýagdaýyny real wagt režiminde barlap bilerler. Müşderileriň ulanyş prosesinde meseleleri çözüp bilmegini üpjün etmek üçin tehniki goldaw we maslahat hyzmatlaryny hödürläň.