2 dýuým Sik kremniy karbid substraty 6H-N görnüşi 0.33mm 0.43mm iki taraplaýyn ýalpyldawuk Highokary ýylylyk geçirijiligi pes energiýa sarp

2 dýuým Sik kremniy karbid substraty 6H-N görnüşi 0.33mm 0.43mm iki taraplaýyn ýalpyldawuk Highokary ýylylyk geçirijiligi pes kuwwatly Aýratynlykly surat

Gysga düşündiriş:

Silikon karbid (SiC) ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we himiki durnuklylygy bilen giň zolakly boşluk ýarymgeçiriji materialdyr. 6H-N görnüşi, kristal gurluşynyň altyburçly (6H), “N” bolsa N görnüşli ýarymgeçiriji materialdygyny, adatça azotyň doping arkaly gazanylýandygyny görkezýär.
Silikon karbid substraty ýokary basyşa garşylyk, ýokary temperatura garşylyk, ýokary ýygylyk öndürijiligi we ş.m. ajaýyp aýratynlyklara eýedir. Silikon önümleri bilen deňeşdirilende, kremniniň substraty tarapyndan taýýarlanan enjam ýitgini 80% azaldyp, enjamyň ululygyny 90% azaldyp biler. Täze energiýa ulaglary nukdaýnazaryndan kremniy karbid täze energiýa ulaglaryna ýeňil düşmäge we ýitgileri azaltmaga we hereketlendiriş aralygyny ýokarlandyrmaga kömek edip biler; 5G aragatnaşyk ulgamynda, degişli enjamlary öndürmek üçin ulanylyp bilner; Fotowoltaik energiýa öndürmekde öwrülişiň netijeliligini ýokarlandyryp bolar; Demir ýol tranziti meýdany ýokary temperaturany we ýokary basyşa garşylyk aýratynlyklaryny ulanyp biler.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Aşakda 2inç kremniy karbid wafli aýratynlyklary bar

1. Gatylygy: Mohs gatylygy takmynan 9.2.
2. Kristal gurluşy: altyburçly panjara gurluşy.
3. Highokary ýylylyk geçirijiligi: SiC-iň ýylylyk geçirijiligi, ýylylygyň täsirli ýaýramagyna amatly kremniniňkiden has ýokary.
4. Giň zolakly boşluk: SiC-iň zolak aralygy takmynan 3,3eV, ýokary temperatura, ýokary ýygylyk we ýokary kuwwatly programmalar üçin amatly.
5. Bölünýän elektrik meýdany we elektron hereketi: MOSFET we IGBT ýaly täsirli güýçli elektron enjamlary üçin amatly ýokary bölüniş elektrik meýdany we elektron hereketi.
6. Himiki durnuklylyk we radiasiýa garşylygy: howa we milli goranmak ýaly agyr şertler üçin amatly. Ajaýyp himiki garşylyk, kislota, aşgar we beýleki himiki erginler.
7. Mechanokary mehaniki güýç: temperatureokary temperaturada we ýokary basyş gurşawynda ajaýyp mehaniki güýç.
Ultramelewşe fotodetektorlar, fotoelektrik inwertorlary, elektrik ulagy PCU we ş.m. ýaly ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly elektron enjamlarynda giňden ulanylyp bilner.

2inç kremniy karbid wafli birnäçe amaly bar.

1. Güýçli elektron enjamlary: ýokary öndürijilikli MOSFET, IGBT we beýleki enjamlary öndürmek üçin ulanylýar, güýç öwrülişinde we elektrik ulaglarynda giňden ulanylýar.

2.Rf enjamlary: Aragatnaşyk enjamlarynda SiC ýokary ýygylykly güýçlendirijilerde we RF güýç güýçlendirijilerinde ulanylyp bilner.

3.Fotoelektrik enjamlary: esasanam gök we ultramelewşe goýmalarynda SIK esasly ýorganlar.

4.Sensorlar: temperatureokary temperatura we himiki garşylyk sebäpli ýokary temperatura datçiklerini we beýleki datçik goşundylaryny öndürmek üçin SiC substratlary ulanylyp bilner.

5. Harby we howa giňişligi: ýokary temperatura garşylygy we ýokary güýç aýratynlyklary sebäpli aşa gurşawda ulanmak üçin amatly.

6H-N görnüşli 2 "SIK substratyň esasy amaly meýdanlary täze energiýa ulaglaryny, ýokary woltly geçiriji we öwrüliş stansiýalaryny, ak harytlary, ýokary tizlikli otlylary, hereketlendirijileri, fotoelektrik inwertory, impuls elektrik üpjünçiligi we ş.m.

XKH müşderiniň talaplaryna laýyklykda dürli galyňlyk bilen düzülip bilner. Dürli ýerüsti çişlik we ýalpyldawuk bejergiler bar. Dopingiň dürli görnüşleri (azot doping ýaly) goldanýar. Adaty eltiş wagty, özleşdirmä baglylykda 2-4 hepde. Substratyň howpsuzlygyny üpjün etmek üçin anti-statik gaplama materiallaryny we seýsmiki anti köpük ulanyň. Dürli iberiş opsiýalary bar we müşderiler berlen yzarlaýyş belgisi arkaly hakyky wagtda logistikanyň ýagdaýyny barlap bilerler. Müşderileriň ulanylyşdaky kynçylyklary çözüp biljekdigini üpjün etmek üçin tehniki goldaw we maslahat hyzmatlaryny beriň.