English

2 dýuým 50.8mm Safir Wafer C-Uçar M-uçar R-uçar A-uçar Galyňlygy 350um 430um 500um

2 dýuým 50.8mm Safir Wafer C-Uçar M-uçar R-uçar A-uçar Galyňlygy 350um 430um 500um Aýratyn surat
  • 2 dýuým 50.8mm Safir Wafer C-Uçar M-uçar R-uçar A-uçar Galyňlygy 350um 430um 500um
  • 2 dýuým 50.8mm Safir Wafer C-Uçar M-uçar R-uçar A-uçar Galyňlygy 350um 430um 500um
  • 2 dýuým 50.8mm Safir Wafer C-Uçar M-uçar R-uçar A-uçar Galyňlygy 350um 430um 500um

Gysga düşündiriş:

Safir, ýokary temperatura, termiki zarba, suw we gum eroziýasyna we çyzylmagyna çydamly fiziki, himiki we optiki häsiýetleriň özboluşly birleşmesiniň materialydyr.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Dürli ugurlaryň spesifikasiýasy

Ugrukdyrma

C (0001) - Ok

R (1-102) - Ok

M (10-10) - Ok

A (11-20) - Ok
Fiziki eýeçilik

C okunda kristal ýagtylyk, beýleki oklarda bolsa otrisatel ýagtylyk bar.Uçar tekiz, has gowusy kesilen.

R-uçar A.-dan birneme kyn.

 M tekizligi basgançakly, kesmek aňsat däl, kesmek aňsat. A-tekizligiň gatylygy, C garşylygyndan ep-esli ýokarydyr, bu könelişme garşylygy, çyzylma garşylygy we ýokary gatylygy bilen ýüze çykýar;“A” tekizligi, kesmek aňsat bolan zigzag tekizligi;
Goýmalar

C gönükdirilen sapfir substratlary gök LED önümlerini, lazer diodlaryny we infragyzyl detektor goýmalaryny öndürip bilýän galliý nitrid ýaly III-V we II-VI goýlan filmleri ösdürmek üçin ulanylýar.
Munuň sebäbi, esasan, C oky boýunça sapfir kristalynyň ösüş prosesi kämillik ýaşyna ýetenligi, bahasy birneme pes, fiziki we himiki aýratynlyklary durnukly we C tekizliginde epitaksiýa tehnologiýasy ýetişen we durnukly bolany üçin.

Mikroelektroniki integral zynjyrlarda ulanylýan dürli goýlan kremniniň ekstrasistallarynyň R-gönükdirilen substrat ösüşi.
Mundan başga-da, epitaksial kremniniň ösmeginiň film önümçiliginde ýokary tizlikli integral zynjyrlar we basyş datçikleri hem emele gelip biler.R görnüşli substrat gurşun, beýleki ýokary geçiriji komponentler, ýokary garşylykly rezistorlar, galiý arsenidi öndürmekde hem ulanylyp bilner.

 Esasan ýagtylygy ýokarlandyrmak üçin polýar däl / ýarym polýar GaN epitaksial filmleri ösdürmek üçin ulanylýar. Substrata gönükdirilen birmeňzeş geçirijilik / orta önüm öndürýär we gibrid mikroelektronika tehnologiýasynda ýokary izolýasiýa ulanylýar.Baseokary temperaturaly geçirijiler A bazasynyň uzaldylan kristallaryndan öndürilip bilner.
Gaýtadan işlemek ukyby Nusga sapfir substraty (PSS): Ösüş ýa-da Etching görnüşinde, nanoskale aýratyn yzygiderli mikrostruktura nagyşlary, yşyk-diodly ýagtylygyň çykyş görnüşine gözegçilik etmek we ýakut substratynda ösýän GaN-iň arasyndaky diferensial kemçilikleri azaltmak üçin sapfir substratynda dizaýn edilýär we ýasalýar. , epitaksiýanyň hilini ýokarlandyrmak we yşyk-diodly içerki kwant netijeliligini ýokarlandyrmak we ýagtylygy çykarmagyň netijeliligini ýokarlandyrmak.
Mundan başga-da, ýakut prizmasy, aýna, obýektiw, deşik, konus we beýleki gurluş bölekleri müşderiniň talaplaryna laýyklykda düzülip bilner.

Gozgalmaýan emläk deklarasiýasy

 Dykyzlygy Gatylyk ereýän nokat Döwülme görkezijisi (görünýän we infragyzyl) Geçiriş (DSP) Dielektrik hemişelik
3.98g / cm3 9 (mohs) 2053 ℃ 1.762 ~ 1.770 ≥85% C okunda 11.58@300K (bir okda 9.4）

Jikme-jik diagramma

awcasvb (1)
awcasvb (2)
awcasvb (3)
  • Öňki:
  • Indiki:
    • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň

    Önüm kategoriýalary

    Gözlemek üçin enter-e basyň ýa-da ýapmak üçin ESC basyň