12 Inç SiC substratyň diametri 300mm Galyňlygy 750μm 4H-N görnüşi düzülip bilner

12 Inç SiC substratyň diametri 300mm Galyňlygy 750μm 4H-N görnüşi aýratynlaşdyrylan şekil

Gysga düşündiriş:

Ondarymgeçiriji pudagynyň has netijeli we ykjam çözgütlere geçmeginiň möhüm pursatynda 12 dýuýmlyk SiC substratynyň (12 dýuým kremniy karbid substraty) peýda bolmagy peýza .y düýpgöter üýtgetdi. Adaty 6 dýuým we 8 dýuým spesifikasiýa bilen deňeşdirilende, 12 dýuým substratyň uly göwrümli artykmaçlygy, bir wafli üçin öndürilýän çipleriň sanyny dört esse artdyrýar. Mundan başga-da, 12 dýuýmlyk SiC substratyň bahasy adaty önümleriň giňden kabul edilmegi üçin möhüm bolan adaty 8 dýuým substratlar bilen deňeşdirilende 35-40% arzanlaýar.
Hususy buglary daşamak ösüş tehnologiýamyzy ulanmak bilen, 12 dýuým kristallarda ýerleşiş dykyzlygyna önümçilikde öňdebaryjy gözegçiligi gazandyk, indiki enjam öndürmek üçin ajaýyp material binýadyny üpjün etdik. Bu öňegidişlik häzirki global çip ýetmezçiliginde has möhümdir.

Gündelik programmalardaky esasy güýç enjamlary, mysal üçin EV çalt zarýad beriş stansiýalary we 5G esasy stansiýalar, bu uly göwrümli substraty has köp kabul edýärler. Esasanam ýokary temperaturada, ýokary woltly we beýleki agyr iş şertlerinde 12 dýuýmlyk SiC substraty kremniý esasly materiallar bilen deňeşdirilende has ýokary durnuklylygy görkezýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Tehniki parametrler

12 dýuým kremniy karbid (SiC) substrat spesifikasiýasy
Baha		ZeroMPD Önümçiligi Bahasy (Z derejesi)	Standart önümçilik Bahasy (P Grade)		Dummy Grade (D synp)
Diametri		3 0 0 mm ~ 1305mm
Galyňlyk	4H-N	750μm ± 15 μm	750μm ± 25 μm
	4H-SI	750μm ± 15 μm	750μm ± 25 μm
Wafer ugry		Öçürilen ok: 4H-N üçin 4.0 ° <1120> ± 0,5 °, Okda: <0001> ± 0,5 ° 4H-SI üçin
Mikrop turbanyň dykyzlygy	4H-N	≤0.4cm-2	C4cm-2		C25cm-2
	4H-SI	C5cm-2	C10cm-2		C25cm-2
Çydamlylyk	4H-N	0.015 ~ 0.024 Ω · sm			0.015 ~ 0.028 Ω · sm
	4H-SI	≥1E10 Ω · sm			≥1E5 Ω · sm
Esasy kwartira		{10-10} .0 5.0 °
Esasy tekizlik uzynlygy	4H-N	N / A.
	4H-SI	Notch
Gyradan çykarmak		3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 μm / ≤55 μm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
Gödeklik		Polýak Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar ýarylýar Intokary intensiwlik bilen alty plastinka Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri Wizual uglerod goşulmalary Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary		Hiç Toplum meýdany ≤0.05% Hiç Toplum meýdany ≤0.05% Hiç			Jemi uzynlygy ≤ 20 mm, ýeke uzynlygy≤2 mm Toplum meýdany ≤0.1% Toplum meýdany ≤3% Toplum meýdany ≤3% Jemi uzynlygy≤1 × wafli diametri
Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri		Hiç biri ≥0.2mm ini we çuňlugy rugsat bermedi			7 sany rugsat berildi, hersi mm1 mm
(TSD) Nurbatlaryň ýerleşdirilmegi		00500 sm-2		N / A.
(BPD) Esasy uçaryň ýerleşişi		0001000 sm-2		N / A.
Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü hapalanmagy		Hiç
Gaplamak		Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner
Bellikler:
1 Kemçilikleriň çäkleri, gyradan çykarylýan ýerden başga ähli wafli ýüzüne degişlidir. 2 Dyzlary diňe Si ýüzünde barlamaly. 3 Bölüniş maglumatlary diňe KOH-dan ýasalan wafli.

Esasy aýratynlyklary

1. Önümçilik kuwwaty we çykdajy artykmaçlyklary: 12 dýuým SiC substratyň (12 dýuým kremniy karbid substraty) köpçülikleýin öndürilmegi ýarymgeçiriji önümçiliginde täze döwri alamatlandyrýar. Bir wafli alyp bolýan çipleriň sany, 8 dýuým substratdan 2,25 esse köpelýär we önümçiligiň netijeliligine gönüden-göni bökýär. Müşderiniň pikirleri, 12 dýuým substratlary kabul etmek, güýçli modul önümçiliginiň çykdajylaryny 28% azaldyp, güýçli bäsdeşlik bazarynda aýgytly bäsdeşlik artykmaçlygyny döredýär.
2.Düşnükli fiziki aýratynlyklary: 12 dýuýmlyk SiC substraty kremniniň karbid materialynyň ähli artykmaçlyklaryny miras alýar - ýylylyk geçirijiligi kremniniňkiden 3 esse, bölüniş meýdanynyň güýji kremniniňkiden 10 esse ýokarydyr. Bu aýratynlyklar, 12 dýuým substratlara esaslanýan enjamlara 200 ° C-den ýokary ýokary temperaturaly şertlerde durnukly işlemäge mümkinçilik berýär, bu bolsa elektrik ulaglary ýaly amaly talaplar üçin aýratyn amatly bolýar.
3. faceerüsti bejeriş tehnologiýasy: Atom derejesindäki tekizligi (Ra <0.15nm) gazanyp, 12 dýuým SiC substratlary üçin ýörite himiki mehaniki polishing (CMP) işini taýýarladyk. Bu açyş, ýokary hilli epitaksial ösmek üçin päsgelçilikleri arassalap, uly diametrli kremniy karbid wafli ýüzüni bejermegiň dünýädäki kynçylyklaryny çözýär.
4. Termiki dolandyryş öndürijiligi: Amaly amalyýetlerde 12 dýuýmlyk SiC substratlary ajaýyp ýylylyk paýlamak mümkinçiliklerini görkezýär. Synag maglumatlary, şol bir güýç dykyzlygy astynda 12 dýuým substraty ulanýan enjamlaryň kremniý esasly enjamlardan 40-50 ° C pes temperaturada işleýändigini we enjamlaryň hyzmat möhletini ep-esli uzaldýandygyny görkezýär.

Esasy programmalar

1. Täze energiýa ulag ekosistemasy: 12 dýuýmlyk SiC substraty (12 dýuým kremniy karbid substraty) elektrik ulagyň hereketlendiriji arhitekturasyny özgerdýär. Bortdaky zarýad berijilerden (OBC) başlap, esasy hereketlendiriji inwertorlara we batareýany dolandyrmak ulgamlaryna çenli, 12 dýuým substratlaryň getiren netijeliligini ýokarlandyrmak ulagyň aralygyny 5-8% ýokarlandyrýar. Öňdebaryjy awtoulag öndürijisinden gelen hasabatlar, 12 dýuým substratlarymyzy kabul etmegimiz, çalt zarýad beriş ulgamynda energiýa ýitgileriniň 62% azalandygyny görkezýär.
2. Täzelenip bilýän energiýa pudagy: Fotowoltaik elektrik stansiýalarynda 12 dýuýmlyk SiC substratlaryna esaslanýan inwertorlar diňe bir kiçi forma faktorlaryny görkezmän, eýsem 99% -den ýokary öwrüliş netijeliligini hem gazanýarlar. Hususan-da paýlanan nesil senarilerinde bu ýokary netijelilik operatorlar üçin elektrik ýitgilerinde ýyllyk ýüzlerçe müň ýuanyň tygşytlanmagyna öwrülýär.
3.Senagat awtomatizasiýasy: 12 dýuým substratlary ulanýan ýygylyk öwrüjiler, senagat robotlarynda, CNC maşyn gurallarynda we beýleki enjamlarda ajaýyp öndürijiligi görkezýär. Olaryň ýokary ýygylykly kommutasiýa aýratynlyklary, adaty çözgütleriň üçden birine elektromagnit päsgelçiligi azaltmak bilen hereketlendirijiniň ses tizligini 30% ýokarlandyrýar.
4.Consumer Electronics Innovation: Geljekki nesil smartfon çalt zarýad beriş tehnologiýalary 12 dýuýmlyk SiC substratlaryny kabul edip başlady. 65W-den ýokary zarýadly önümleriň kremniý karbid erginlerine doly geçjekdigi we iň amatly çykdajy hökmünde 12 dýuým substratyň peýda boljakdygy çaklanylýar.

12 dýuýmlyk SiC substraty üçin XKH ýöriteleşdirilen hyzmatlar

12 dýuýmlyk SiC substratlary (12 dýuým kremniy karbid substratlary) üçin aýratyn talaplary kanagatlandyrmak üçin XKH giňişleýin hyzmat goldawyny hödürleýär:
1.Haýyk aýratynlygy:
Dürli amaly zerurlyklary kanagatlandyrmak üçin 725μm goşmak bilen dürli galyňlyk spesifikasiýalarynda 12 dýuým substratlar bilen üpjün edýäris.
2.Doping konsentrasiýasy ：
Önümçiligimiz, 0.01-0.02Ω · sm aralygynda takyk garşylyk gözegçiligi bilen n görnüşli we p görnüşli substratlary öz içine alýan birnäçe geçirijilik görnüşini goldaýar.
3. Synag hyzmatlary:
Doly derejeli synag enjamlary bilen, doly gözleg hasabatlaryny berýäris.
XKH, her bir müşderiniň 12 dýuýmlyk SiC substratlary üçin özboluşly talaplarynyň bardygyna düşünýär. Şonuň üçin iň bäsdeş çözgütleri üpjün etmek üçin çeýe işewür hyzmatdaşlyk modellerini hödürleýäris:
· Gözleg we gözleg nusgalary
· Önüm satyn alyş mukdary
Customöriteleşdirilen hyzmatlarymyz, 12 dýuýmlyk SiC substratlary üçin aýratyn tehniki we önümçilik zerurlyklaryňyzy kanagatlandyryp biljekdigimizi üpjün edýär.