3 dýuým Diametri 76.2 mm SiC substratlary HPSI Prime Research we Dummy derejeli

Geçiriji substrat: 15 ~ 30mΩ-sm kremniý karbid substratynyň garşylygyny aňladýar. Geçiriji kremniý karbid substratyndan ösdürilip ýetişdirilen kremniý karbid epitaksial plastinka täze energiýa ulaglarynda, fotowoltaikada, akylly elektrik ulgamlarynda we demir ýol ulaglarynda giňden ulanylýan energiýa enjamlaryna öwrülip bilner.

Ýarym izolýasiýa substraty, esasan galliý nitridi mikrotolkunly radio ýygylykly enjamlaryň önümçiliginde ulanylýan we simsiz aragatnaşyk ulgamynyň esasyny düzýän 100000Ω-sm-den ýokary garşylykly kremniý karbid substratyny aňladýar.

Ol simsiz aragatnaşyk ulgamynda esasy bölekdir.

Kremniý karbidiniň geçiriji we ýarym izolýasiýa substratlary aşakdakylar bilen çäklenmän, dürli elektron enjamlarda we güýç enjamlarynda ulanylýar:

Ýokary kuwwatly ýarymgeçiriji enjamlar (geçiriji): Kremniý karbid substratlary ýokary dargama meýdan güýjüne we ýylylyk geçirijiligine eýedir we ýokary kuwwatly tranzistorlary, diodlary we beýleki enjamlary öndürmek üçin amatlydyr.

RF elektron enjamlary (ýarym izolýasiýaly): Kremniý karbid substratlary ýokary geçiş tizligine we güýç çydamlylygyna eýedir, RF güýç güýçlendirijileri, mikrotolkun enjamlary we ýokary ýygylykly açarlar ýaly ulanylyşlar üçin amatlydyr.

Optoelektron enjamlar (ýarym izolýasiýaly): Kremniý karbid substratlary giň energiýa aralygyna we ýokary termal durnuklylyga eýedir, fotodiodlary, gün batareýalaryny we lazer diodlaryny we beýleki enjamlary ýasamak üçin amatlydyr.

Temperatura datçikleri (geçiriji): Kremniý karbid substratlary ýokary ýylylyk geçirijiligine we ýylylyk durnuklylygyna eýedir, ýokary temperatura datçiklerini we temperatura ölçeýji gurallaryny öndürmek üçin amatlydyr.

Kremniý karbidiniň geçiriji we ýarym izolýasiýa substratlarynyň önümçilik prosesi we ulanylyşy giň gerimli ugurlara we mümkinçiliklere eýedir, bu bolsa elektron enjamlary we güýç enjamlaryny ösdürmek üçin täze mümkinçilikleri döredýär.