Kwars sapfir BF33 wafli boýunça TVG prosesi Aýna wafli urmak

TGV-iň artykmaçlyklary (Aýna arkaly) esasan şularda görkezilýär:

1) Ajaýyp ýokary ýygylykly elektrik aýratynlyklary. Aýna material izolýator materialy, dielektrik hemişelik kremniniň materialynyň diňe 1/3 bölegidir, ýitgi faktory kremniniň materialyndan 2-3 ululyk pesdir, substratyň ýitmegi we parazit täsirleri ep-esli azalýar iberilen signalyň bitewiligi;

(2) Uly göwrümli we ultra inçe aýna substraty almak aňsat. Sapphire, Kwars, Corning, SCHOTT we beýleki aýna öndürijiler ultra ululykdaky (> 2m × 2m) we ultra inçe (<50µm) panel aýna we ultra inçe çeýe aýna materiallaryny hödürläp bileris.

3) arzan bahasy. Uly göwrümli ultra inçe panelli aýna aňsat girmekden peýdalanyň we izolýasiýa gatlaklarynyň goýulmagyny talap etmeýär, aýna adapter plastinkasynyň önümçilik bahasy kremniý esasly adapter plastinkasynyň diňe 1/8 bölegini düzýär;

4) pleönekeý amal. Substratyň üstünde we TGV-iň içki diwarynda izolýasiýa gatlagyny goýmagyň zerurlygy ýok (Ultra inçe adapter plastinkasynda inçejik gerek däl);

(5) Güýçli mehaniki durnuklylyk. Adapter plastinkasynyň galyňlygy 100µm-den az bolanda-da, sahypa henizem kiçi;

6) Programmalaryň giň gerimi. Highokary ýygylyk pudagynda oňat amaly perspektiwalardan başga-da, aç-açan material hökmünde optoelektron ulgam integrasiýasy ulgamynda hem ulanylyp bilner, howa geçirijiligi we poslama garşylyk artykmaçlyklary MEMS encapsulation meýdançasyndaky aýna substraty uly potensiala eýe edýär.

Häzirki wagtda kompaniýamyz deşik tehnologiýasy arkaly TGV (Aýna arkaly) aýna bilen üpjün edýär, gelýän materiallary gaýtadan işlemegi tertipläp we önümi gönüden-göni üpjün edip biler. Safir, Kwars, Corning we SCHOTT, BF33 we beýleki äýnekleri hödürläp bileris. Zerur bolsaňyz, islän wagtyňyz göni habarlaşyp bilersiňiz! Gözleg üçin hoş geldiňiz!