Ti/Cu Metall bilen örtülen kremniý waferi (Titan/Mis)

Ti/Cu metal bilen örtülen kremniý waferi (titan/mis) Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

BiziňTi/Cu metal bilen örtülen kremniý plitalarybilen örtülen ýokary hilli kremniý (ýa-da isleg boýunça aýna/kwars) substratyny öz içine alýartitan ýelmeşýän gatlakwe birmis geçiriji gatlakulanmakstandart magnetron püskürtmesiTi gatlagy ýapyşmagy we prosesiň durnuklylygyny ep-esli gowulandyrýar, Cu ýokarky gatlagy bolsa elektrik interfeýsleri we aşaky mikroönümçilik üçin ideal bolan pes garşylykly, deň ýüzi hödürleýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Jikme-jik diagramma

Ti/Cu Metall bilen örtülen kremniý waferi (Titan/Mis)6

Umumy syn

Ylmy-barlag we synag maksatlary üçin niýetlenen bu plastinkalar dürli ölçeglerde we garşylyk derejelerinde elýeterlidir, galyňlygy, substrat görnüşi we örtük konfigurasiýasy üçin çeýe sazlanyp bilner.

Esasy aýratynlyklar

Güýçli ýelmeşme we ygtybarlylykTi birleşdiriji gatlagy Si/SiO₂-a plýonkanyň ýapyşmagyny güýçlendirýär we işlemegiň berkligini ýokarlandyrýar
Ýokary geçirijilikli ýüzCu örtügi kontaktlar we synag gurluşlary üçin ajaýyp elektrik öndürijiligini üpjün edýär
Giň özelleşdirme diapazony: plastina ölçegi, garşylyk, ugur, substratyň galyňlygy we plýonkanyň galyňlygy isleg boýunça elýeterlidir
Işlenip taýýarlanýan substratlar: umumy laboratoriýa we fabrika iş akymlary bilen utgaşykly (litografiýa, elektrokaplama gurluşy, metrologiýa we ş.m.)
Elýeterli materiallar seriýasyTi/Cu-dan başga-da, biz Au, Pt, Al, Ni, Ag metal örtükli waflileri hem hödürleýäris

Tipiki gurluş we çökündi

Stek: Substrat + Ti ýelmeşýän gatlak + Cu örtük gatlagy
Standart prosesMagnetron püskürmesi
Saýlama proseslerTermal buharlandyrma / Elektrokaplama (galyrak Cu talaplary üçin)

Kwars aýnasynyň mehaniki häsiýetleri

Haryt	Opsiýalar
Wafer ölçegi	2", 4", 6", 8"; 10×10 mm; öz islegiňize laýyk böleklere bölmek üçin ölçegler
Geçirijilik görnüşi	P-tip / N-tip / Içki ýokary garşylyk (Un)
Ugurlanma	<100>, <111> we ş.m.
Garşylyklylyk	<0,0015 Ω · sm; 1-10 Ω · sm; > 1000–10000 Ω · sm
Galyňlygy (µm)	2": 200/280/400/500; 4": 450/500/525; 6": 625/650/675; 8": 650/700/725/775; öz islegiňize görä
Substrat materiallary	Kremniý; isleg boýunça kwars, BF33 aýnasy we ş.m.
Filmiň galyňlygy	10 nm / 50 nm / 100 nm / 150 nm / 300 nm / 500 nm / 1 µm (özgertme arkaly)
Metall plýonka opsiýalary	Ti / Cu; şeýle hem Au, Pt, Al, Ni, Ag bar

Ti/Cu Metall bilen örtülen kremniý waferi (Titan/Mis)4

Programmalar

Om kontakt we geçiriji substratlarenjamlaryň ylmy-barlag we işläp taýýarlamalary we elektrik synaglary üçin
Elektrokaplama üçin tohum gatlaklary(RDL, MEMS gurluşlary, galyň Cu toplanmasy)
Sol-gel we nanomaterial ösüş substratlarynano we inçe plýonka barlaglary üçin
Mikroskopiýa we ýerüsti metrologiýa(SEM/AFM/SPM nusga taýýarlamak we ölçemek)
Bio/himiki ýüzleröýjük medeniýeti platformalary, belok/DNK mikroçipleri we reflektometriýa substratlary ýaly

Sorag-jogap (Ti / Cu metal bilen örtülen kremniý wafli)

S1: Cu örtüginiň aşagynda näme üçin Ti gatlagy ulanylýar?
A: Titan ... hökmünde işleýärýelmeşme (baglanyşyk) gatlagy, misiň substrata ýapyşmagyny gowulandyrmak we serhet durnuklylygyny ýokarlandyrmak, bu bolsa işleme we gaýtadan işleme wagtynda soýulmagy ýa-da delaminasiýany azaltmaga kömek edýär.

S2: Tipiki Ti/Cu galyňlygynyň konfigurasiýasy nähili?
A: Umumy kombinasiýalar şulary öz içine alýarTi: onlarça nm (meselem, 10–50 nm)weCu: 50–300 nmsepilen plýonkalar üçin. Galyň Cu gatlaklary (µm derejesi) köplenç şu usul bilen gazanylýarsepilen Cu tohum gatlagynyň üstünde elektrokaplama, siziň arzaňyza baglylykda.

S3: Waferiň iki tarapyny hem örtüp bilersiňizmi?
A: Hawa.Bir taraply ýa-da iki taraply örtükisleg boýunça elýeterlidir. Sargyt edeniňizde talabyňyzy aýdyň.

Biz barada

XKH ýokary tehnologiýaly optik aýna we täze kristal materiallarynyň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşýär. Önümlerimiz optik elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby ulgamlara hyzmat edýär. Biz Safir optiki böleklerini, ykjam telefon linzalarynyň örtüklerini, keramika, LT, kremniý karbidi SIC, kwars we ýarymgeçiriji kristall plitalaryny hödürleýäris. Hünärmen tejribe we iň täze enjamlar bilen biz standart däl önümleri gaýtadan işlemekde üstünlik gazanýarys we öňdebaryjy optoelektron materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmagy maksat edinýäris.